Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС драйверов ворот(7655)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Количество водителей | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Статус квалификации | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Тип микросхемы интерфейса | Выходной ток | Время подъема | Осень (тип.) | Количество выходов | Ограничение пикового выходного тока. | Время подъема/спада (типичное) | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Управляемая конфигурация | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне повышенного напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – ВИЛ, VIH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EB01-FS150R12KE3G | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/powerintegrations-eb01fs150r12ke3g-datasheets-2850.pdf | Модуль | БТИЗ | 800В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РТ7021АГС | Ричтек США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/richtekusainc-rt7021bgs-datasheets-2739.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 2 | 13 В~20 В | 8-СОП | 70 нс 35 нс | Независимый | Верхняя сторона или нижняя сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 300 мА 600 мА | 600В | 0,8 В 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФАН7085MX_SN00036 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EB01-FS225R12KE3 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-eb01fs225r12ke3-datasheets-2926.pdf | Модуль | 13 недель | БТИЗ | 800В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS53365DC | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS21851C | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SD312F2-CM400HB-90H | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°С~85°С ТА | Масса | Непригодный | /files/powerintegrations-1sd312f2cm400hb90h-datasheets-2860.pdf | Модуль | 1 | 15,5 В~16,8 В | 100 нс 100 нс | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SD1548AI | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | Непригодный | 2016 год | /files/powerintegrations-1sd1548ai-datasheets-2938.pdf | Модуль | 1 | 15 В | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 48А 48А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SD312F2-DIM600NSM45-F000 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°С~85°С ТА | Масса | Непригодный | 2016 год | /files/powerintegrations-1sd312f2dim600nsm45f000-datasheets-2863.pdf | Модуль | 9 недель | 1 | 15,5 В~16,8 В | 100 нс 100 нс | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРБ24427С | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | /files/infineontechnologies-auirb24427s-datasheets-2942.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 2 | EAR99 | совместимый | 5 В~20 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 33 нс 33 нс Макс. | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SD312F2-MG900GXH1US53 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°С~85°С ТА | Масса | Непригодный | 2016 год | /files/powerintegrations-1sd312f2mg900gxh1us53-datasheets-2866.pdf | Модуль | 1 | 15,5 В~16,8 В | 100 нс 100 нс | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СД418Ф2-5СНА1200Э330100 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°С~85°С ТА | Коробка | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-1sd418f25sna1200e330100-datasheets-2944.pdf | Модуль | 1 | 14,5 В~15,5 В | 100 нс 100 нс | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4428DCOA | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-tc4428coa713-datasheets-4848.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | TC4428 | 8-СОИК | 19нс 19нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDN604WW | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2 | 4,5 В~35 В | 9нс 8нс | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СД315АИ-25 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | Непригодный | 1999 год | /files/powerintegrations-2sd315ai25-datasheets-2768.pdf | Модуль | 2 | 15 В | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 18А 18А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФАН3182MX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 230,4 мг | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS2109C | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SC530ATETRT | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | СК530 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTCW4A01PZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NCP81063MNTXG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/onsemiconductor-ncp81063mntxg-datasheets-2815.pdf | 8-ВФДФН Открытая площадка | 4 недели | 1 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 4,5 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ДВЕ КЛЕММЫ Опорного напряжения | НЕ УКАЗАН | 30 нс 27 нс | синхронный | Верхняя сторона или нижняя сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 2,5 А 1,6 А | 0,7 В 3,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IX4340NETR | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 2 | EAR99 | 5 В~20 В | 260 | 30 | ДРАЙВЕР МОП-транзистора на основе NAND-затвора | 7нс 7нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 5А 5А | 0,8 В 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NCP5901GMNTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 8-ВФДФН Открытая площадка | 2 | 4,5 В~13,2 В | 16 нс 11 нс | синхронный | Полумост | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 35В | 1В 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6ЭДМ2003Л06Ф06С1СА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 25 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS26320JTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-irs26320jpbf-datasheets-2729.pdf | 6 | 12 В~20 В | 44-PLCC | 3-фазный | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 200 мА 350 мА | 600В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZ631DF12N100 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 2014 год | 10-СМД, плоский вывод | 10 недель | 1 | да | совместимый | 8В~18В | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 2,4 нс 1,55 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 72А 72А | 1000В | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS2509CD | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXRFD615X2 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-СМД, плоский вывод | 10 недель | 2 | да | совместимый | 8В~18В | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 4нс 4нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 15А 15А | 0,8 В 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-8877003ПА | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/maximintegrated-max4429mja883b-datasheets-2067.pdf | 8-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | 1,5 мА | 8 | 8 | 1 | нет | EAR99 | не_совместимо | 1 | 1,5 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 640мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | 240 | 8 | 20 | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | 6А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 600мА | 30 нс | 30 нс | 2 | 6А | 25 нс 25 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||
| АУИРС20162СТР | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -55°С~155°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/infineontechnologies-auirs20162str-datasheets-2746.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 1 | EAR99 | 4,4 В~20 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 200 нс 200 нс | Одинокий | Хай | N-канальный МОП-транзистор | 250 мА 250 мА | 150 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 111-4093ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. |
