Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы БЮТ-транзисторов (1927 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный выходной ток | Применение транзистора | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN5335DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mun5335dw1t1g-datasheets-7210.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 50В | Без свинца | 6 | 8 недель | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН, ПНП | ДА | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MUN53**DW1 | 6 | Двойной | 40 | 187мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||
| MUN5216DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mun5216dw1t1g-datasheets-7202.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 50В | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | ДА | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MUN52**DW1T | 6 | Двойной | 40 | 187мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 160 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | |||||||||||
| MUN5213DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mun5213dw1t1g-datasheets-7191.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | 50В | Без свинца | 6 | 8 недель | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | ДА | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MUN52**DW1T | 6 | Двойной | 40 | 256мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||
| MUN5211DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mun5211dw1t1g-datasheets-7234.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | 50В | Без свинца | 6 | 8 недель | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | ДА | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MUN52**DW1T | 6 | Двойной | 40 | 187мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 35 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||
| MUN5232DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-mun5232dw1t1g-datasheets-7224.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 50В | Без свинца | 6 | 8 недель | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | ДА | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MUN52**DW1T | 6 | Двойной | 40 | 256мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 15 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 15 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||
| MUN5312DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mun5312dw1t1g-datasheets-7215.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 8 недель | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | Олово | Нет | е3 | НПН | ДА | 187мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MUN53**DW1 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 250 мВт | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 60 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 60 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||
| MUN5235DW1T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-mun5235dw1t1g-datasheets-7279.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 50В | Без свинца | 6 | 8 недель | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | ДА | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MUN52**DW1T | 6 | Двойной | 40 | 187мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | 100 мА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм |
