| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Техническая спецификация | Диаметр | Пакет/ключи | Материал | Количество контактов | Семья | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Мощность - Макс. | Тип канала | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | Производитель | ECCN (США) | Минимальная рабочая температура (°C) | Максимальная рабочая температура (°C) | Стандартное имя пакета | Поставщик пакета | Монтаж | Высота упаковки | Качество упаковки | Ширина упаковки | PCB изменена | ХТС | Форма решения | Максимальная рассеиваемая мощность (мВт) | Вкладка | Максимальное напряжение источника стока (В) | Максимальное напряжение источника затвора (В) | Технология процесса | Режим канала канала | Количество элементов на чипе | Максимальный непрерывный ток стока (А) | Максимальное сопротивление источника стока (мОм) | Типичная входная емкость при Vds (пФ) | Типичный зарядный затвор при Vgs (нКл) | Типичное время задержки отключений (нс) | Типичное время задержки включения (нс) | Автомобильная промышленность | ЕС RoHS | ППАП | Категория | СВХК | SVHC порог | Типичный зарядный затвор на 10 В (нКл) | Типичное время спада (нс) | Типичное время нарастания (нс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИРФФ220 | Инфинеон | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 9,22 (макс.) | 3 | Одинокий | Н | EAR99 | -55 | 150 | ТО-205-АФ | ТО-39 | Сквозное отверстие | 4,54 (макс.) | 3 | 8542.31.00.01 | Сквозное отверстие | 20000 | 200 | ±20 | шестигранный транзистор | Улучшение | 1 | 3,5 | 850 при 10 В | 260 при 25 В | 14,3 (макс.) при 10 В | 50 (Макс) | 40 (Макс) | Нет | Не соответствует | Нет | Силовой МОП-транзистор | 14,3 (макс.) | 50 (Макс) | 50 (Макс) | |||||||||||||||||||||||||||
| СТЭ53НА50 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 | Одиночный внешний вид | Н | EAR99 | -55 | 150 | ИЗОТОП | Винт | 9,1 (Макс.) | 38,2 (макс.) | 25,5 (макс.) | 4 | 460000 | 500 | ±30 | Улучшение | 1 | 53 | 85@10В | 13000 при 25 В | 470 при 10 В | Нет | Поставщик не подтвержден | Нет | Силовой МОП-транзистор | 470 | 36 | 92 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTP4N80E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Си | 3 | Одинокий | Н | EAR99 | -55 | 150 | ТО-220 | ТО-220 | Сквозное отверстие | 9,27 (макс.) | 10,54 (макс.) | 4,57 (макс.) | 3 | 125000 | Вкладка | 800 | ±20 | Улучшение | 1 | 4 | 1320 при 25 В | 36@10В | 40 | 13 | Нет | Не соответствует | Нет | Силовой МОП-транзистор | Да | Да | 36 | 30 | 36 | ||||||||||||||||||||||||||
| ПМГД780СН,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | TrenchMOS 鈩?/a> | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | /files/B2914A1A69F39A4885D70E666B_A.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Полевые транзисторы — массивы | 6-ЦСОП | 60В | 410мВт | 2 N-канала (двойной) | 920 мОм при 300 мА, 10 В | 2,5 В при 250 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA931DJ-T1-GE3 | Вишай / Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET? | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Цифровая катушка? | /files/9EB2CD98557ED9E7D3F12368B6_A.pdf | ПауэрПАК? SC-70-6 Двойной | Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - массивы | ПауэрПАК? SC-70-6 Двойной | 30 В | 7,8 Вт | 2 P-канала (двойной) | 65 мОм при 3 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 4,5 А | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4204DY-T1-GE3 | Вишай / Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET? | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Цифровая катушка? | /files/9DB28B17AB915927D72D1F2FED_A.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - массивы | 8-СО | 20 В | 3,25 Вт | 2 N-канала (двойной) | 4,6 мОм при 10 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 19,8А | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСС138ДВК-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | СОТ-363 | 50В | 330мВт | 2 N-канала (двойной) | 22пФ при 25В | 2,6 Ом при 200 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 310 мА (Та) | 0,8 нк при 10 В | Стандартный | Диодс Инкорпорейтед | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСС138ДВК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | СОТ-363 | 50В | 330мВт | 2 N-канала (двойной) | 22пФ при 25В | 2,6 Ом при 200 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 310 мА (Та) | 0,8 нк при 10 В | Стандартный | Диодс Инкорпорейтед | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM120HM083CAG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM70HM05CAG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW217-NMM-TL-E-SY | Саньо | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Саньо | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3LN04SS-TL-H | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX8791AGTA+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUFA76409T3ST | Фэйрчайлд (ON Semiconductor) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Фэйрчайлд Полупроводник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ712С2497 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3418-TL-H-ON | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ664-Е-СИ | Саньо | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Саньо | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТМФС4854НСТ1Г | Саньо | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Саньо | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3314-TL-E-ON | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FSS133-TL-E | Саньо | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Саньо | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8604-TL-E-SY | Саньо | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Саньо | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW340-TL-E-ON | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW803-TL-E | Саньо | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Саньо | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW340-M-TL-E-SY | Саньо | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Саньо | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ810 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТД1056Т4 | Саньо | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Саньо | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUF75307T3ST136 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФ740С2515 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Харрис Корпорейшн | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW217-NMM-TL-E | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3LN04SS-TL-H-SY | Саньо | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Саньо |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.