Одиночные IGBT - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Одиночные IGBT(3888)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Тип входа Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Без галогенов Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Включить время задержки Время подъема Время задержки отключения Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Непрерывный ток коллектора Мощность - Макс. Максимальное напряжение проба Код JEDEC-95 Обратное время восстановления Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Время включения Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Время выключения-Nom (toff) Условия испытаний Напряжение затвор-эмиттер-Макс. Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic Тип БТИЗ Заряд от ворот Ток-коллекторный импульсный (Icm) Td (вкл/выкл) при 25°C Переключение энергии Время падения-Макс (тс)
APT25GR120S АПТ25ГР120С Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Масса 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует RoHS 2001 г. /files/microsemicorporation-apt25gr120b-datasheets-5618.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА Без свинца 19 недель EAR99 521 Вт БИП-транзисторы с изолированным затвором Н-КАНАЛЬНЫЙ 521 Вт 1,2 кВ 3,2 В 75А 1200В 600 В, 25 А, 4,3 Ом, 15 В 30В 6,5 В 3,2 В @ 15 В, 25 А ДНЯО 203 НК 100А 16 нс/122 нс 742 мкДж (вкл.), 427 мкДж (выкл.)
IRGP4062DPBF IRGP4062DPBF Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2006 г. /files/infineontechnologies-irgp4062depbf-datasheets-9490.pdf ТО-247-3 15 875 мм 20,3 мм 5,3 мм Без свинца 3 26 недель 38.000013г Нет СВХК 3 EAR99 Нет 250 Вт Одинокий 250 Вт 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором 41 нс 22нс 104 нс КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ ТО-247АС 89 нс 600В 1,65 В 64 нс 1,95 В 48А 164 нс 400 В, 24 А, 10 Ом, 15 В 20 В 6,5 В 1,95 В @ 15 В, 24 А Тренч 50 НК 72А 41 нс/104 нс 115 мкДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.)
APT45GP120BG АПТ45ГП120БГ Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать СИЛА МОС 7® Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует RoHS 1999 год /files/microsemicorporation-apt45gp120bg-datasheets-3526.pdf 1,2 кВ 100А ТО-247-3 21,46 мм 5,31 мм 16,26 мм Без свинца 3 23 недели 38.000013г да НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 625 Вт 3 Одинокий 1 Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 100А ТО-247АД 1,2 кВ 3,3 В 47 нс 1,2 кВ 100А 1200В 230 нс 600 В, 45 А, 5 Ом, 15 В 3,9 В при 15 В, 45 А ПТ 185 НК 170А 18 нс/102 нс 900 мкДж (вкл.), 904 мкДж (выкл.)
APT25GR120SD15 АПТ25ГР120СД15 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует RoHS 2001 г. /files/microsemicorporation-apt25gr120bd15-datasheets-5552.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА Без свинца 30 недель В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 дня назад) EAR99 521 Вт БИП-транзисторы с изолированным затвором 16 нс 122 нс Н-КАНАЛЬНЫЙ 521 Вт 1,2 кВ 3,2 В 75А 1200В 600 В, 25 А, 4,3 Ом, 15 В 30В 6,5 В 3,2 В @ 15 В, 25 А ДНЯО 203 НК 100А 16 нс/122 нс 742 мкДж (вкл.), 427 мкДж (выкл.)
APT50GR120B2 АПТ50ГР120Б2 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует RoHS 2001 г. /files/microsemicorporation-apt50gr120l-datasheets-0778.pdf ТО-247-3 Без свинца 19 недель В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 дня назад) 694 Вт БИП-транзисторы с изолированным затвором Н-КАНАЛЬНЫЙ 694 Вт 1,2 кВ 3,2 В 117А 1200В 600 В, 50 А, 4,3 Ом, 15 В 30В 6,5 В 3,2 В @ 15 В, 50 А ДНЯО 445 НК 200А 28 нс/237 нс 2,14 мДж (вкл.), 1,48 мДж (выкл.)
APT64GA90B2D30 АПТ64GA90B2D30 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать СИЛОВАЯ МОС 8™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-apt64ga90ld30-datasheets-0837.pdf ТО-247-3 Вариант 3 29 недель да EAR99 НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 500 Вт 3 Одинокий 1 Р-ПСИП-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 500 Вт ТО-247АД 900В 44 нс 900В 117А 352 нс 600 В, 38 А, 4,7 Ом, 15 В 3,1 В @ 15 В, 38 А ПТ 162 НК 193А 18 нс/131 нс 1192 мкДж (вкл.), 1088 мкДж (выкл.)
