Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Диаметр | Пакет/ключи | Срок выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Полярность/Тип канала | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Частота смены | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Количество терминалов | Упаковка | Производитель | ECCN (США) | Минимальная рабочая температура (°C) | Максимальная рабочая температура (°C) | Стандартное имя пакета | Поставщик пакета | Монтаж | Высота упаковки | PCB изменена | Форма решения | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В) | Максимальная рассеиваемая мощность (мВт) | Количество элементов на чипе | Статус продукта | Автомобильная промышленность | ЕС RoHS | ППАП | Категория | Максимальное базовое напряжение коллектора (В) | Максимальное базовое напряжение эмиттера (В) | Максимальное напряжение насыщения базового эмиттера (В) | Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер (В) | Максимальный ток коллектора постоянного тока (А) | Минимальное устройство постоянного тока | Максимальная частота переключения (МГц) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КТЦ3227 | AOJ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НПН | ТО-92Л | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ483 | AOJ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НПН | ТО-92 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д965В | AOJ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НПН | ТО-92 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3CA2050 | AOJ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ПНП | ТО-220Ф | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD886 | AOJ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НПН | ТО-126 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КТА1241 | AOJ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | ПНП | ТО-92Л | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC108A | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НПН | 5,45 (макс.) | 3 | Одинокий | EAR99 | -65 | 150 | ТО-206-АА | ТО-18 | Сквозное отверстие | 5,31 (макс.) | 3 | Сквозное отверстие | 45 | 300 | 1 | Нет | Поставщик не подтвержден | Нет | Биполярный малый сигнал | 50 | 6 | 0,7 (тип.) при 0,5 мА при 10 мА | 0,9 (тип.) при 5 мА при 100 мА | [электронная почта защищена]@10мА|0,6@5мА@100мА | 0,2 | 110 при 2 мА при 5 В | 100 (мин) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5239 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Масса | Микрочиповая технология | Активный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н6510 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Сквозное отверстие | - | ТО-204АА, ТО-3 | ТО-204АД (ТО-3) | 120 Вт | 200 В | 7 А | - | НПН | - | - | - | Микрочиповая технология | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3872 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Масса | Микрочиповая технология | Активный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2031 | Саньо | $7,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Масса | Саньо | Активный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1828 | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Масса | онсеми | Активный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJH10012 | Моторола | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-204АА, ТО-3 | ТО-3 | 118 Вт | 400 В | 10 А | 1 мА | NPN – Дарлингтон | 300 @ 3А, 6В | - | 2,5 В при 2 А, 10 А | Масса | Моторола | Активный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC557ZL1 | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1229 | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Масса | онсеми | Активный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW61BLT1 | онсеми | 0,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1913R | Саньо | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Масса | Саньо | Активный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5669 | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | онсеми | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJH16012 | Харрис Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Масса | Харрис Корпорейшн | Активный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2612 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | 2,75 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Масса | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Активный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ1225 | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Масса | онсеми | Активный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1191 | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Масса | онсеми | Активный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д45С4 | Харрис Корпорейшн | $4,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 150°С (ТДж) | ТО-220-3 | ТО-220 | 30 Вт | 45 В | 4 А | 10 мкА | ПНП | 25 @ 1А, 1В | 40 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | Харрис Корпорейшн | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ880 | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Масса | онсеми | Активный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1079 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Масса | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Активный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ1135Р | Саньо | $4,74 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Масса | Саньо | Активный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3117S | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Масса | онсеми | Активный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3150L | онсеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Сквозное отверстие | 150°С (ТДж) | ТО-220-3 | ТО-220АБ | 50 Вт | 800 В | 3 А | 10 мкА (ИКБО) | НПН | 10 @ 200 мА, 5 В | 15 МГц | 2 В при 300 мА, 1,5 А | Масса | онсеми | Активный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD45H11RL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | [объект объект] | нет | EAR99 | не_совместимо | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ4124LT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3 | 30 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 0,2 А | 25 В | ТО-236АБ | 300 МГц | 60 | 3 |
