Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРЧ МОП-транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Ряд | Напряжение - номинальное | Частота | Пакет/ключи | Прирост | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Текущий — Тест | Тип транзистора | Напряжение – Тест | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BLC10G22XS-603AVTY | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц | СОТ-1258-4 | 15,4 дБ | СОТ1258-4 | - | 600 Вт | 2,8 мкА | 1,2 А | LDMOS (двойной), общий источник | 30 В | Амплеон США Инк. | |||
| МРФИК1501Р2 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Свободный полупроводник | ||||||||||||||
| AFV10700HR5178 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | НХП Полупроводники | ||||||||||||||
| CLF1G0035S-100 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | НХП Полупроводники | ||||||||||||||
| BLF1046 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Рочестер Электроникс, ООО | ||||||||||||||
| А3И20Х050НР1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | А3И20Х050Н | 65 В | 1,8 ГГц ~ 2,2 ГГц | ОМ-400-8 | 29,3 дБ | ОМ-400-8 | - | 6,3 Вт | 10 мкА | 145 мА | ЛДМОС (двойной) | 28 В | NXP США Инк. | |||
| А2В09Х400-04СР3 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 105 В | 720 МГц ~ 960 МГц | НИ-780С-4Л | 18,7 дБ | НИ-780С-4Л | - | 102 Вт | 10 мкА | 750 мА | ЛДМОС (двойной) | 48 В | NXP США Инк. | |||
| А3И25Д080ГНР1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 2,3 ГГц ~ 2,69 ГГц | Вариант ТО-270-17, крыло чайки | 29,2 дБ | ТО-270ВБГ-17 | - | 8,3 Вт | 10 мкА | 175 мА | ЛДМОС (двойной) | 28 В | NXP США Инк. | |||
| А5Г35С008НТ6 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP США Инк. | ||||||||||||||
| А5Г26С004НТ6 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP США Инк. | ||||||||||||||
| А3Г26Х200В17СР3 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 125 В | 2,496–2,69 ГГц | НИ-780С-4С2С | 14,2 дБ | НИ-780С-4С2С | - | 34 Вт | - | 120 мА | - | 48 В | NXP США Инк. | ||||
| МВТ-ПХ8Ф | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 26 ГГц | Править | 12 дБ | Чип | - | 30 дБм | 300 мА | 1 мА | ФЭМТ ФТ | 3 В | Микроволновые технологии, ООО | |||||
| МВТ-ПХ33Ф | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 26 ГГц | Править | 14 дБ | Чип | - | 24 дБм | 90 мА | 1 мА | ФЭМТ ФТ | 3 В | Микроволновые технологии, ООО | |||||
| МВТ-ПХ31Ф | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 18 ГГц | Править | 13 дБ | Чип | - | 30 дБм | 280 мА | 1 мА | ФЭМТ ФТ | 2 В | Микроволновые технологии, ООО | ||||
| МВТ-5Ф | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 500 МГц ~ 26 ГГц | Править | 19 дБ | Чип | 3,5 дБ при 12 ГГц | - | 80 мА | 30 мА | GaAs полевой транзистор | 6 В | Микроволновые технологии, ООО | |||||
| МВТ-ПХ27Ф | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 26 ГГц | Править | 14 дБ | Чип | - | 25 дБм | 120 мА | 1 мА | ФЭМТ ФТ | 3 В | Микроволновые технологии, ООО | ||||
| МВТ-ПХ32Ф | Микроволновая техника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 12 ГГц | Править | 13 дБ | Чип | - | 30,5 дБ | 360 мА | 1 мА | ФЭМТ ФТ | 2 В | Микроволновые технологии, ООО | |||||
| CLF3H0060-30U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 150 В | 0 Гц ~ 6 ГГц | СОТ-1227А | 17 дБ | CDFM2 | - | 30 Вт | - | 60 мА | ХЕМТ | 50 В | Амплеон США Инк. | |||
| CLF3H0035S-100U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 150 В | 0 Гц ~ 3,5 ГГц | СОТ-467Б | 15 дБ | СОТ-467Б | - | 100 Вт | - | 300 мА | ХЕМТ | 50 В | Амплеон США Инк. | ||||
| C4H22W500AZ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 150 В | 2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц | СОТ-1273-1 | 16 дБ | СОТ1273-1 | - | 500 Вт | - | 450 мА | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 50 В | Амплеон США Инк. | |||
| CLF1G0060-30 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Рочестер Электроникс, ООО | ||||||||||||||
| CLF1G0060S-10 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | НХП Полупроводники | ||||||||||||||
| CLF1G0060S-10 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Рочестер Электроникс, ООО | ||||||||||||||
| AFV10700HSR5178 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | НХП Полупроводники | ||||||||||||||
| CLF1G0035-100P | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | НХП Полупроводники | ||||||||||||||
| БЛА1011-300 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Рочестер Электроникс, ООО | ||||||||||||||
| Б10Г3438Н55ДЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 3,4 ГГц ~ 3,8 ГГц | 34,2 дБ | - | 47,5 дБм | 75 мА | ЛДМОС | 28 В | Амплеон США Инк. | ||||||
| А3Т09С100НР1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 136 МГц ~ 941 МГц | ТО-270-2 | 22,8 дБ | ТО-270-2 | - | 100 Вт | 10 мкА | 450 мА | ЛДМОС | 28 В | NXP США Инк. | |||
| А5Г35Х055НТ4 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | NXP США Инк. | ||||||||||||||
| А3И25Д080НР1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | 65 В | 2,3 ГГц ~ 2,69 ГГц | Вариант ТО-270-17, плоские выводы | 29,2 дБ | ТО-270ВБ-17 | - | 8,3 Вт | 10 мкА | 175 мА | ЛДМОС (двойной) | 28 В | NXP США Инк. |