IXYH16N170C IXYH16N170C IXYS / Литтелфус
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ХПТ™ Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/ixys-ixyh16n170c-datasheets-3535.pdf ТО-247-3 28 недель да неизвестный 310 Вт 19нс 1700В 40А 850 В, 16 А, 10 Ом, 15 В 3,8 В при 15 В, 16 А 56 НК 100А 11 нс/140 нс 2,1 мДж (вкл.), 1,5 мДж (выкл.)
STGF8NC60KD СТГФ8НК60КД СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать PowerMESH™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgd8nc60kdt4-datasheets-6389.pdf ТО-220-3 Полный пакет 3 8 недель 3 АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) EAR99 Нет 24 Вт СТГФ8 3 Одинокий 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 24 Вт ТО-220АБ 23,5 нс 600В 23 нс 600В 7А 242 нс 390 В, 3 А, 10 Ом, 15 В 20 В 6,5 В 2,75 В @ 15 В, 3 А 19 НК 30А 17 нс/72 нс 55 мкДж (вкл.), 85 мкДж (выкл.)
STGF6M65DF2 СТГФ6М65ДФ2 СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать М Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgf6m65df2-datasheets-3540.pdf ТО-220-3 Полный пакет 30 недель АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) EAR99 НЕ УКАЗАН СТГФ6 НЕ УКАЗАН 24,2 Вт 140 нс 650В 12А 400 В, 6 А, 22 Ом, 15 В 2В @ 15В, 6А Траншейная полевая остановка 21,2 нк 24А 15 нс/90 нс 36 мкДж (вкл.), 200 мкДж (выкл.)
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS / Литтелфус
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать GenX3™, XPT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2013 год /files/ixys-ixyh40n120c3-datasheets-3492.pdf ТО-247-3 16,26 мм 21,46 мм 5,3 мм Без свинца 3 28 недель 3 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ 577 Вт 3 Одинокий 577 Вт 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором 24 нс 125 нс КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ ТО-247АД 1,2 кВ 3,6 В 99 нс 1,2 кВ 70А 1200В 178 нс 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В 20 В 5В 4 В @ 15 В, 40 А 85 НК 115А 24 нс/125 нс 3,9 мДж (вкл.), 660 мкДж (выкл.)
FGH30N60LSDTU ФГХ30Н60ЛСДТУ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2011 г. /files/onsemiconductor-fgh30n60lsdtu-datasheets-3543.pdf ТО-247-3 15,87 мм 20,82 мм 4,82 мм Без свинца 3 7 недель 6,39 г Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) да EAR99 НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ Нет 8541.29.00.95 е3 Олово (Вс) 480 Вт Одинокий 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором 18 нс 250 нс КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 480 Вт ТО-247АБ 35 нс 600В 600В 62 нс 600В 60А 2870 нс 400 В, 30 А, 6,8 Ом, 15 В 20 В 7В 1,4 В @ 15 В, 30 А 225 НК 90А 18 нс/250 нс 1,1 мДж (вкл.), 21 мДж (выкл.) 2000 нс
IKP40N65H5XKSA1 ИКП40Н65Х5ХКСА1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчСтоп® Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~175°С, ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2008 год /files/infineontechnologies-ikw40n65h5fksa1-datasheets-4919.pdf ТО-220-3 10,36 мм 15,95 мм 4,57 мм Без свинца 16 недель 6.000006г Неизвестный 3 да EAR99 е3 Олово (Вс) Без галогенов 255 Вт НЕ УКАЗАН Одинокий НЕ УКАЗАН 255 Вт 62 нс 650В 1,65 В 1,65 В 74А 400 В, 20 А, 15 Ом, 15 В 2,1 В при 15 В, 40 А 95 НК 120А 22 нс/165 нс 390 мкДж (вкл.), 120 мкДж (выкл.)
STGW10M65DF2 СТГВ10М65ДФ2 СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать М Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgw10m65df2-datasheets-3499.pdf ТО-247-3 30 недель АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) СТГВ10 115 Вт 96нс 650В 20А 400 В, 10 А, 22 Ом, 15 В 2В @ 15В, 10А Траншейная полевая остановка 28нК 40А 19 нс/91 нс 120 мкДж (вкл.), 270 мкДж (выкл.)
APT33GF120B2RDQ2G АПТ33GF120B2RDQ2G Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует RoHS 1999 год /files/microsemicorporation-apt33gf120lrdq2g-datasheets-4685.pdf 1,2 кВ 64А ТО-247-3 Вариант Без свинца 3 29 недель 3 да Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 357 Вт 3 Одинокий 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 1,2 кВ 31 нс 1,2 кВ 64А 1200В 355 нс 800 В, 25 А, 4,3 Ом, 15 В 6,5 В 3 В @ 15 В, 25 А ДНЯО 170 НК 75А 14 нс/185 нс 1315 мДж (вкл.), 1515 мДж (выкл.)
