| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Максимальное напряжение питания (постоянный ток) | Минимальное напряжение питания (постоянный ток) | Способ упаковки | Количество функций | Код JESD-609 | Особенность | Терминальные отделки | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Уровень скрининга | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Эмкость нагрузки | Логическая функция | Задержка распространения | Количество выходов | Сегодняшний день | Ток — выходной высокий, низкий | Количество входных строк | Количество входов | Количество ворот | Тип логики | Макс I(ол) | Опора Delay@Nom-Sup | Триггер Шмитта | Задержка распространения (tpd) | Макс. задержка распространения @ В, Макс. КЛ | Ток – режим недельный (макс.) | Логический уровень – низкий | Логический уровень – высокий |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 74LCX86FT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74LCX | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-74lcx86ft-datasheets-5461.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 1,65 В~3,6 В | 4 | 24 мА 24 мА | 2 | XOR (исключающее ИЛИ) | 7,5 нс при 3,3 В, 50 пФ | 40 мкА | 0,2 В ~ 0,75 В | 1,45 В ~ 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LV1T08GWH | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ЛВ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-74lv1t08gwh-datasheets-5524.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 4 недели | 1,6 В~5,5 В | 1 | 8мА 8мА | 2 | И Ворота | 4,6 нс при 5 В, 30 пФ | 1 мкА | 0,1 В ~ 0,3 В | 1,28 В ~ 4,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC74HC30ADTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74HC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-mc74hc30adg-datasheets-6741.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | Без свинца | 14 | 45 недель | 14 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Без галогенов | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4,5 В | 0,65 мм | 74HC30 | 14 | 6В | 2В | НЕ УКАЗАН | 1 | Ворота | 2/6 В | Не квалифицированный | ХК/УГ | 50пФ | NAND | 30 нс | 2мкА | 5,2 мА 5,2 мА | 8 | И-НЕ-ворота | 0,004 А | 53 нс | НЕТ | 30 нс при 6 В, 50 пФ | 0,5 В ~ 1,8 В | 1,5 В ~ 4,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVC2G38GM,125 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ЛВК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,5 мм | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-74lvc2g38gf115-datasheets-7849.pdf | 8-XFQFN Открытая площадка | 8 | 20 недель | 8 | Золото | Нет | 2 | е4 | Открытый слив | 1,65 В~5,5 В | КВАД | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | 74LVC2G38 | 8 | 5,5 В | 30 | ЛВК/LCX/Z | NAND | 1,5 нс | 1 | 40 мкА | - 32 мА | 2 | И-НЕ-ворота | 3,3 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | 0,7 В ~ 0,8 В | 1,7 В ~ 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVT08PW,112 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ЛВТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-74lvt08pw118-datasheets-4890.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 3,3 В | 14 | 4 недели | 14 | Золото | Нет | 4 | е4 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 74LVT08 | 14 | 3,6 В | 30 | ЛВТ | 3 нс | И | 3,4 нс | 1 | 2мА | 20 мА 32 мА | 2 | 4 | И Ворота | 3,4 нс при 3,3 В, 50 пФ | 0,8 В | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7УЛ1Г08ФС,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 7UL | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-7ul1g08fslf-datasheets-5579.pdf | СОТ-953 | 12 недель | 0,9 В~3,6 В | 1 | 8мА 8мА | 2 | И Ворота | 4,4 нс при 3,6 В, 30 пФ | 1 мкА | 0,1 В ~ 0,4 В | 0,75 В ~ 2,48 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7УЛ1Г86ФУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 7UL | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-7ul1g86fulf-datasheets-5070.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 12 недель | 0,9 В~3,6 В | 1 | 8мА 8мА | 2 | XOR (исключающее ИЛИ) | 4,4 нс при 3,3 В, 30 пФ | 1 мкА | 0,1 В ~ 0,4 В | 0,75 В ~ 2,48 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7УЛ1Г02ФС,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 7UL | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-7ul1g02fslf-datasheets-5560.pdf | СОТ-953 | 12 недель | 0,9 В~3,6 В | 1 | 8мА 8мА | 2 | НО-ворота | 4,4 нс при 3,6 В, 30 пФ | 1 мкА | 0,1 В ~ 0,4 В | 0,75 В ~ 2,48 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ЛВК1Г11ГМ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ЛВК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-74lvc1g11gw125-datasheets-5670.pdf | 6-XFDFN | Без свинца | 6 | 13 недель | 6 | Олово | Нет | 1 | е3 | 250 мВт | 1,65 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | 74LVC1G11 | 6 | 30 | ЛВК/LCX/Z | 5,5 В | 50 мА | И | 1,9 нс | 200 мкА | 32 мА 32 мА | 3 | 1 | И Ворота | 3,5 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | 0,7 В ~ 0,8 В | 1,7 В ~ 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7УЛ1Г04ФУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 7UL | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-7ul1g04fulf-datasheets-5649.