Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходная мощность | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC548BU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bc550cbu-datasheets-0684.pdf | 30 В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 179 мг | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 500мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC548 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 В | 250 мВ | 30 В | 100 мА | 300 МГц | 30 В | 5В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SAR574D3TL1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-2sar574d3tl1-datasheets-1536.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 13 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 10 Вт | 80В | 2А | 1 мкА ИКБО | ПНП | 120 @ 100 мА 3 В | 280 МГц | 400 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6017-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-2sc6017tle-datasheets-1765.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 950 МВт | 3 | Одинокий | 950 МВт | 1 | 200 МГц | КРЕМНИЙ | 50В | 50В | 180 мВ | 360 мВ | 10А | 100 В | 6В | 200 | 10 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 1А 2В | 360 мВ при 250 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC327BU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | -45В | -800мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 179 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC327 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | -700мВ | 45В | 800мА | 100 МГц | -50В | -5В | 100 | 100нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD45H11T4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | -80В | -8А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВВК | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 20 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МЖД45 | Одинокий | 30 | 20 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | -80В | 1В | 80В | 8А | 40 МГц | 80В | 5В | 1 В | 60 | 10 мкА | ПНП | 40 @ 4А 1В | 1 В при 400 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2143TL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/rohm-2sd2143tl-datasheets-9341.pdf | 60В | 2А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,0857. | Медь, Олово | Нет | 8541.29.00.75 | е2 | Олово/медь (Sn98Cu2) | НПН | 10 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2SD2143 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 70В | 2А | 80 МГц | 70В | 6В | 1000 | 1 мкА ИКБО | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 1А 2В | 1,5 В при 1 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ558ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fzt558ta-datasheets-1216.pdf | -400В | -200мА | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 13 недель | 7,994566мг | Нет СВВК | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ558 | Одинокий | 40 | 3 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | 50 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -200мА | 2 Вт | 400В | 400В | -500мВ | 400В | 200 мА | 50 МГц | 400В | -5В | 100нА | ПНП | 100 @ 50 мА 10 В | 500 мВ при 6 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ758ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/diodesincorporated-fzt758ta-datasheets-1837.pdf | -400В | -500мА | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 7,994566мг | Нет СВВК | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ758 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | 50 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 400В | 400В | -500мВ | 400В | 500 мА | 50 МГц | 400В | 5В | 100нА | ПНП | 40 @ 200 мА 10 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTP2027FTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 165 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/diodesincorporated-zxtp2027fta-datasheets-1569.pdf | -60В | -4А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВВК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,56 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXTP2027 | 3 | Одинокий | 40 | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | 165 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -4А | 1,2 Вт | 60В | 60В | -60мВ | 60В | 4А | 165 МГц | 100 В | -7В | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 2А 2В | 240 мВ при 200 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КСП13БУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksp13bu-datasheets-1685.pdf | 30 В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 179 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 12 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | 625 МВт | НИЖНИЙ | КСП13 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | 30 В | 1,5 В | 30 В | 500 мА | 125 МГц | 30 В | 10 В | 10000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ603ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fzt603ta-datasheets-1487.pdf | 80В | 2А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВВК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ603 | 4 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2А | 80В | 80В | 1,13 В | 80В | 2А | 150 МГц | 100 В | 10 В | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 5000 @ 500 мА 5 В | 150 МГц | 1,13 В @ 20 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| СС8050ДБУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ss8050cbu-datasheets-1294.pdf | 25В | 1,5 А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 179 мг | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | НИЖНИЙ | СС8050 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2 Вт | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 25В | 500 мВ | 25В | 1,5 А | 190 МГц | 40В | 6В | 85 | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 500 мВ при 80 мА, 800 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ753ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 140 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fzt753ta-datasheets-1304.pdf | -100В | -2А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВВК | 4 | нет | EAR99 | Олово | Нет | 2А | е3 | 100 В | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ753 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | 140 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -2А | 100 В | 100 В | -300мВ | 100 В | 2А | 140 МГц | 120 В | 5В | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 500 мА 2 В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FCX1051ATA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 155 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-fcx1051ata-datasheets-1524.pdf | 40В | 3А | ТО-243АА | 4,6 мм | 1,6 мм | 2,6 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 51,993025мг | Нет СВВК | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | FCX1051A | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 155 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 3А | 1 Вт | 40В | 40В | 340 мВ | 40В | 3А | 155 МГц | 150 В | 5В | 270 | 10нА | НПН | 290 @ 10 мА 2 В | 340 мВ при 100 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||
