Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПрограммируемые однопереходные транзисторы(29)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Прямое напряжение | Максимальный ток во включенном состоянии | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Тип триггерного устройства | Напряжение — выход | Межбазовое напряжение-Макс. | Внутренний коэффициент зазора-Макс. | Внутренний коэффициент зазора-мин. | Статический межбазовый Res-Max | Статическое межбазовое Res-Min | Вэлли-Пойнт Текущая-Мин. | Максимальный ток эмиттера | Пиковая точка тока-Макс. | Текущий - Пик | Текущее — Долина (Iv) | Ток — утечка затвора на анод (Игао) | Напряжение – смещение (Вт) | Максимальное напряжение от анода до катода | Пиковый ток-Макс. | Долина Текущая-Мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CMPP6028 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | совместимый | ДА | 100°С | -50°С | Программируемые однопереходные транзисторы | 150А | 0,35 Вт | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6028 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductor-2n6028-datasheets-0897.pdf | ТО-92 | Без свинца | 3 | 8 недель | нет | 5А | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 40В | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 100°С | -50°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Программируемые однопереходные транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | ОДИНОКИЙ | 0,3 Вт | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6027 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/centralsemiconductor-2n6027-datasheets-2336.pdf | ТО-92 | 3 | 8 недель | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 100°С | -50°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Программируемые однопереходные транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 150А | ОДИНОКИЙ | 0,3 Вт | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 40В | 2мкА | 70 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4851 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n4853-datasheets-9766.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | нет | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | 200°С | -65°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Однопереходные транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300мВт | 3В | 35В | 0,75 | 0,56 | 9,1 кОм | 4,7 кОм | 2мА | 50 мА | 2мА | 2мкА | 2мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4852 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-2n4853-datasheets-9766.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | нет | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | 125°С | -65°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Однопереходные транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300мВт | 5В | 35В | 0,85 | 0,7 | 9,1 кОм | 4,7 кОм | 4мА | 50 мА | 2мА | 2мкА | 4мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPP6027R ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/centralsemiconductorcorp-cmpp6028rtr-datasheets-9744.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 40В | 167мВт | 6В | 2мкА | 50 мкА | 10нА | 1,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4948 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 200°С | -65°С | 1 | Однопереходные транзисторы | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | 0,36 Вт | 6В | 25 В | 0,82 | 0,55 | 12 кОм | 4 кОм | 2мА | 50 мА | 2мА | 2мкА | 2мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPP6027R БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | /files/centralsemiconductorcorp-cmpp6028rtr-datasheets-9744.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 40В | 167мВт | 6В | 2мкА | 50 мкА | 10нА | 1,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6028RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -50°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n6028rlra-datasheets-9675.pdf | 40В | 150 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 260 | 3 | 40 | 1 | Программируемые однопереходные транзисторы | 1,5 В | 150А | ОДИНОКИЙ | 300мВт | 40В | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 11В | 150 нА | 25 мкА | 10нА | 600мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6027RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -50°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n6028rlra-datasheets-9675.pdf | 40В | 150 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 260 | 3 | 40 | 300мВт | 1 | Программируемые однопереходные транзисторы | 150А | ОДИНОКИЙ | 40В | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 11В | 2мкА | 50 мкА | 10нА | 1,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6027RLRA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -50°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n6028rlra-datasheets-9675.pdf | 40В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Содержит свинец | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | нет | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 240 | 3 | 30 | 1 | Программируемые однопереходные транзисторы | Не квалифицирован | 150А | ОДИНОКИЙ | 300мВт | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 11В | 2мкА | 50 мкА | 10нА | 1,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPP6028R ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/centralsemiconductorcorp-cmpp6028rtr-datasheets-9744.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 40В | 167мВт | 6В | 150 нА | 25 мкА | 10нА | 600мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPP6028 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/centralsemiconductorcorp-cmpp6027trpbfree-datasheets-9685.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | 40В | ДА | 100°С | -50°С | Программируемые однопереходные транзисторы | 150А | 167мВт | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 6В | 150 нА | 25 мкА | 10нА | 600мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6028RLRPG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 100°С | -50°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n6028rlra-datasheets-9675.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 260 | 3 | 40 | 1 | Программируемые однопереходные транзисторы | 150А | ОДИНОКИЙ | 300мВт | 40В | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 11В | 150 нА | 25 мкА | 10нА | 600мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPP6028R БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | /files/centralsemiconductorcorp-cmpp6028rtr-datasheets-9744.