Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМногофункциональные ворота и инверторы(1317)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | Дополнительная функция | Способ упаковки | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Выходной ток | Тип выхода | Включить время задержки | Эмкость нагрузки | Логическая функция | Задержка распространения | Количество выходов | Количество бит на элементе | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Сегодняшний день | Ток — выходной высокий, низкий | Количество входных строк | Количество входов | Выходные характеристики | Количество ворот | Количество выходных линий | Максимальный ток источника питания (ICC) | Тип логики | Макс I(ол) | Тип управления | Опора Delay@Nom-Sup | Задержка распространения (tpd) | Вход триггера Шмитта |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SY100E404JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e404jztr-datasheets-4764.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100E404 | 4 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | 8 входов (2, 2, 2, 2) | И/НЕ-ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL05DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100el05dg-datasheets-1861.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,1 мм | 1,05 мм | 3,1 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 100EL05 | 8 | 5,7 В | 40 | Ворота | -4,5 В | Дифференциальный | 275 пс. | И, НЕ-НЕ | 390 пс. | 2 | -50 мА | 50 мА | 4 входа (2, 2) | 1 | И/НЕ-ворота | 0,44 нс | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL12DG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100el12dr2-datasheets-4346.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,9 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 8 | да | 1 | 4,19 В | 14 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 10ЭЛ12 | 8 | 5,7 В | 40 | 1 | Другие логические ИС | -5,2 В | 4 | Дифференциальный | Буфер, инвертирование, НО, ИЛИ | 450 пс | -50 мА | 50 мА | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL05DT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el05dg-datasheets-1861.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 10EL05 | 8 | 5,7 В | 4,2 В | 30 | Ворота | -5,2 В | 1 | С-ПДСО-G8 | Дифференциальный | И, НЕ-НЕ | 390 пс. | -50 мА | 50 мА | 18 мА | 4 входа (2, 2) | 22 мА | И/НЕ-ворота | 0,44 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL12DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el12dr2-datasheets-4346.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 10ЭЛ12 | 8 | 5,7 В | 40 | 1 | Другие логические ИС | -5,2 В | 4 | Дифференциальный | Буфер, инвертирование, НО, ИЛИ | 450 пс | -50 мА | 50 мА | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100LVEL12DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 УРОВЕЛЕЙ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvel12dtr2g-datasheets-4352.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | -3В~-3,8В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100УРОВЕНЬ12 | 8 | 3В | 40 | 1 | Другие логические ИС | +-3,3 В | Дифференциальный | Буфер, инвертирование, НО, ИЛИ | 580 пс. | 4 | -50 мА | 50 мА | 2 | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74HC58D,653 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74HC | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-74hc58d652-datasheets-7494.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 14-СО | Односторонний | 10 входов (3, 3, 2, 2) | И/ИЛИ ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP101FAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | ОКУ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10ep101mng-datasheets-4478.pdf | 32-LQFP | 7 мм | 7 мм | Без свинца | 32 | 14 недель | 32 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | 4 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3В~5,5В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 10EP101 | 32 | 5,5 В | 3В | 40 | Ворота | 10Е | 50 мА | Дифференциальный | 420 пс | НЕТ, ИЛИ | 370 пс. | 2 | -50 мА | 50 мА | 16 входов (4, 4, 4, 4) | 4 | 75 мА | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НБСГ86АМН | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-nbsg86abahtbg-datasheets-5102.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 16 | 16 | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е0 | 2375~3465В | КВАД | 240 | 2,5 В | 0,5 мм | НБСГ86А | 16 | 3,465 В | 30 | Ворота | 2 | 86 | Дифференциальный | 215 пс. | -25 мА | 25 мА | 1 | 39мА | Настраиваемая множественная функция | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL04DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mc100el04dg-datasheets-1825.