| BC32725BU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | -45В | -800мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,33 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 179 мг | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | BC327 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 260 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | -45В | -700мВ | -45В | -800мА | 100 МГц | 800мА | -5В | 40 | 100нА | ПНП | 160 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC33725BU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc33725bu-datasheets-1549.pdf | 45В | 800мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 179 мг | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | BC337 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 700мВ | 45В | 800мА | 50В | 5В | 100 | 100нА | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SAR573D3TL1 | РОМ Полупроводник | 1,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 13 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 10 Вт | 50В | 3А | 1 мкА ИКБО | ПНП | 180 @ 100 мА 3 В | 300 МГц | 400 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTP19020CFFTA | Диодс Инкорпорейтед | 0,60 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-zxtp19020cffta-datasheets-1343.pdf | SOT-23-3 Плоские выводы | 3 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 48,789529мг | Нет СВВК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | ZXTP19020C | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -5А | 1,5 Вт | 20 В | 20 В | 40мВ | 20 В | 5А | 200 МГц | 25В | -7В | 50на ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 135 мВ при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTN19100CZTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-zxtn19100czta-datasheets-1618.pdf | ТО-243АА | 4,6 мм | 1,6 мм | 2,6 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 130,492855мг | Нет СВВК | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,46 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | ZXTN19100C | 3 | Одинокий | 40 | 4,46 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 5,25А | 2,4 Вт | 100 В | 100 В | 65мВ | 100 В | 5,25А | 150 МГц | 200В | 7В | 50на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 350 мВ при 525 мА, 5,25 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ694БТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fzt694bta-datasheets-1629.pdf | 120 В | 1А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВВК | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ694 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | 130 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1А | 120 В | 120 В | 500 мВ | 120 В | 1А | 130 МГц | 120 В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 150 @ 400 мА 2 В | 500 мВ при 5 мА, 400 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ1049АТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/diodesincorporated-fzt1049ata-datasheets-1636.pdf | 30 В | 5А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВВК | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ1049А | 4 | Одинокий | 40 | 2,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | 180 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 5А | 25В | 25В | 330 мВ | 25В | 5А | 180 МГц | 80В | 5В | 300 | 10нА | НПН | 300 @ 1А 2В | 330 мВ при 50 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||
| BC33716BU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-bc33725bu-datasheets-1549.pdf | 45В | 800мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 5,33 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 179 мг | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | BC337 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 210 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 700мВ | 45В | 800мА | 50В | 5В | 60 | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ749ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 160 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fzt749ta-datasheets-1670.pdf | -25В | -3А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВВК | 4 | нет | EAR99 | Нет | 3А | е3 | Матовый олово (Sn) | 25В | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ749 | Одинокий | 30 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 160 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -3А | 25В | 25В | -400мВ | 25В | 3А | 160 МГц | 35В | 5В | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 2В | 600 мВ при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTP2029FTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/diodesincorporated-zxtp2029fta-datasheets-1555.pdf | -100В | -3А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВВК | 3 | Нет | 150 МГц | ПНП | 1,56 Вт | ZXTP2029 | Одинокий | 1,56 Вт | 1 | СОТ-23-3 | 150 МГц | 1,2 Вт | 100 В | 100 В | -135мВ | 100 В | 3А | 100 В | 3А | 130 В | 7В | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 2В | 150 МГц | 250 мВ при 400 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСС1C301ET4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-nss1c301et4g-datasheets-1196.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 260,39037мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 2,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 120 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 3А | 100 В | 100 В | 115 мВ | 100 В | 3А | 120 МГц | 140 В | 6В | 120 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 1А 2В | 250 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD45H11RLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 90 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mjd44h11t4g-datasheets-8027.pdf | -80В | -8А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 20 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD45H11 | 3 | Одинокий | 40 | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 90 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 80В | 1В | 80В | 8А | 90 МГц | 5В | 5В | 60 | 1 мкА | ПНП | 40 @ 4А 1В | 1 В при 400 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTP19060CFFTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-zxtp19060cffta-datasheets-1320.pdf | SOT-23-3 Плоские выводы | 3 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 48,789529мг | Нет СВВК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | ZXTP19060C | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 180 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -4А | 1,5 Вт | 60В | 60В | 75мВ | 60В | 4А | 180 МГц | 524,2 нс | 60В | -7В | 50на ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 270 мВ при 400 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN2907ABU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-pn2907abu-datasheets-1335.pdf | -60В | -800мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,7 мм | 4,7 мм | 3,93 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 179 мг | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | PN2907A | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 400мВ | 60В | 800мА | 200 МГц | 45нс | -60В | -5В | 100 | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ493ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/diodesincorporated-fzt493ta-datasheets-1348.pdf | 100 В | 1А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВВК | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ493 | Одинокий | 30 | 2 Вт | 1 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1А | 100 В | 100 В | 600мВ | 100 В | 1А | 150 МГц | 120 В | 5В | 100нА | НПН | 100 @ 250 мА 10 В | 600 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD243T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 40 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mjd253t4g-datasheets-1247.pdf | 100 В | 4А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 12,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МЖД243 | 3 | Одинокий | 40 | 1,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 40 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 100 В | 100 В | 600мВ | 100 В | 4А | 40 МГц | 100 В | 7В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 200 мА 1 В | 600 мВ при 100 мА, 1 А |
