Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРЧ МОП-транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Упаковка | Напряжение - номинальное | Частота | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Прирост | Семья | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Текущий — Тест | Тип транзистора | Напряжение – Тест | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МРФЭ6ВС25НР1 | NXP Semiconductors / Freescale | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 133В | 512 МГц | /files/B3615DF964F58F8C85F15E4FFF_A.pdf | ТО-270АА | 25,4 дБ | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ | ТО-270-2 | 25 Вт | 10 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||
| MRFE6VS25GNR1 | NXP Semiconductors / Freescale | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Цифровая катушка? | 133В | 512 МГц | /files/B3615DF964F58F8C85F15E4FFF_A.pdf | ТО-270-2 Крыло Чайки | 25,4 дБ | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ | ТО-270-2 ЧАЙКА | 25 Вт | 10 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||
| ART700FHGJ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 177 В | 1 МГц ~ 450 МГц | СОТ-1214С | 28,6 дБ | SOT1214C | - | 700 Вт | 1,4 мкА | 1,2 А | LDMOS (двойной), общий источник | 55 В | Амплеон США Инк. | |||||||
| 1214ГН-180ЛВ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 150 В | 1,2 ГГц ~ 1,4 ГГц | 55-КР | 17 дБ | 55-КР | - | 180 Вт | - | 60 мА | ХЕМТ | 50 В | Микрочиповая технология | |||||||
| CLL3H0914LS-700U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ХЛЛ | 150 В | 900 МГц ~ 1,4 ГГц | СОТ-502Б | 17 дБ | СОТ502Б | - | 700 Вт | - | 500 мА | N-канал | 50 В | Амплеон США Инк. | |||||||
| АРТ700ФХСУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 177 В | 1 МГц ~ 450 МГц | СОТ-1214Б | 28,6 дБ | ЛДМОСТ | - | 700 Вт | 1,4 мкА | 1,2 А | LDMOS (двойной), общий источник | 55 В | Амплеон США Инк. | |||||||
| CLL3H0914L-700U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ХЛЛ | 150 В | 900 МГц ~ 1,4 ГГц | СОТ-502А | 17 дБ | СОТ502А | - | 700 Вт | - | 500 мА | N-канал | 50 В | Амплеон США Инк. | |||||||
| МВТ-ЛН300 | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 4 В | 26 ГГц | Править | 10 дБ | Править | 0,6 дБ | - | - | 25 мА | ФЭМТ ФТ | 2,5 В | Микроволновые технологии, ООО | |||||||
| ТМ-10 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Рочестер Электроникс, ООО | ||||||||||||||||||
| CLF1G0035-100 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 150 В | 3,5 ГГц | СОТ-467С | 12 дБ | СОТ467C | - | 100 Вт | - | 330 мА | ХЕМТ | 50 В | Рочестер Электроникс, ООО | |||||||
| CLF1G0060S-30 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 150 В | 6 ГГц | СОТ-1227Б | 13,5 дБ | SOT1227B | - | 30 Вт | - | 150 мА | ХЕМТ | 50 В | Рочестер Электроникс, ООО | |||||||
| CLF1G0060-10 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 150 В | 6 ГГц | СОТ-1227А | 16 дБ | CDFM2 | - | 10 Вт | - | 150 мА | ХЕМТ | 50 В | Рочестер Электроникс, ООО | |||||||
| C4H10P600AY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 150 В | 700 МГц ~ 1 ГГц | ОМП-780-4Ф-1 | 18,2 дБ | ОМП-780-4Ф-1 | - | 600 Вт | - | 470 мА | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 50 В | Амплеон США Инк. | |||||||
| БЛП9Х10С-850АВТИ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛП | 105 В | 617 МГц ~ 960 МГц | ОМП-1230-6Ф-1 | 17,8 дБ | ОМП-1230-6Ф-1 | - | 850 Вт | 2,8 мкА | 1,4 А | LDMOS (двойной), общий источник | 50 В | Амплеон США Инк. | |||||||