APT25GN120BG АПТ25ГН120БГ Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует RoHS 1999 год /files/microsemicorporation-apt25gr120b-datasheets-5619.pdf 1,2 кВ 67А ТО-247-3 Без свинца 3 24 недели да EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 272 Вт 3 Одинокий 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором Р-ПСФМ-Т3 22 нс 280 нс КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ ТО-247АД 1,2 кВ 39 нс 1,2 кВ 67А 1200В 560 нс 800 В, 25 А, 1 Ом, 15 В 30В 6,5 В 2,1 В @ 15 В, 25 А Траншейная полевая остановка 155 НК 75А 22 нс/280 нс 2,15 мкДж (выкл.)
STGWA40S120DF3 СТГВА40С120ДФ3 СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgw40s120df3-datasheets-0674.pdf ТО-247-3 3 32 недели Нет СВХК АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) EAR99 468 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН СТГВА40 НЕ УКАЗАН 1 Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 468 Вт 355 нс 1,2 кВ 50 нс 2,15 В 80А 1200В 158,46 нс 600 В, 40 А, 15 Ом, 15 В 2,15 В @ 15 В, 40 А Траншейная полевая остановка 129 НК 160А 35 нс/148 нс 1,43 мДж (вкл.), 3,83 мДж (выкл.)
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS / Литтелфус
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать GenX3™, XPT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2013 год /files/ixys-ixyh40n120b3d1-datasheets-3515.pdf ТО-247-3 Без свинца 3 28 недель ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ 480 Вт ОДИНОКИЙ 3 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором Р-ПСФМ-Т3 22 нс 177 нс КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 480 Вт ТО-247АД 100 нс 1,2 кВ 84 нс 2,9 В 86А 1200В 411 нс 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В 20 В 5В 2,9 В при 15 В, 40 А 87нК 180А 22 нс/177 нс 2,7 мДж (вкл.), 1,6 мДж (выкл.)
APT40GR120B2D30 АПТ40ГР120Б2Д30 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует RoHS 2001 г. /files/microsemicorporation-apt40gr120b2d30-datasheets-3458.pdf ТО-247-3 21,46 мм 5,31 мм 16,26 мм Без свинца 29 недель 38.000013г 3 EAR99 Нет 500 Вт Одинокий БИП-транзисторы с изолированным затвором 22 нс 163 нс Н-КАНАЛЬНЫЙ 88А 1,2 кВ 2,5 В 1,2 кВ 88А 1200В 600 В, 40 А, 4,3 Ом, 15 В 6В 3,2 В при 15 В, 40 А ДНЯО 210 НК 160А 22 нс/163 нс 1,38 мДж (вкл.), 906 мкДж (выкл.)
IXGT2N250 IXGT2N250 IXYS / Литтелфус
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2009 год /files/ixys-ixgh2n250-datasheets-2445.pdf ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА 2 8 недель да НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ е3 Матовый олово (Sn) 32 Вт КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 4 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором Не квалифицированный Р-ПССО-Г2 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 32 Вт 2,5 кВ 115 нс 3,1 В 5,5 А 2500В 278 нс 20 В 5,5 В 3,1 В @ 15 В, 2 А 10,5 нКл 13,5А
APT50GN120B2G АПТ50ГН120Б2Г Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует RoHS 1999 год /files/microsemicorporation-apt50gn120b2g-datasheets-3466.pdf 1,2 кВ 134А ТО-247-3 Вариант Без свинца 3 24 недели 3 да EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 543 Вт 3 Одинокий 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 1,2 кВ 55 нс 1,2 кВ 134А 1200В 600 нс 800 В, 50 А, 2,2 Ом, 15 В 6,5 В 2,1 В при 15 В, 50 А ДНЯО, Остановка траншейного поля 315 НК 150А 28 нс/320 нс 4495 мкДж (выкл.)
IXGH40N120C3 IXGH40N120C3 IXYS / Литтелфус
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ГенХ3™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2008 год /files/ixys-ixgh40n120c3-datasheets-3469.pdf ТО-247-3 3 30 недель да е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 380 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН IXG*40N120 3 НЕ УКАЗАН 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 380 Вт ТО-247АД 1,2 кВ 52 нс 4,4 В 75А 1200В 475 нс 600 В, 30 А, 3 Ом, 15 В 20 В 5В 4,4 В при 15 В, 30 А ПТ 142 НК 200А 17 нс/130 нс 1,8 мДж (вкл.), 550 мкДж (выкл.)
