| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Выходная полярность | Поставщик пакета оборудования | Количество битов | Схема | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Логическая функция | Задержка распространения | Тип поставки | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Сегодняшний день | Ток — выходной высокий, низкий | Количество входных строк | Количество входов | Выходные характеристики | Независимые схемы | Количество выходных линий | Источник напряжения питания |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SY100E163JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e163jc-datasheets-3143.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100E163 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 1 х 8:1 | 1 | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL57ZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/microchiptechnology-sy100el57zg-datasheets-7477.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЭЛ57 | 16-СОИК | 4 х 2:1 | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EP56VK4C | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Дифференциальный цифровой мультиплексор | 100EP | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy100ep56vk4c-datasheets-3181.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | ±3 В~5,5 В | 100EP56 | 20-ЦСОП | 2 х 2:1 | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E167JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/microchiptechnology-sy100e167jc-datasheets-3129.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100E167 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 6 х 2:1 | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E155JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy10e155jctr-datasheets-3182.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 10Э155 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 6 х 2:1 | 1 | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL57LZC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el57lzc-datasheets-7480.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3В~3,8В | 100ЭЛ57 | 16-СОИК | 4 х 2:1 | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74AC251SC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 74AC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74ac251scx-datasheets-7735.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 6В | 2В | 16 | 2В~6В | 74AC251 | 16-СОИК | 1 | 1 х 8:1 | Мукс | 10 нс | Одинокий | 1 | 24 мА | 24 мА | 24 мА 24 мА | 8 | 8 | 1 | 3 | Единая поставка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E256JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e256jc-datasheets-3158.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Э256 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 3 х 4:1 | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E457JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100e457jctr-datasheets-3184.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100E457 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 3 х 2:1 | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL57LZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el57lzc-datasheets-7480.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3В~3,8В | 100ЭЛ57 | 16-СОИК | 4 х 2:1 | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100S363FC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100С | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100s363fc-datasheets-3186.pdf | 24-CQПлоская упаковка, Cerpack | 4,2 В~5,5 В | 100С363 | 24-CerPack | 2 х 8:1 | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E171JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Дифференциальный цифровой мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e171jctr-datasheets-3141.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В -4,2 В~-5,5 В | 100Э171 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 3 х 4:1 | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E158JZ-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e158jc-datasheets-3103.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Э158 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 5 х 2:1 | 1 | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBT3253ADB,112 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор/демультиплексор | 74CBT | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ТТЛ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/nexperiausainc-cbt3253apw118-datasheets-5954.pdf | 16-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,3 мм | 5В | 16 | 8 недель | 10Ом | 16 | Золото | Нет | 1 | е4 | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 74CBT3253 | 16 | 30 | истинный | 2 х 4:1 | 7,2 нс | Демультиплексор, Мультиплексор | 250 пс | Одинокий | 2 | 3 мкА | 8 | 1 | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL57LZI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el57lzc-datasheets-7480.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3В~3,8В | 100ЭЛ57 | 16-СОИК | 4 х 2:1 | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ACT157MTCX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 74АКТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/onsemiconductor-74ac157sj-datasheets-2866.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5В | Без свинца | 16 | 4,5 В~5,5 В | 74АСТ157 | 4 | 4 х 2:1 | ДПСТ | Мукс | 7,5 нс | Одинокий | 24 мА 24 мА | 2 | 8 | 1 | Единая поставка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМ74АЛС253MX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 74АЛС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-dm74als253m-datasheets-2937.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5В | Без свинца | 5,5 В | 4,5 В | 16 | 4,5 В~5,5 В | 74АЛС253 | 16-СОИК | 2 | 2 х 4:1 | 4 тихоокеанского стандартного времени | Мукс | 14 нс | Одинокий | 2 | 24 мА | 2,6 мА | 2,6 мА 24 мА | 1 | 8 | 1 | 4 | Единая поставка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E171JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Дифференциальный цифровой мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100e171jctr-datasheets-3141.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В -4,2 В~-5,5 В | 100Э171 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 3 х 4:1 | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E157JI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e157jctr-datasheets-3096.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Э157 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 1 х 2:1 | 4 | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E163JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e163jc-datasheets-3143.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100E163 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 1 х 8:1 | 1 | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74AC253SC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 74AC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74ac253sjx-datasheets-2886.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 16 | 2В~6В | 74AC253 | 2 | 2 х 4:1 | 4 тихоокеанского стандартного времени | Мукс | 10 нс | Одинокий | 24 мА 24 мА | 4 | 8 | 1 | 3 | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC157SJ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 74ВХК | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-74vhc157mtcx-datasheets-8308.pdf | 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | совместимый | 2В~5,5В | 74VHC157 | 4 х 2:1 | 8мА 8мА | 1 | Единая поставка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМ74АЛС153MX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 74АЛС | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-dm74als153m-datasheets-2911.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,5 В~5,5 В | 74АЛС153 | 16-СОИК | 2 х 4:1 | 2,6 мА 24 мА | 1 | Единая поставка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ACT151MTC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 74АКТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74ac151sj-datasheets-2895.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5В | Без свинца | 16 | Нет | 4,5 В~5,5 В | 74АСТ151 | 1 х 8:1 | Мультиплексор, Мукс | 12,5 нс | Одинокий | 1 | 24 мА 24 мА | 8 | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADG3246БРУЗ-REEL7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Переключатель | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мкА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adg3246bcpz-datasheets-5214.pdf | 24-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 7,8 мм | 4,4 мм | Содержит свинец | 24 | 211,997734мг | 15Ом | 24 | да | 2 | EAR99 | Олово | Нет | 10 | е3 | ДА | 2,5 В 3,3 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | АДГ3246 | 24 | 3,6 В | 2,3 В | 40 | истинный | 10 | 10 х 1:1 | СПСТ | 4,8 нс | 225 пс. | Одинокий | -25 мА | 25 мА | 650 мкА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1 | Единая поставка | ||||||||||||||||||||
| SY100EL56VZI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Дифференциальный цифровой мультиплексор | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100el56vzc-datasheets-6643.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 100ЕЛ56 | 20-СОИК | 2 х 2:1 | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74AC399SC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 74AC | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-74act399sj-datasheets-2876.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2В~6В | 74AC399 | 16-СОИК | 4 х 2:1 | 24 мА 24 мА | 1 | Единая поставка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74VHC139FTELM | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Декодер/демультиплексор | TC74VHC | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc74vhc139ftelm-datasheets-3120.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2В~5,5В | 74VHC139 | 1 х 2:4 | 8мА 8мА | 2 | Единая поставка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E158JZ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e158jc-datasheets-3103.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Э158 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 5 х 2:1 | 1 | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E164JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sy100e164jc-datasheets-3124.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100E164 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 1 х 16:1 | 1 | Единая поставка |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.