Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСпециальные логические ИС(3112)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество приемников | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Максимальный ток питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Количество битов | Дифференциальный выход | Входные характеристики | Тип интерфейса микросхемы | Количество бит-приемника | Выходной ток | Включить время задержки | Логическая функция | Задержка распространения | Минимальное двойное напряжение питания | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Сегодняшний день | Количество передатчиков | Отрицательное напряжение питания-ном. | Число бит драйвера | Стандарт | Задержка передачи-Макс. | Тип триггера | Количество выходных линий | фмакс-мин | Тип логики | Задержка распространения (tpd) | Получить задержку-Макс. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MC14007UBCPG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4000Б | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc14007ubcp-datasheets-0866.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6,35 мм | 6,35 мм | 25,4 мм | Без свинца | 14 | 99 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 18В | 3В | 14 | да | Нет | 3 | е3 | Олово (Вс) | Инвертирование | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В~18В | 2,54 мм | 4007 | 14 | 40 | 1 | Ворота | 10 мА | 125 нс | Инвертор | 125 нс | -4,2 мА | 4,2 мА | 1 мкА | 3 | Дополнительная пара плюс инвертор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ABT899CQC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74АБТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74abt899cqcx-datasheets-1013.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 74АБТ899 | 8 | 1 | 1 | 28-ПЛСС (11,43х11,43) | 9 | 13,5 нс | Трансивер | 4,8 нс | -32 мА | 64 мА | Генератор четности/Проверка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E212JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e212jz-datasheets-3372.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100Э212 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 3 | Сканируемый регистр | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10LVEP16DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvep16dtg-datasheets-2061.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 14 недель | 3,8 В | 2,375 В | 8 | да | EAR99 | Нет | 1 | 28мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,375 В~3,8 В | 0,65 мм | 10LVEP16 | 8 | 40 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | Получатель | 1 | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,32 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ABT899CMSA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74АБТ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-74abt899cqcx-datasheets-1013.pdf | 28-ССОП (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4,5 В~5,5 В | 74АБТ899 | 28-ССОП | 9 | Генератор четности/Проверка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP17DWR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep17dtg-datasheets-2134.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12,8 мм | 7,5 мм | 5,5 В | Без свинца | 20 | 20 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | 4 | 68 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 1,27 мм | 10ЭП17 | 20 | 40 | Линейный водитель или приемники | +-3,3/+-5В | Не квалифицирован | 4 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,3 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,3 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ACT1284SCX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74АКТ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-74act1284msa-datasheets-3180.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,5 В~5,5 В | 74ACT1284 | 20-СОИК | 7 | Трансивер перевода IEEE STD 1284 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E116JC-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e116jy-datasheets-4156.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100Е116 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP16VADG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep16vadg-datasheets-2211.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 5,5 В | 3В | 8 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | 1 | 2,48 В | 40 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 10ЭП16 | 8 | 40 | -5,2 В | Не квалифицирован | 1 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | Получатель | -5,2 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,34 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,34 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E116JY-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e116jy-datasheets-4156.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 11,48 мм | 11,48 мм | 28 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 5 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 4,2 В~5,5 В | 1,27 мм | 100Е116 | 40 | Не квалифицирован | S-PQCC-J28 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ПРИЕМНИК | 5 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NB100LVEP17DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100LVEP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-nb100lvep17mng-datasheets-2274.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 3,8 В | Без свинца | 20 | 4 недели | 20 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С -2,375 В ДО -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | 4 | 40 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,375 В~3,8 В | 0,65 мм | 100LVEP17 | 20 | 40 | Линейный водитель или приемники | Не квалифицирован | 2,5 Гбит/с | 4 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | 250 пс | -4,5 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,325 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,325 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VAKI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP16VSD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep16vsdt-datasheets-0844.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 5В | 3В | 8 | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | Нет | 1 | 44 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В~5,5В | 100EP16 | 8 | 30 | Линейный водитель или приемники | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 1 | И, приемник | 1 | -4,5 В | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник/драйвер | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVX161284МЕАКС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74LVX | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74lvx161284meax-datasheets-1064.pdf | 48-БССОП (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,6 В | Без свинца | 70 мА | Нет СВХК | 3,6 В | 3В | 48 | 1 | да | 70 мА | 3В~3,6В | 74LVX161284 | 8 | 24 мА | Трансивер | 3В | Трансивер перевода IEEE STD 1284 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E116JY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-sy10e116jy-datasheets-4156.