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 100EL04 | 8 | 5,7 В | 40 | Ворота | -4,5 В | 50 мА | Дифференциальный | И, НЕ-НЕ | 370 пс. | -50 мА | 50 мА | 2 | 1 | И/НЕ-ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL05DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100el05dg-datasheets-1861.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 10EL05 | 8 | 5,7 В | 40 | Ворота | Дифференциальный | И, НЕ-НЕ | 390 пс. | 2 | -50 мА | 50 мА | 4 входа (2, 2) | 1 | И/НЕ-ворота | 0,44 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100LVEL12DG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 УРОВЕЛЕЙ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvel12dtr2g-datasheets-4352.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 5 недель | 8 | да | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | -3В~-3,8В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 100УРОВЕНЬ12 | 8 | 3В | 40 | 1 | Другие логические ИС | +-3,3 В | Дифференциальный | Буфер, инвертирование, НО, ИЛИ | 580 пс. | 4 | -50 мА | 50 мА | 2 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL01ZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10el01zg-datasheets-4873.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,2 В~5,5 В | 100EL01 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | 4 | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100LVEL05DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 УРОВЕЛЕЙ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvel05dtr2-datasheets-4326.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 4 недели | 8 | да | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3В~3,8В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100LVEL05 | 8 | 3В | 40 | Ворота | -4,5 В | Дифференциальный | 450 пс | И, НЕ-НЕ | 450 пс | 2 | -50 мА | 50 мА | 2 входа (1, 1) | 1 | И/НЕ-ворота | 0,45 нс | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL04DT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mc100el04dg-datasheets-1825.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е0 | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 10EL04 | 8 | 5,7 В | 30 | Ворота | Дифференциальный | И, НЕ-НЕ | 370 пс. | -50 мА | 50 мА | 14 мА | 2 | 1 | И/НЕ-ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL12DG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el12dr2-datasheets-4346.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | 1 | е3 | Олово (Вс) | -4,2 В~-5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 100EL12 | 8 | 5,7 В | 40 | 1 | Другие логические ИС | 4 | Дифференциальный | 500 пс | Буфер, инвертирование, НО, ИЛИ | 450 пс | -50 мА | 50 мА | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY58051UMG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SY58 | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/microchiptechnology-sy58051umgtr-datasheets-4868.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка, 16-MLF® | 2,3 В~3,6 В | 58051 | 1 | 16-МЛФ® (3х3) | Дифференциальный | 2 | Настраиваемая множественная функция | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL07DT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc100el07dtr2-datasheets-4365.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е0 | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 10EL07 | 8 | 5,7 В | 30 | Ворота | 1 | Дифференциальный | ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ | 395 пс. | -50 мА | 50 мА | 14 мА | 2 | Ворота резервного ИЛИ/выключающее ИЛИ | 0,435 нс | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НБСГ86АМНР2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-nbsg86abahtbg-datasheets-5102.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 16 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | 2375~3465В | КВАД | 240 | 2,5 В | 0,5 мм | НБСГ86А | 16 | 3,465 В | 30 | Ворота | 2 | 86 | Дифференциальный | 215 пс. | -25 мА | 25 мА | 1 | 39мА | Настраиваемая множественная функция | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL07DG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el07dtr2-datasheets-4365.