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2 мм | 5 | 12 недель | 1 | ДА | 0,9 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,65 мм | 3,6 В | 0,9 В | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г5 | 7UL | 8мА 8мА | 1 | Инвертор | 56 нс | 4,4 нс при 3,3 В, 30 пФ | 1 мкА | 0,1 В ~ 0,4 В | 0,75 В ~ 2,48 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЛ17СГ04ДФТ2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МиниВорота™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nl17sg04p5t5g-datasheets-7859.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2 мм | Без свинца | 5 | 4 недели | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е3 | Олово (Вс) | 0,9 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В | 5 | 3,6 В | 0,9 В | Ворота | 1 | 30пФ | 4,4 нс | 500нА | 8мА 8мА | Инвертор | 0,0003 А | НЕТ | 4,4 нс при 3,3 В, 30 пФ | 0,7 В ~ 0,8 В | 1,7 В ~ 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC74HC86ADTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74HC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc74hc86adg-datasheets-0665.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | Без свинца | 14 | 45 недель | Нет СВХК | 14 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | Золото | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 4 | е4 | Без галогенов | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,65 мм | 74HC86 | 14 | 6В | 2В | 40 | 4 | Ворота | ХК/УГ | 100 нс | 50пФ | спасающее ИЛИ | 17 нс | 1 | 1 мкА | 5,2 мА 5,2 мА | 2 | XOR (исключающее ИЛИ) | НЕТ | 17 нс при 6 В, 50 пФ | 0,5 В ~ 1,8 В | 1,5 В ~ 4,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NC7ST86M5X | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 7СТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | СК-74А, СОТ-753 | 3 мм | 1,25 мм | 1,7 мм | 5В | Без свинца | 5 | 4 недели | 30мг | Нет СВХК | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е3 | Олово (Вс) | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 7СТ86 | Ворота | 5В | ХСТ/Т | 2мА | 29 нс | ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ | 19 нс | 1 мкА | 2мА 2мА | 2 | 1 | XOR (исключающее ИЛИ) | 33 нс | НЕТ | 28 нс при 5,5 В, 50 пФ | 0,8 В | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC27FT | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ВХК | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-74vhc27ft-datasheets-5477.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 14 | 12 недель | 3 | ДА | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,65 мм | 5,5 В | 2В | НЕ УКАЗАН | 3 | Р-ПДСО-Г14 | АХК/ВХК/Х/У/В | АЭК-Q100 | 8мА 8мА | 3 | НО-ворота | 15,5 нс | 7,9 нс при 5 В, 50 пФ | 2мкА | 0,1 В ~ 36 В | 2 В ~ 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74HC03D,653 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74HC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-74hct03d652-datasheets-8124.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,9 мм | 5В | Без свинца | 14 | 4 недели | Нет СВХК | 14 | Нет | 4 | е4 | Открытый слив | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 6В | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 74HC03 | 14 | ХК/УГ | 5,2 мА | 8 нс | NAND | 16 нс | 1 | 2мкА | - 5,2 мА | 8 | 2 | 4 | И-НЕ-ворота | 16 нс при 6 В, 50 пФ | 0,5 В ~ 1,8 В | 1,5 В ~ 4,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVC2G04GW-Q100H | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, 74LVC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-74lvc2g04gwq100h-datasheets-5243.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 4 недели | Олово | 2 | 1,65 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,8 В | 0,65 мм | 6 | 5,5 В | 1,65 В | 2 | Р-ПДСО-Г6 | ЛВК/LCX/Z | 3,2 нс | 10 мкА | 32 мА 32 мА | 1 | Инвертор | 3,2 нс при 5 В, 50 пФ | 0,7 В ~ 0,8 В | 1,7 В ~ 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7УЛ1Г08ФУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 7UL | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-7ul1g08fulf-datasheets-5219.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 12 недель | 0,9 В~3,6 В | 1 | 8мА 8мА | 2 | И Ворота | 4,4 нс при 3,3 В, 30 пФ | 1 мкА | 0,1 В ~ 0,4 В | 0,75 В ~ 2,48 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ЛВК1Г11ГМ,132 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ЛВК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-74lvc1g11gw125-datasheets-5670.pdf | 6-XFDFN | 6 | 13 недель | 6 | Олово | Нет | 1 | е3 | 1,65 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | 74LVC1G11 | 6 | 5,5 В | 30 | ЛВК/LCX/Z | 3 нс | И | 1,9 нс | 200 мкА | 32 мА 32 мА | 3 | 1 | И Ворота | 3,5 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | 0,7 В ~ 0,8 В | 1,7 В ~ 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NC7ST02M5X | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 7СТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | СК-74А, СОТ-753 | 5В | Без свинца | 5 | 4 недели | 30мг | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е3 | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 7ST02 | Ворота | 5В | ХСТ/Т | 27 нс | НИ | 17 нс | 1 мкА | 2мА 2мА | 2 | 1 | НО-ворота | НЕТ | 26 нс при 5,5 В, 50 пФ | 0,8 В | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7УЛ1Г32ФС,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 