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 40В | 167мВт | 6В | 150 нА | 25 мкА | 10нА | 600мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5431 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 125°С | -65°С | 1 | Однопереходные транзисторы | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | 0,36 Вт | 1В | 35В | 0,8 | 0,72 | 8,5 кОм | 6 кОм | 2мА | 50 мА | 400 нА | 2мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4853 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n4853-datasheets-9766.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | нет | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | 125°С | -65°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Однопереходные транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300мВт | 6В | 35В | 0,85 | 0,7 | 9,1 кОм | 4,7 кОм | 6мА | 50 мА | 400 нА | 6мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4949 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | нет | не_совместимо | е0 | ИН/СВИНЦ (СН/ПБ) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 200°С | -65°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Однопереходные транзисторы | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | 0,36 Вт | 3В | 25 В | 0,86 | 0,74 | 12 кОм | 4 кОм | 2мА | 50 мА | 1 мА | 1 мкА | 2мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2647 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | Непригодный | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n2647-datasheets-9776.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | нет | EAR99 | е0 | ИН/СВИНЦ (СН/ПБ) | ПНП | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Однопереходные транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | ОДИНОКИЙ | 450 мА | 300мВт | 6В | 35В | 0,82 | 0,68 | 9,1 кОм | 4,7 кОм | 8мА | 2мА | 2мкА | 18 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6028RLRA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100°С | -50°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-2n6028rlra-datasheets-9675.pdf | 40В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Содержит свинец | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | нет | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 240 | 3 | 30 | 1 | Программируемые однопереходные транзисторы | Не квалифицирован | 150А | ОДИНОКИЙ | 300мВт | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 11В | 150 нА | 25 мкА | 10нА | 600мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6028RLRMG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 100°С | -50°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n6028rlra-datasheets-9675.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 260 | 3 | 40 | 1 | Программируемые однопереходные транзисторы | 150А | ОДИНОКИЙ | 300мВт | 40В | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 11В | 150 нА | 25 мкА | 10нА | 600мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPP6027 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpp6027trpbfree-datasheets-9685.pdf | 18 недель | ДА | 100°С | -50°С | Программируемые однопереходные транзисторы | 150А | 0,35 Вт | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6028G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 100°С | -50°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n6028rlra-datasheets-9675.pdf | 40В | 150 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 260 | 3 | 40 | 300мВт | 1 | Программируемые однопереходные транзисторы | 150А | ОДИНОКИЙ | 40В | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 11В | 150 нА | 25 мкА | 10нА | 600мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6027G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -50°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n6028rlra-datasheets-9675.pdf | 40В | 150 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 260 | 3 | 40 | 300мВт | 1 | Программируемые однопереходные транзисторы | 150А | ОДИНОКИЙ | 40В | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 11В | 2мкА | 50 мкА | 10нА | 1,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6027RL1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -50°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n6027rl1-datasheets-9704.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Содержит свинец | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ДЕТАЛИ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 40В | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 240 | 3 | 30 | 1 | Программируемые однопереходные транзисторы | Не квалифицирован | 150А | ОДИНОКИЙ | 300мВт | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 11В | 2мкА | 50 мкА | 10нА | 1,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6027RL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -50°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n6027rl1-datasheets-9704.pdf | 150 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ДЕТАЛИ | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | 260 | 3 | 40 | 1 | Программируемые однопереходные транзисторы | 150А | ОДИНОКИЙ | 300мВт | 40В | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 11В | 2мкА | 50 мкА | 10нА | 1,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6028 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6028pbfree-datasheets-9719.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 20 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 40В | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 100°С | -50°С | НЕ УКАЗАН | 1 | О-PBCY-T3 | ОДИНОКИЙ | 300мВт | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 6В | 150 нА | 25 мкА | 10нА | 600мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6027 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6028pbfree-datasheets-9719.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 20 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 40В | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 100°С | -50°С | НЕ УКАЗАН | 1 | О-PBCY-T3 | ОДИНОКИЙ | 300мВт | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 6В | 2мкА | 50 мкА | 10нА | 1,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6028RLRP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 100°С | -50°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-2n6028rlra-datasheets-9675.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Содержит свинец | 3 | 3 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 40В | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 240 | 3 | 30 | 1 | Программируемые однопереходные транзисторы | Не квалифицирован | 150А | ОДИНОКИЙ | 300мВт | ПРОГРАММИРУЕМЫЙ UJT | 11В | 150 нА | 25 мкА | 10нА | 600мВ |