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 8 | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 100EL07 | 8 | 5,7 В | Ворота | -4,5 В | Дифференциальный | 435 пс. | ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ | 395 пс. | -50 мА | 50 мА | 2 | 1 | Ворота резервного ИЛИ/выключающее ИЛИ | 0,435 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74LVC1G3208DBVT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ЛВК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | СОТ-23-6 | 2,9 мм | 1,45 мм | 1,6 мм | 3,3 В | Без свинца | 6 | 6 недель | 6,492041мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1,2 мм | ТР | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,65 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,95 мм | 74LVC1G3208 | 6 | 5,5 В | 1 | Ворота | ЛВК/LCX/Z | 32 мА | 32 мА | Односторонний | 50пФ | И, ИЛИ | 5,9 нс | 10 мкА | 32 мА 32 мА | 3 | 3 входа (2, 1) | И/ИЛИ ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74LV8151NT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ЛВ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 24-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 24 | Нет СВХК | 24 | да | 2 | ОДИН ТРИГГЕР ШМИТТА ИНВЕРТОР, ОДИН ТРИГГЕР ШМИТТА БУФЕР | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | 2,5 В | 2,54 мм | 74LV8151 | 24 | 5,5 В | 2В | Водитель автобуса/трансиверы | 1 | НВ/ЛВ-А/LVX/Ч | Односторонний | 58 нс | 50пФ | Буфер, триггер Шмитта | 28 нс | 8 | 20 мкА | 12 мА 12 мА | 10 | 3 | Буфер/Инвертор | 0,006 А | ВКЛЮЧИТЬ НИЗКИЙ | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74АУП3Г3404ДЧ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74АУП | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-74aup3g3404gdh-datasheets-6395.pdf | 8-ВФСОП (ширина 0,091, 2,30 мм) | 8 недель | 3,6 В | 800мВ | 8 | 0,8 В~3,6 В | 74АУП3Г3404 | 3 | 3 | 8-ВССОП | Односторонний | Инвертор | 20,9 нс | -4мА | 4мА | 500нА | 4мА 4мА | 3 входа (2, 1) | Буфер/Инвертор | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL01DT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el01dtr2-datasheets-4268.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е0 | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 100EL01 | 8 | 5,7 В | 30 | Ворота | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 330 пс. | 2 | -50 мА | 50 мА | 14 мА | 4 | 1 | ИЛИ/ИЛИ ворота | 0,37 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP05DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep05dtg-datasheets-1103.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 4 недели | Нет СВХК | 8 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 10EP05 | 8 | 5,5 В | 3В | 40 | Ворота | 10Е | 50 мА | Дифференциальный | И, НЕ-НЕ | 270 пс | 2 | -50 мА | 50 мА | 2 входа (1, 1) | 1 | И/НЕ-ворота | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP101FAR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | ОКУ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10ep101mng-datasheets-4478.pdf | 32-LQFP | 7 мм | 7 мм | Без свинца | 32 | 32 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3 В до -5,5 В. | ЛЕНТА И КАТУШКА | 4 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3В~5,5В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 10EP101 | 32 | 5,5 В | 3В | 40 | Ворота | 10Е | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 370 пс. | 2 | -50 мА | 50 мА | 16 входов (4, 4, 4, 4) | 4 | 75 мА | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL01DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100el01dtr2-datasheets-4268.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 100EL01 | 8 | 5,7 В | 40 | Ворота | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 330 пс. | 2 | -50 мА | 50 мА | 4 | 1 | ИЛИ/ИЛИ ворота | 0,37 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL07DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100el07dtr2-datasheets-4365.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 100EL07 | 8 | 5,7 В | 40 | Ворота | -4,5 В | Дифференциальный | ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ | 395 пс. | -50 мА | 50 мА | 2 | 1 | Ворота резервного ИЛИ/выключающее ИЛИ | 0,435 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХЕФ4000БТ,652 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4000Б | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/nxpusainc-hef4000bp652-datasheets-7559.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | 14 | СМЕШАННЫЙ С 1 ИНВЕРТОРОМ | 2 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | 3В~15В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 4000 | 14 | 15 В | 3В | 30 | Ворота | 5/15 В | 2 | Р-ПДСО-Г14 | Односторонний | 50пФ | 3мА 3мА | 7 входов (3, 3, 1) | НО/ИНВЕРТ-ворота | 0,00036 А | 140 нс | 140 нс | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100LVEL01D | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 УРОВЕЛЕЙ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100lvel01dtr2-datasheets-4320.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3,0 В до -3,8 В. | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3В~3,8В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 100LVEL01 | 8 | 3,8 В | 3В | 30 | Ворота | -3,3 В | 1 | Р-ПДСО-Г8 | Дифференциальный | НЕТ, ИЛИ | 470 пс. | -50 мА | 50 мА | 15 мА | 4 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 22 мА | ИЛИ/ИЛИ ворота | Нет |
