Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Материал диодного элемента | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Время обратного восстановления-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBU6JL-5305E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | ||||||||||||||||||||||||||
| КБП106Г C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbp102gc2-datasheets-2131.pdf | 4-СИП, КБП | КБП | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1 В @ 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ4МЛ-7001М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4dl5303m345-datasheets-2386.pdf | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||
| ГБУ4МЛ-7001Е3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4a1e351-datasheets-2373.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ4МЛ-5001Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4a1e351-datasheets-2373.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6ГЛ-6130М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6ДЖ-1М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||||||||
| GBU6DL-7005E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 6 А | 3,8А | ||||||||||||||||||||||||||||
| GBU6JL-5301E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||||||||
| GBU6JL-5000E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||||||||
| GBU6J-5410M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6ДЛ-5300Е3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||||||||
| GBU6J-1E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ4М-7001Е3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4a1e351-datasheets-2373.pdf | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||
| GBU6JL-5306M3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 6 А | 3,8А | ||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ08-5000М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБЛ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||||
| GBU4JL-5300E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4a1e351-datasheets-2373.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ4ГЛ-6420М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4dl5303m345-datasheets-2386.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||
| GBU4JL-7088E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4a1e351-datasheets-2373.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||
| GBU4JL-7002E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4a1e351-datasheets-2373.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ08Л-5306Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbl06l5308e351-datasheets-2344.pdf | 4-СИП, ГБЛ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||||
| GBU4DL-5303E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4a1e351-datasheets-2373.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||
| GBU4J-5410M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4dl5303m345-datasheets-2386.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||
| GBU4JL-5303M3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4dl5303m345-datasheets-2386.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||||
| GBU4JL-5300M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4dl5303m345-datasheets-2386.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||
| GBU4JL-6088M3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4dl5303m345-datasheets-2386.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||||
| GBU4JL-5708E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4a1e351-datasheets-2373.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ4А-1М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4dl5303m345-datasheets-2386.pdf | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||
| ГБУ4ДЛ-5303М3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4dl5303m345-datasheets-2386.pdf | 4-СИП, ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||
| CBR1F-D040 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cbr1fd080-datasheets-2077.pdf | 4-ЭДИП (0,300, 7,62 мм) | 4 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | Однофазный | 50А | 1 | 1А | 0,2 мкс | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,3 В при 1 А | 1А |