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 11,48 мм | 11,48 мм | 5,5 В | Без свинца | 28 | 12 недель | 28 | 5 | EAR99 | 5 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 4,2 В~5,5 В | 1,27 мм | 100Е116 | 40 | Не квалифицирован | Получатель | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP17DWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep17dtg-datasheets-2134.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12,8 мм | 7,5 мм | Без свинца | 20 | 4 недели | 5,5 В | 3В | 20 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | Нет | 4 | 70 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 1,27 мм | 100EP17 | 20 | 40 | Линейный водитель или приемники | +-3,3/+-5В | 4 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,32 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,32 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC161284MTD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ВХК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74vhc161284mtdx-datasheets-4144.pdf | 48-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | Без свинца | 5,5 В | 4,5 В | 48 | 1 | EAR99 | 70 мА | 4,5 В~5,5 В | 74VHC161284 | 8 | Трансивер | Трансивер перевода IEEE STD 1284 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC161284МЕАКС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ВХК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74vhc161284mtdx-datasheets-4144.pdf | 48-БССОП (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 5,5 В | 4,5 В | 48 | 1 | да | 70 мА | 4,5 В~5,5 В | 74VHC161284 | 8 | Трансивер | Трансивер перевода IEEE STD 1284 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E416JI | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e416jy-datasheets-3354.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100Е416 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | 5 | Дифференциальный приемник | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10LVEP16DG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvep16dtg-datasheets-2061.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 4 недели | 3,8 В | 2,375 В | 8 | да | EAR99 | Нет | 1 | 28мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,375 В~3,8 В | 10LVEP16 | 8 | 40 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 50 мА | И, приемник | 1 | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,32 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP16FDG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep16fdtg-datasheets-2393.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 13 недель | 5,5 В | 3В | 8 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | Нет | 1 | 45 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 100EP16 | 8 | 40 | Линейный водитель или приемники | -4,5 В | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 1 | И, приемник | 1 | -4,5 В | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,26 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,26 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC161284MEA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ВХК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74vhc161284mtdx-datasheets-4144.pdf | 48-БССОП (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 70 мА | 5,5 В | 4,5 В | 48 | 1 | да | 70 мА | 4,5 В~5,5 В | 74VHC161284 | 8 | Трансивер | Трансивер перевода IEEE STD 1284 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL16VAZC ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/microchiptechnology-sy100el16vazgtr-datasheets-2150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В 5 В | 100EL16 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL16DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10el16dg-datasheets-2474.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 5,7 В | 4,2 В | 8 | да | EAR99 | РЕЖИМ NECL: VCC=0 VEE=-4,2 ДО -5,7 | Нет | 1 | 22 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4,2 В~5,7 В | 0,65 мм | 10ЭЛ16 | 8 | 40 | +-5В | 1 | ДА | Получатель | -5В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,325 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 100LVEL16M | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 УРОВЕЛЕЙ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | /files/onsemiconductor-100lvel16m-datasheets-1005.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 мм | 2 мм | 8 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -3,8 В В РЕЖИМЕ NECL. | совместимый | 1 | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В~3,8В | 0,5 мм | 100УРОВЕНЬ16 | 8 | 40 | Линейный водитель или приемники | +-3,3 В | 24 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | 1 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ПРИЕМНИК | -3,3 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,375 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP17DT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 68 мА | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep17dtg-datasheets-2134.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 5,5 В | Без свинца | 20 | 190,990737мг | 20 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | Нет | 4 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 0,65 мм | 10ЭП17 | 20 | 40 | Линейный водитель или приемники | 62 мА | 4 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,3 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,3 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E116JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e116jy-datasheets-4156.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100Е116 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТВН16859BS,118 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nxpusainc-sstvn16859bs157-datasheets-1891.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 56 | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 2,3 В~2,7 В | 0,5 мм | 74SSTVN16859 | 56 | истинный | Не квалифицирован | S-PQCC-N56 | 13, 26 | ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ ПРЕИМУЩЕСТВО | 220 МГц | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | 2,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ABT899CQCX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74АБТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74abt899cqcx-datasheets-1013.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 74АБТ899 | 8 | 1 | 1 | 28-ПЛСС (11,43х11,43) | 9 | 13,5 нс | Трансивер | 4,8 нс | -32 мА | 64 мА | Генератор четности/Проверка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74LVCE161284VR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74LVCE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-sn74lvce161284vr-datasheets-0067.pdf | 48-ТФСОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 9,7 мм | 4,4 мм | 3,6 В | Без свинца | 48 | 123,490523мг | 48 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 13 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~3,6В | 0,4 мм | 74LVCE161284 | 48 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 19 | НЕТ | СТАНДАРТ | 84 мА | Трансивер | IEEE-1284 | 30 нс | Трансивер перевода IEEE STD 1284 | 18 нс |
