Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ECCN-код | Дополнительная функция | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Количество элементов | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBU6JL-5303E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | ||||||||||||||||||||||
| GBU6JL-5301M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||
| КБП205Г С2 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbp204gc2-datasheets-2191.pdf | 4-СИП, КБП | 4 | 7 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,2 В при 2 А | 2А | |||||
| GBU4JL-5708M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4dl5303m345-datasheets-2386.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||
| GBLA06L-6985E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbla06l6985e345-datasheets-2622.pdf | 4-СИП, ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||
| ГБЛ08-5300E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl06l5308e351-datasheets-2344.pdf | 4-СИП, ГБЛ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||
| GBL06L-6870E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl06l5308e351-datasheets-2344.pdf | 4-СИП, ГБЛ | ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||
| ГБУ6К-5410М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||
| GBU4JL-6088M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4dl5303m345-datasheets-2386.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||
| ГБУ4МЛ-5001М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4dl5303m345-datasheets-2386.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||
| GBU6JL-5305M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||
| GBU6JL-5303M3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | ||||||||||||||||||||||
| G3SBA60L-5705M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba60l5700m351-datasheets-2300.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | ||||||||||||||||||||
| ГБУ8ДЛ-6088М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 8 А | 3,9А | |||||||||||||||||||||
| GBU8DL-6903E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 8 А | 3,9А | |||||||||||||||||||||
| ГБЛ06Л-5305Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl06l5308e351-datasheets-2344.pdf | 4-СИП, ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||
| GBU6JL-5704E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||
| ГБУ4ДЛ-6419М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4dl5303m345-datasheets-2386.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||
| ГБУ6ДЛ-5302М3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 6 А | 3,8А | ||||||||||||||||||||||
| GBU6JL-6131E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||
| ГБУ6МЛ-5301М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||
| GBU6JL-5704M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||
| G2SBA60L-6826E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU6JL-5702M3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | ||||||||||||||||||||||
| GBU6JL-7001M3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | ||||||||||||||||||||||
| GBU4JL-7001M3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4dl5303m345-datasheets-2386.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||
| КБП305Г С2 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbp301gc2g-datasheets-2225.pdf | 4-СИП, КБП | 7 недель | EAR99 | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 3 А | 3А | ||||||||||||||||||
| GBU6JL-5305M3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | ||||||||||||||||||||||
| GBU6JL-5702E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | ||||||||||||||||||||||
| GBU6JL-6131M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А |
