Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС драйверов ворот(7655)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Тип входа | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество водителей | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Уровень скрининга | Максимальный выходной ток | Тип интерфейса микросхемы | Количество выходов | Ограничение пикового выходного тока. | Время включения | Время выключения | Время подъема/спада (типичное) | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Управляемая конфигурация | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне повышенного напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – ВИЛ, VIH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИГД616IC1 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Поднос | Инвертирование | Соответствует RoHS | /files/powerintegrations-igd616nt1-datasheets-3331.pdf | Модуль 36-ДИП, 24 результата | 1 | 14 В~16 В | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT | 100 нс 80 нс | Одинокий | Верхняя сторона или нижняя сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SC1302AIMSTRT | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИПОЛЯРНЫЙ | Инвертирующий, Неинвертирующий | 1,1 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/semtechcorporation-sc1302bimstrt-datasheets-3210.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 8 | 8 | 2 | да | EAR99 | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,5 В~16,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 12 В | 0,65 мм | SC1302 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 1,6А | 0,07 мкс | 0,06 мкс | 20 нс 20 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 1,6 А 1,6 А | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||
| MAX8552ETB+TG069 | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/maximintegrated-max8552eubtgc1-datasheets-3185.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSC427IJA | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 8 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 2,54 мм | ДРУГОЙ | 85°С | -25°С | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/18 В | Не квалифицированный | Р-XDIP-T8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB315A-FF1200R17KE3_B2 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | /files/powerintegrations-2sb315aff1200r17ke3b2-datasheets-3274.pdf | Модуль | 2 | 0 В~16 В | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2110CX6SA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2132C | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 15 В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | Драйверы МОП-транзисторов | 15 В | Не квалифицированный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИХД660NC1 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Поднос | Неинвертирующий | /files/powerintegrations-ihd660ic2-datasheets-3278.pdf | Модуль 36-ДИП, 24 результата | 2 | 14 В~16 В | 100 нс 80 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИХД660ИК2 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Поднос | Инвертирование | /files/powerintegrations-ihd660ic2-datasheets-3278.pdf | Модуль 36-ДИП, 24 результата | 2 | 14 В~16 В | 100 нс 80 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4605-2YMVAO | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | Неинвертирующий | /files/microchiptechnology-mic46052ymtr-datasheets-3264.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 5,5 В~16 В | 20 нс 20 нс | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1А 1А | 108В | 0,8 В 2,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5078AATT+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирующий, Неинвертирующий | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | /files/maximintegrated-max5078aatt-datasheets-3280.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 6 | 1 | да | EAR99 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 4В~15В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 15 В | 0,95 мм | MAX5078 | 6 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | S-XDSO-N6 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 4А | 0,034 мкс | 0,034 мкс | 32 нс 26 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | ||||||||||||||||||||||||||
| SC1211STRT | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Комби-Сенс® | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1,68 мм | Соответствует RoHS | 8-PowerSOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4875 мм | 3,93 мм | 8 | 2 | да | EAR99 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 9В~12В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 12 В | SC1211 | 8 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 3,5 А | 15 нс 10 нс | ДА | синхронный | Верхняя сторона и нижняя сторона | N-канальный МОП-транзистор | 2В 0,8В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX8791GTA+TG51 | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИХД260ИК1 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Поднос | Инвертирование | /files/powerintegrations-ihd660ic2-datasheets-3278.pdf | Модуль 36-ДИП, 24 результата | 2 | 14 В~16 В | 100 нс 80 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SP0325T2A1-CM1800DY-34S | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-2 | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Поднос | /files/powerintegrations-2sp0325t2a1cm1800dy34s-datasheets-3285.pdf | Модуль | 6 недель | 2 | 14,5 В~15,5 В | 600 нс 750 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ | 25А - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP14A1202T-E/СНВАО | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | Неинвертирующий | /files/microchiptechnology-mcp14a1201esn-datasheets-1695.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 1 | совместимый | 1 | ДА | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Р-ПДСО-Г8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 25 нс 25 нс | НЕТ | синхронный | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 0,8 В 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2101C | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/infineon-ir2101c-datasheets-3536.pdf | EAR99 | 8542.39.00.01 | 15 В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | Драйверы МОП-транзисторов | 15 В | Не квалифицированный | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИГД616НТ1 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Поднос | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | /files/powerintegrations-igd616nt1-datasheets-3331.pdf | Модуль 36-ДИП, 24 результата | 1 | 14 В~16 В | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT | 100 нс 80 нс | Одинокий | Верхняя сторона или нижняя сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ315Б-ФФ800Р17КФ6 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | Коробка | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-2sb315bff800r17kf6-datasheets-3288.pdf | Модуль | 2 | 0 В~16 В | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2130C | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTC4444IMS8E#WTRPBF | Линейные технологии/аналоговые устройства | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/lineartechnologyanalogdevices-ltc4444ems8etrpbf-datasheets-2966.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) Открытая колодка | 2 | 7,2 В~13,5 В | LTC4444 | 8 нс 5 нс | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2,5 А 3 А | 114В | 1,85 В 3,25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB315B-FF800R12KE3 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-2sb315bff800r12ke3-datasheets-3301.pdf | Модуль | 2 | 0 В~16 В | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SC1301AISTRT | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | /files/semtechcorporation-sc1301aistrt-datasheets-3304.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 1 | 4,5 В~16,5 В | SC1301 | 20 нс 20 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP14A1201T-E/СНВАО | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | Инвертирование | /files/microchiptechnology-mcp14a1201esn-datasheets-1695.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 1 | совместимый | 1 | ДА | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Р-ПДСО-Г8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 25 нс 25 нс | НЕТ | синхронный | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-88503012С | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1997 год | ООО | 8мА | 20 | 18В | 4,5 В | нет | не_совместимо | 2 | 727 МВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 240 | 20 | ВОЕННЫЙ | 20 | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | MIL-STD-883 Класс B | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 2 | 1,5 А | 0,06 мкс | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2113C | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 15 В | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | Драйверы МОП-транзисторов | 15 В | Не квалифицированный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTC4444IMS8E#WPBF | Линейные технологии/Аналоговые устройства | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/lineartechnologyanalogdevices-ltc4444ems8etrpbf-datasheets-2966.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) Открытая колодка | 2 | 7,2 В~13,5 В | LTC4444 | 8 нс 5 нс | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2,5 А 3 А | 114В | 1,85 В 3,25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTC4444EMS8E#WTRPBF | Линейные технологии/аналоговые устройства | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/lineartechnologyanalogdevices-ltc4444ems8etrpbf-datasheets-2966.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) Открытая колодка | 2 | 7,2 В~13,5 В | LTC4444 | 8 нс 5 нс | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2,5 А 3 А | 114В | 1,85 В 3,25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX8791GTA+TGC1 | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФАН7362ДР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 10 В~20 В | 8-СОИК | 70 нс 30 нс | Одинокий | Хай | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 250 мА 500 мА | 600В | 0,8 В 2,9 В |
