Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Режим работы | Статус RoHS | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Количество терминалов |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФДПФ7Н50У_Г | Корпорация Fairchild Semiconductor | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | 8541.29.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 5А | 20А | 1,5 Ом | 125 мДж | 3 | |||||||||||
| ИПБ036Н12Н3 Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | icon-pbfree нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 120 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-263 | 180А | 720А | 0,0036Ом | 900 мДж | 6 | |||||||||
| ИПП320Н20Н3 Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 34А | 136А | 0,032Ом | 190 мДж | 3 | |||||||||||
| BSB044N08NN3 Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | е4 | Серебро/никель (Ag/Ni) | ДА | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-МБЦК-Н3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 18А | 360А | 0,0044Ом | 660 мДж | 3 | |||||||||||
| ИПБ030Н08Н3 Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | icon-pbfree нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 7 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 160А | 640А | 0,003Ом | 510 мДж | 6 | ||||||||||
| ИПП110Н20НА | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | icon-pbfree нет | EAR99 | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 300 Вт | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 88А | 352А | 0,011 Ом | 560 мДж | 3 | ||||||||||
| БСК16ДН25НС3 Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | icon-pbfree нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10,9А | 44А | 0,165 Ом | 120 мДж | 5 | ||||||||||
| ИПБ020НЕ7Н3 Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | icon-pbfree нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-263АБ | 120А | 480А | 0,002 Ом | 1100 мДж | 2 | |||||||||
| ИПИ045Н10Н3 Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 214 Вт | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-262АА | 100А | 400А | 0,0045Ом | 340 мДж | 3 | |||||||||||
| БСК014Н04LS | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | icon-pbfree нет | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ, СОВМЕСТИМОСТЬ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е3 | ИНН | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 32А | 400А | 0,0019Ом | 170 мДж | 3 | ||||||||||
| СПП06Н80С3 | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | icon-pbfree нет | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 83 Вт | 800В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 6А | 18А | 0,9 Ом | 230 мДж | 3 | |||||||||||
| ИПА057N06N3 Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 60А | 240А | 0,0057Ом | 77 мДж | 3 | |||||||||||
| IRF634B_FP001 | Корпорация Fairchild Semiconductor | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 74 Вт | 250 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 8,1А | 32,4А | 0,45 Ом | 200 мДж | 3 | ||||||||
| ФДП150Н10А_Ф102 | Корпорация Fairchild Semiconductor | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НЕПРИГОДНЫЙ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | совместимый | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FDB9403_F085 | Корпорация Fairchild Semiconductor | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | 175°С | 30 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 333 Вт | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-263АБ | 110А | 0,0012Ом | 968 мДж | 2 | |||||||
| FDB8445_F085 | Корпорация Fairchild Semiconductor | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 92 Вт | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-263АБ | 70А | 0,009 Ом | 102 мДж | 2 | |||||||
| FDB8444_F085 | Корпорация Fairchild Semiconductor | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 167 Вт | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-263АБ | 70А | 0,0055Ом | 307 мДж | 2 | |||||||
| FQB25N33TM_F085 | Корпорация Fairchild Semiconductor | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 2 | 150°С | 30 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 Вт | 330В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 25А | 100А | 0,23 Ом | 370 мДж | 2 | |||||||
| FCPF380N60_F152 | Корпорация Fairchild Semiconductor | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 150°С | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 31 Вт | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 10,2А | 30,6А | 0,38 Ом | 211,6 мДж | 3 | ||||||||||||||
| HUF76633S3ST_F085 | Корпорация Fairchild Semiconductor | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 175°С | 30 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 183 Вт | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-263АБ | 39А | 0,035 Ом | 267 мДж | 2 | ||||||||||
| БСЗ165Н04НС Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | icon-pbfree нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 Вт | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 31А | 124А | 0,0165Ом | 5 мДж | 8 | ||||||||
| SPA03N60C3 | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 29,7 Вт | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 2,8А | 9,6А | 1,4 Ом | 100 мДж | 3 | ||||||||||
| CEDM7001VL ТР | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | совместимый | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ038Н12Н3 Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | icon-pbfree нет | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 120 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-263АБ | 120А | 480А | 0,0038Ом | 900 мДж | 2 | |||||||||
| CMPDM7002AG БК | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | совместимый | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСЗ130Н03МС Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | icon-pbfree нет | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 8 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | С-ПДСО-Н5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 9А | 140А | 0,015 Ом | 9 мДж | 5 | |||||||||
| ИПД80Н04С3-06 | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | совместимый | 8541.29.00.95 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 88 Вт | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-252АА | 80А | 320А | 0,0052Ом | 125 мДж | 2 | ||||||||
| CMUDM7004 ТР | Центральный полупроводниковый завод | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | совместимый | ДА | 150°С | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 0,25 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,45 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| БСЗ130Н03ЛС Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | icon-pbfree нет | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 8 | 150°С | -55°С | 1 | Не квалифицирован | С-ПДСО-Н5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 Вт | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 35А | 140А | 0,013Ом | 9 мДж | 5 | |||||||||
| ИПП200Н25Н3 Г | Инфинеон Технологии АГ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 64А | 256А | 0,02 Ом | 320 мДж | 3 |