7UL | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-7ul1g32fslf-datasheets-5360.pdf | СОТ-953 | 12 недель | 0,9 В~3,6 В | 1 | 8мА 8мА | 2 | ИЛИ Ворота | 4,4 нс при 3,6 В, 30 пФ | 1 мкА | 0,1 В ~ 0,4 В | 0,75 В ~ 2,48 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74АУП1Г04ГС,125 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74АУП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-74aup1g04gw125-datasheets-7339.pdf | 5-XFDFN | 0,8 мм | 0,8 мм | 5 | 13 недель | 5 | Олово | 1 | е3 | 0,8 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,1 В | 0,48 мм | 74АУП1Г04 | 5 | 3,6 В | 0,8 В | 1 | АУП/УЛП/В | 500нА | 4мА 4мА | Инвертор | 20,9 нс | 5,4 нс при 3,3 В, 30 пФ | 0,7 В ~ 0,9 В | 1,6 В ~ 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVC1G04GS,132 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ЛВК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-74lvc1g04gw125-datasheets-5783.pdf | 6-XFDFN | 6,5 В | 6 | 13 недель | 6 | 5,5 В | 1,65 В | 1 | е3 | Олово (Вс) | 1,65 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,35 мм | 74LVC1G04 | НЕ УКАЗАН | 1 | ЛВК/LCX/Z | Буфер, Инвертор | 1,6 нс | 200 мкА | 32 мА 32 мА | Инвертор | 3,7 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | 0,7 В ~ 0,8 В | 1,7 В ~ 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7УЛ1Т02ФУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 7UL | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-7ul1t02fulf-datasheets-5319.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 12 недель | 2,3 В~3,6 В | 1 | 8мА 8мА | 2 | НО-ворота | 4,4 нс при 3,3 В, 15 пФ | 1 мкА | 0,1 В ~ 0,4 В | 2,2 В ~ 2,48 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74AHC1G09GW-Q100H | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74АХК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nexperiausainc-74ahc1g09gwq100h-datasheets-5123.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 5 | 4 недели | Нет | 1 | е3 | Открытый слив | Олово (Вс) | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 74AHC1G09 | 5 | 5,5 В | 2В | 30 | 1 | Р-ПДСО-Г5 | АХК/ВХК/Х/У/В | 25 мА | И | 1 мкА | - 8мА | 2 | И Ворота | 7,5 нс при 5 В, 50 пФ | 0,5 В ~ 1,65 В | 1,5 В ~ 3,85 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ЛВЦ2Г14ГМ,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ЛВК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,5 мм | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-74lvc2g14gw125-datasheets-3459.pdf | 6-XFDFN | 1,45 мм | 1 мм | 5В | Без свинца | 6 | 13 недель | 6 | Олово | Нет | 2 | е3 | Триггер Шмитта | 1,65 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | 74LVC2G14 | 6 | 30 | 2 | ЛВК/LCX/Z | 12 нс | Буфер, инвертор, триггер Шмитта | 2,7 нс | 40 мкА | 32 мА 32 мА | Инвертор | 4,3 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | 0,25 В ~ 1,2 В | 1,5 В ~ 3,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7УЛ1Г32ФУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 7UL | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-7ul1g32fulf-datasheets-5102.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 12 недель | 0,9 В~3,6 В | 1 | 8мА 8мА | 2 | ИЛИ Ворота | 4,4 нс при 3,3 В, 30 пФ | 1 мкА | 0,1 В ~ 0,4 В | 0,75 В ~ 2,48 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7УЛ1Т08ФУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 7UL | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-7ul1t08fulf-datasheets-5366.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 12 недель | 2,3 В~3,6 В | 1 | 8мА 8мА | 2 | И Ворота | 4,4 нс при 3,3 В, 15 пФ | 1 мкА | 0,1 В ~ 0,4 В | 2,2 В ~ 2,48 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74AHC1G32DCK3 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74АХК | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | 5 | 6 недель | 5 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 900 мкм | 1 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 74AHC1G32 | 2В | 1 | АХК/ВХК/Х/У/В | 8мА 8мА | 2 | ИЛИ Ворота | 0,008 А | 7,5 нс при 5 В, 50 пФ | 1 мкА | 0,5 В ~ 1,65 В | 1,5 В ~ 3,85 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЛ17СГ00ДФТ2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МиниВорота™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nl17sg00dft2g-datasheets-5232.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | Без свинца | 5 | 20 недель | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1 | е3 | Олово (Вс) | 0,9 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В | 5 | 3,6 В | 0,9 В | 1 | NAND | 4,9 нс | 500нА | 8мА 8мА | 2 | И-НЕ-ворота | 4,9 нс при 3,3 В, 30 пФ | 0,7 В ~ 0,8 В | 1,7 В ~ 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NC7ST00P5X | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 7СТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2 мм | 900 мкм | 1,25 мм | 5В | Без свинца | 5 | 9 недель | 70 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е3 | Олово (Вс) | 5В | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,65 мм | 7ST00 | Ворота | 5В | Р-ПДСО-Г5 | ХСТ/Т | 17 нс | 50пФ | NAND | 26 нс | 1 мкА | 2мА 2мА | 2 | 1 | И-НЕ-ворота | НЕТ | 26 нс при 5,5 В, 50 пФ | 0,8 В | 2В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.