| BLC10G22XS-401AVTY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | БЛК | 65 В | 2,11 ГГц ~ 2,2 ГГц | СОТ-1275-1 | 15 дБ | ДФМ6 | - | 400 Вт | 1,4 мкА | 1,085 А | LDMOS (двойной), общий источник | 32 В | Амплеон США Инк. | |||||||
| ART2K0FEGJ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ИСКУССТВО | 200 В | 1 МГц ~ 400 МГц | СОТ-539АН | 28,9 дБ | СОТ539АН | - | 2000 Вт | 1,4 мкА | 600 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 65 В | Амплеон США Инк. | |||||||
| МРФ300АН-27МГЦ | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 133 В | 1,8 МГц ~ 250 МГц | 3-SIP | 28,2 дБ | 3-СИЛ | - | 300 Вт | 10 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50 В | NXP США Инк. | |||||||
| БЛМ9Д3438-16АМЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 3,4 ГГц ~ 3,8 ГГц | 20-ВЛГА Открытая площадка | 32,5 дБ | 20-ЛГА (7х7) | - | 16 Вт | 1,4 мкА | 38 мА | ЛДМОС | 28 В | Амплеон США Инк. | |||||||
| БЛМ9Д3740-16АМЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 3,7 ГГц ~ 4 ГГц | 20-ВЛГА Открытая площадка | 31,2 дБ | 20-ЛГА (7х7) | - | 16 Вт | 1,4 мкА | 38 мА | ЛДМОС | 28 В | Амплеон США Инк. | |||||||
| АРТ2К0ФЕСУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ИСКУССТВО | 200 В | 1 МГц ~ 400 МГц | СОТ-539АН | 28,9 дБ | СОТ539АН | - | 2000 Вт | 1,4 мкА | 600 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 65 В | Амплеон США Инк. | |||||||
| ART1K6FHGJ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ИСКУССТВО | 177 В | 1 МГц ~ 425 МГц | СОТ-539АН | 28 дБ | СОТ539АН | - | 1600 Вт | 1,2 мкА | 600 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 65 В | Амплеон США Инк. | |||||||
| А5Г38Х045Н-3700 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | - | 6-ЛДФН Открытая площадка | - | 6-ПДФН (7х6,5) | - | 5 Вт | - | - | NXP США Инк. | ||||||||||
| А5Г23Х065НТ4 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 В | 2,3 ГГц ~ 2,4 ГГц | 6-ЛДФН Открытая площадка | 15,5 дБ | 6-ПДФН (7х6,5) | - | 8,8 Вт | - | 30 мА | - | 48 В | NXP США Инк. | |||||||
| А5Г35Х120НТ2 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 В | 3,3 ГГц ~ 3,7 ГГц | 10-PowerLDFN | 14,1 дБ | 10-ДФН (7х10) | - | 18 Вт | - | 70 мА | - | 48 В | NXP США Инк. | |||||||
| А3Г26Д055Н-2600 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 В | 100 МГц ~ 2,69 ГГц | 6-ЛДФН Открытая площадка | 13,9 дБ | 6-ПДФН (7х6,5) | - | 8 Вт | - | 40 мА | - | 48 В | NXP США Инк. | |||||||
| А5Г38Х045НТ4 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP США Инк. | ||||||||||||||||||
| А5Г35С004Н-3400 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 В | 3,3 ГГц ~ 4,3 ГГц | 6-ЛДФН Открытая площадка | 16,9 дБ | 6-ПДФН (4х4,5) | - | 24,5 дБм | - | 12 мА | - | 48 В | NXP США Инк. | |||||||
| BLF278C | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 125 В | - | СОТ-262А1 | 18 дБ | CDFM4 | - | 300 Вт | 2,5 мА | 200 мА | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 50 В | Рочестер Электроникс, ООО | |||||||
| БЛФ245Б | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 175 МГц | СОТ-279А | 18 дБ | CDFM4 | - | 30 Вт | 1 мА | 50 мА | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 28 В | Рочестер Электроникс, ООО | |||||||
| BLF404 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 40 В | 500 МГц | СОТ-409А | 11,5 дБ | 8-CDIP | - | 4 Вт | 500 мкА | 50 мА | N-канал | 12,5 В | Рочестер Электроникс, ООО |
