Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС драйверов ворот(7655)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Тип входа | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Количество водителей | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Максимальный выходной ток | Тип микросхемы интерфейса | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Время подъема/спада (типичное) | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Управляемая конфигурация | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне повышенного напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – ВИЛ, VIH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EB01-FS450R12KE4 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-eb01fs450r12ke4-datasheets-2977.pdf | Модуль | БТИЗ | 800В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD108 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Коробка | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD128 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB315B-FF1200R17KE3_B2 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | /files/powerintegrations-2sb315bff1200r17ke3b2-datasheets-3026.pdf | Модуль | 2 | 0 В~16 В | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXRFD615 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | /files/ixysrf-ixrfd615-datasheets-2981.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 1 | 8В~18В | 4нс 4нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 15А 15А | 0,8 В 3,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP1404T-E/СНВАО | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-mcp1404esn-datasheets-8628.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 2 | 1 | ДА | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MCP1404 | Р-ПДСО-Г8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 4,5 А | 0,065 мкс | 0,065 мкс | 15 нс 18 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4,5 А 4,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB315A-CM800DZ-34H | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-2sb315acm800dz34h-datasheets-2983.pdf | Модуль | 2 | 0 В~16 В | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРС2012СТР | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/infineontechnologies-auirs2012str-datasheets-2649.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,89 мм | 3,9 мм | 8 | 12 недель | 2 | EAR99 | 1 | ДА | 10 В~20 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 15 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | 2А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 22 нс 15 нс | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 200В | 0,7 В 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SD418F2-CM1200HB-66H | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°С~85°С ТА | Коробка | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-1sd418f2cm1200hb66h-datasheets-2986.pdf | Модуль | 1 | 14,5 В~15,5 В | 100 нс 100 нс | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5062BASA | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Инвертирующий, Неинвертирующий | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/maximintegrated-max5858aecmd-datasheets-5095.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | 8 В~12,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 12 В | МАКС5062 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | 2А | 0,063 мкс | 0,063 мкс | 65нс 65нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 125 В | |||||||||||||||||||||||||
| 2СБ315А-2МБИ800У4Г-120 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-2sb315a2mbi800u4g120-datasheets-2989.pdf | Модуль | 2 | 0 В~16 В | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ315А-2МБИ800ВТ-170Э | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-2sb315a2mbi800vt170e-datasheets-3040.pdf | Модуль | 2 | 0 В~16 В | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SD418F2-FZ2400R17KF6 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°С~85°С ТА | Коробка | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-1sd418f2fz2400r17kf6-datasheets-2992.pdf | Модуль | 9 недель | 1 | 14,5 В~15,5 В | 100 нс 100 нс | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 18А 18А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ315А-2МБИ1200У4Г-170 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 2017 год | Модуль | 2 | 0 В~16 В | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SD312F2-CM900HC-90H | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°С~85°С ТА | Масса | Непригодный | 2016 год | /files/powerintegrations-1sd312f2cm900hc90h-datasheets-2869.pdf | Модуль | 1 | 15,5 В~16,8 В | 100 нс 100 нс | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SD418F2-CM800HB-66H | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°С~85°С ТА | Коробка | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-1sd418f2cm800hb66h-datasheets-2947.pdf | Модуль | 1 | 14,5 В~15,5 В | 100 нс 100 нс | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EB01-FS300R17KE3 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-eb01fs300r17ke3-datasheets-2872.pdf | Модуль | БТИЗ | 1200В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SD418F2-FZ1200R33KF1 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°С~85°С ТА | Коробка | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-1sd418f2fz1200r33kf1-datasheets-2956.pdf | Модуль | 1 | 14,5 В~15,5 В | 100 нс 100 нс | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 18А 18А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EB01-6MBI225U4-120 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-eb016mbi225u4120-datasheets-2880.pdf | Модуль | 6 | БТИЗ | 800В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6SD312EI | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/powerintegrations-6sd312ei-datasheets-2883.pdf | Модуль | 6 | 0 В~16 В | 160 нс 130 нс | Полумост | БТИЗ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SD312F2-CM600HB-90H | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°С~85°С ТА | Масса | Непригодный | 2016 год | /files/powerintegrations-1sd312f2cm600hb90h-datasheets-2887.pdf | Модуль | 8 недель | 1 | 15,5 В~16,8 В | 100 нс 100 нс | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-8766001ПА | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/maximintegrated-59628766001pa-datasheets-2890.pdf | 8-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | 7мА | 8 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | 2 | 7мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 500мВт | 4,5 В~17 В | ДВОЙНОЙ | 240 | 8 | 20 | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/15 В | Не квалифицированный | Р-ГДИП-Т8 | MIL-STD-883 Класс B | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 100 мВ | 50 нс | 30 нс | 30 нс | 30 нс | 0,04 мкс | 0,06 мкс | 20 нс 20 нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||
| NCP5106BMNTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-ncp5106bdr2g-datasheets-7095.pdf | 10-ВДФН Открытая площадка | 17 недель | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 10 В~20 В | 85 нс 35 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 250 мА 500 мА | 600В | 0,8 В 2,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХИП4082 ИБЗТС2366А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamemericainc-hip4082ibzts2366a-datasheets-2895.pdf | 4 | 8,5 В~15 В | 9нс 9нс | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,4 А 1,3 А | 95В | 1 В 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS26320C | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SD312F2-CM900HB-90H | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°С~85°С ТА | Масса | Непригодный | 2016 год | /files/powerintegrations-1sd312f2cm900hb90h-datasheets-2903.pdf | Модуль | 13 недель | 1 | 15,5 В~16,8 В | 100 нс 100 нс | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-8850302ПА | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП/ТТЛ | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/maximintegrated-59628850302pa-datasheets-2839.pdf | 8-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | 8мА | 8 | 24 недели | 8 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | 2 | 12 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 640мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | 240 | 8 | 20 | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 1,5 А | 60нс | 40 нс | 1,5 А | 0,06 мкс | 60 нс 40 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||
| EB01-FS150R17KE3G | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-eb01fs150r17ke3g-datasheets-2912.pdf | Модуль | БТИЗ | 1200В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5062CASA-T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Неинвертирующий | 1,68 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/maximintegrated-max5858aecmd-datasheets-5095.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 4,89 мм | 3,9 мм | 8 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 8 В~12,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 12 В | МАКС5062 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | 2А | 0,063 мкс | 0,063 мкс | 65нс 65нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 125 В | |||||||||||||||||||||||||
| SC1302FSTRT | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИПОЛЯРНЫЙ | Инвертирующий, Неинвертирующий | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8,1 мА | 8 | 8 | 2 | да | EAR99 | 2 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 4,5 В~16,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 12 В | SC1302 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | 2А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 1,6А | 0,07 мкс | 0,06 мкс | 20 нс 20 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 0,8 В 2 В |
