Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМногофункциональные ворота и инверторы(1317)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Способ упаковки | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Тип выхода | Включить время задержки | Эмкость нагрузки | Логическая функция | Задержка распространения | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Сегодняшний день | Ток — выходной высокий, низкий | Количество входов | Выходные характеристики | Количество ворот | Максимальный ток источника питания (ICC) | Тип логики | Макс I(ол) | Опора Delay@Nom-Sup | Вход триггера Шмитта |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SY100E404JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e404jztr-datasheets-4764.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100E404 | 4 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | 8 входов (2, 2, 2, 2) | И/НЕ-ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP01DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep01dg-datasheets-1715.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 8 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 10EP01 | 8 | 5,5 В | 3В | 40 | Ворота | 10Е | 50 мА | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 330 пс. | 2 | -50 мА | 50 мА | 4 | 1 | ИЛИ/ИЛИ ворота | 0,35 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||
| SY100E107JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e107jz-datasheets-4809.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100Е107 | 5 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | 10 входов (2, 2, 2, 2, 2) | Ворота резервного ИЛИ/выключающее ИЛИ | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E104JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e104jytr-datasheets-4770.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 10E104 | 5 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | 10 входов (2, 2, 2, 2, 2) | И/НЕ-ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL01ZG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el01zg-datasheets-4873.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | -5,5 В | -4,2 В | 8 | 4,2 В~5,5 В | 100EL01 | 1 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 330 пс. | 2 | 4 | 1 | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL04DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100el04dg-datasheets-1825.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 8 | да | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 10EL04 | 8 | 5,7 В | 40 | Ворота | 50 мА | Дифференциальный | И, НЕ-НЕ | 370 пс. | -50 мА | 50 мА | 2 | 1 | И/НЕ-ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL04ZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el04zgtr-datasheets-4721.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,2 В~5,5 В | 100EL04 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | 2 | И/НЕ-ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100S317FC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100С | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 24-CQПлоская упаковка, Cerpack | 4,2 В~5,5 В | 100С317 | 3 | Дифференциальный | 12 входов (4, 4, 4) | И/ИЛИ ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL05ZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el05zg-datasheets-4744.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,2 В~5,5 В | 100EL05 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | 2 входа (1, 1) | И/НЕ-ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL04ZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el04zgtr-datasheets-4721.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,2 В~5,5 В | 100EL04 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | 2 | И/НЕ-ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL04ZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el04zgtr-datasheets-4721.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,2 В~5,5 В | 100EL04 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | 2 | И/НЕ-ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E107JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e107jz-datasheets-4809.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100Е107 | 5 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | 10 входов (2, 2, 2, 2, 2) | Ворота резервного ИЛИ/выключающее ИЛИ | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74LVC1G98YEPR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ЛВК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,5 мм | Соответствует ROHS3 | 6-XFBGA, ДСБГА | 0,9 мм | Содержит свинец | 6 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 1,65 В~5,5 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,8 В | 0,5 мм | 74LVC1G98 | 6 | 5,5 В | Ворота | 1 | Р-XBGA-B6 | ЛВК/LCX/Z | Односторонний | 50пФ | 32 мА 32 мА | 3 | Настраиваемая множественная функция | 0,024 А | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP01DG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep01dg-datasheets-1715.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | 8 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | 2,48 В | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 10EP01 | 8 | 5,5 В | 3В | 40 | Ворота | 10Е | 50 мА | Дифференциальный | 350 пс | НЕТ, ИЛИ | 330 пс. | 2 | -50 мА | 50 мА | 4 | 1 | ИЛИ/ИЛИ ворота | 0,35 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||
| MC100EP105FAR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | ОКУ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep105mng-datasheets-4959.pdf | 32-LQFP | 7 мм | 7 мм | Без свинца | 32 | 5 недель | 32 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | ЛЕНТА И КАТУШКА | 4 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3В~5,5В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 100EP105 | 32 | 5,5 В | 3В | 40 | Ворота | Дифференциальный | И, НЕ-НЕ | 350 пс | 2 | -50 мА | 50 мА | 8 входов (2, 2, 2, 2) | 4 | 75 мА | И/НЕ-ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||
| SY100EL01ZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el01zg-datasheets-4873.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,2 В~5,5 В | 100EL01 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | 4 | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL05ZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el05zg-datasheets-4744.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,2 В~5,5 В | 100EL05 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | 2 входа (1, 1) | И/НЕ-ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100LVEL01DG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 УРОВЕЛЕЙ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvel01dtr2-datasheets-4320.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 4 недели | 8 | да | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3В~3,8В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 100LVEL01 | 8 | 3В | 40 | Ворота | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 470 пс. | 2 | -50 мА | 50 мА | 4 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E101JI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100E101 | 4 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | 16 входов (4, 4, 4, 4) | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP01D | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep01dg-datasheets-1715.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 100EP01 | 8 | 5,5 В | 3В | 30 | Ворота | 1 | Р-ПДСО-Г8 | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 330 пс. | -50 мА | 50 мА | 26 мА | 4 | 38мА | ИЛИ/ИЛИ ворота | 0,35 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||
| SY100S301FC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100С | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 24-CQПлоская упаковка, Cerpack | 4,2 В~5,5 В | 100С301 | 3 | 24-CerPack | Дифференциальный | 15 входов (5, 5, 5) | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НБСГ86АМНР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-nbsg86amng-datasheets-1037.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 16 | 12 недель | 16 | да | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | Без галогенов | 2375~3465В | КВАД | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | НБСГ86А | 16 | 3,465 В | 40 | 1 | Ворота | 2 | 86 | Дифференциальный | Многофункциональный | 215 пс. | -25 мА | 25 мА | 39мА | Настраиваемая множественная функция | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL01DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100el01dtr2-datasheets-4268.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 8 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 10EL01 | 8 | 5,7 В | 40 | Ворота | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 330 пс. | 2 | -50 мА | 50 мА | 4 | 1 | ИЛИ/ИЛИ ворота | 0,37 нс | Нет | ||||||||||||||||||||||||||
| SY100E404JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e404jztr-datasheets-4764.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100E404 | 4 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | 8 входов (2, 2, 2, 2) | И/НЕ-ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL07DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc100el07dtr2-datasheets-4365.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 10EL07 | 8 | 5,7 В | 40 | Ворота | Дифференциальный | ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ | 395 пс. | -50 мА | 50 мА | 2 | 1 | Ворота резервного ИЛИ/выключающее ИЛИ | 0,435 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E104JI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e104jytr-datasheets-4770.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100E104 | 5 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | 10 входов (2, 2, 2, 2, 2) | И/НЕ-ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E101JI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100E101 | 4 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | 16 входов (4, 4, 4, 4) | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL01ZC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el01zg-datasheets-4873.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,2 В~5,5 В | 100EL01 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | 4 | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL01ZG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el01zg-datasheets-4873.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | -5,5 В | -4,2 В | 8 | Нет | 4,2 В~5,5 В | 100EL01 | 1 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 330 пс. | 2 | 4 | 1 | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL05ZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el05zg-datasheets-4744.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,2 В~5,5 В | 100EL05 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | 2 входа (1, 1) | И/НЕ-ворота | Нет |