STGYA120M65DF2 СТГЯ120М65ДФ2 СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать М Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgya120m65df2-datasheets-3471.pdf ТО-247-3 Открытая площадка 30 недель АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) СТГЯ120 625 Вт 202нс 650В 160А 400 В, 120 А, 4,7 Ом, 15 В 1,95 В при 15 В, 120 А ДНЯО, Остановка траншейного поля 420 НК 360А 66 нс/185 нс 1,8 мДж (включено), 4,41 мДж (выключено)
APT80GA60B АПТ80GA60B Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует RoHS 1999 год /files/microsemicorporation-apt80ga60b-datasheets-3474.pdf ТО-247-3 16,26 мм 21,46 мм 5,31 мм 3 33 недели 38.000013г да НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ Нет е3 Чистая матовая банка 625 Вт 3 Одинокий 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 143А ТО-247АД 600В 2В 52 нс 600В 143А 326 нс 400 В, 47 А, 4,7 Ом, 15 В 30В 6В 2,5 В @ 15 В, 47 А ПТ 230 НК 240А 23 нс/158 нс 840 мкДж (вкл.), 751 мкДж (выкл.)
AOK20B135D1 АОК20Б135Д1 Альфа и Омега Полупроводник Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Альфа-БТИЗ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2011 г. /files/alphaomegasemiconductor-aok20b135d1-datasheets-3605.pdf ТО-247-3 18 недель неизвестный 340 Вт 340 Вт 1,35 кВ 1,8 В 40А 1350В 600 В, 20 А, 15 Ом, 15 В 1,8 В @ 15 В, 20 А 66 НК 80А -/156нс 1,05 мДж (выкл.)
STGB40V60F СТГБ40В60Ф СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgw40v60f-datasheets-0540.pdf ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ 20 недель 2.000002г 3 АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) EAR99 283 Вт НЕ УКАЗАН STGB40 Одинокий НЕ УКАЗАН 283 Вт 600В 600В 1,8 В 600В 80А 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В 2,3 В @ 15 В, 40 А Траншейная полевая остановка 226 НК 160А 52 нс/208 нс 456 мкДж (вкл.), 411 мкДж (выкл.)
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчСтоп® Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~175°С, ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2008 год /files/infineontechnologies-ikw50n65f5fksa1-datasheets-3414.pdf ТО-247-3 Без свинца 16 недель Неизвестный 3 да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) 305 Вт Одинокий 305 Вт 52 нс 650В 1,6 В 1,6 В 80А 400 В, 25 А, 12 Ом, 15 В 2,1 В при 15 В, 50 А 120 НК 150А 21 нс/175 нс 490 мкДж (вкл.), 160 мкДж (выкл.)
APT36GA60BD15 АПТ36GA60BD15 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать СИЛОВАЯ МОС 8™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует RoHS 1999 год /files/microsemicorporation-apt36ga60bd15-datasheets-3490.pdf ТО-247-3 3 29 недель НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ Нет 290 Вт 3 Одинокий 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 290 Вт 600В 29 нс 600В 65А 262 нс 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В 30В 6В 2,5 В @ 15 В, 20 А ПТ 18нК 109А 16 нс/122 нс 307 мкДж (вкл.), 254 мкДж (выкл.)
IRGS10B60KDTRLP ИРГС10Б60КДТРЛП Рочестер Электроникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Стандартный Не соответствует требованиям RoHS ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ Д2ПАК 156 Вт 90 нс 600В 22А 400 В, 10 А, 47 Ом, 15 В 2,2 В @ 15 В, 10 А ДНЯО 38нК 44А 30 нс/230 нс 140 мкДж (вкл.), 250 мкДж (выкл.)
IRGP4740DPBF IRGP4740DPBF Рочестер Электроникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°С~175°С, ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/rochesterelectronicsllc-irgs4607dpbf-datasheets-0178.pdf ТО-247-3 ТО-247АД 250 Вт 170 нс 650В 60А 400В, 24А, 10Ом, 15В 2В при 15В, 24А 70 НК 72А 24 нс/73 нс 520 мкДж (вкл.), 240 мкДж (выкл.)
IXBF12N300 IXBF12N300 IXYS / Литтелфус
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать БИМОСФЕТ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2012 год /files/ixys-ixbf12n300-datasheets-3425.pdf i4-Pac™-5 (3 отверстия) 3 8 недель да НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ неизвестный е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 100 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором Не квалифицированный Р-ПСИП-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ИЗОЛИРОВАННЫЙ УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 125 Вт 1,4 мкс 3кВ 460 нс 3,2 В 22А 3000В 26А 705 нс 20 В 5В 3,2 В @ 15 В, 12 А 62 НК 98А
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)