Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСпециальные логические ИС(3112)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество приемников | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Максимальный ток питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Количество битов | Дифференциальный выход | Входные характеристики | Тип интерфейса микросхемы | Количество бит-приемника | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Логическая функция | Задержка распространения | Минимальное двойное напряжение питания | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Количество передатчиков | Количество входных строк | Отрицательное напряжение питания-ном. | Число бит драйвера | Количество входов | Стандарт | Задержка передачи-Макс. | Количество ворот | Тип триггера | Количество выходных линий | фмакс-мин | Тип логики | Направление счета | Тип триггера по фронту тактового сигнала | Задержка распространения (tpd) | Получить задержку-Макс. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MC14490PG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4000 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 4,5 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nlv14490dwr2g-datasheets-2812.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,55 мм | 3,43 мм | 6,85 мм | Без свинца | 16 | 1,627801г | Нет СВХК | 18В | 3В | 16 | да | EAR99 | Нет | 6 | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В~18В | 2,54 мм | 4490 | 16 | 40 | Другие логические ИС | истинный | 6 | 35 мА | 4 | 17,5 В | 240 нс | 1 | ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ ПРЕИМУЩЕСТВО | 7 | Устранитель отскоков контактов | ВЕРНО | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ABT899CSCX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74АБТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-74abt899cqcx-datasheets-1013.pdf | 28-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 74АБТ899 | 8 | 1 | 1 | 28-СОИК | 9 | 13,5 нс | Трансивер | 4,8 нс | -32 мА | 64 мА | Генератор четности/Проверка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74LVC1404YEPR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ЛВК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,5 мм | Соответствует ROHS3 | 8-XFBGA, ДСБГА | 0,9 мм | 5,5 В | Без свинца | 8 | не_совместимо | 2 | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,65 В~5,5 В | 0,5 мм | 74LVC1404 | 8 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-XBGA-B8 | ЛВК/LCX/Z | 1 | 1 | Драйвер кварцевого генератора | 25,7 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP16TDG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep16tdtg-datasheets-2906.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 5,5 В | 3В | 8 | 1 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | 1 | 39мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 100EP16 | 8 | 40 | Линейный водитель или приемники | -4,5 В | Не квалифицирован | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | -4,5 В | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,3 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,3 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL16DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10el16dg-datasheets-2474.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 5,7 В | 4,2 В | 8 | да | EAR99 | РЕЖИМ NECL: VCC=0 VEE=-4,2 ДО -5,7 | Нет | 1 | 22 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4,2 В~5,7 В | 0,65 мм | 10ЭЛ16 | 8 | 40 | +-5В | 1 | ДА | Получатель | -5В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,325 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 100LVEL16M | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 УРОВЕЛЕЙ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | /files/onsemiconductor-100lvel16m-datasheets-1005.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 мм | 2 мм | 8 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -3,8 В В РЕЖИМЕ NECL. | совместимый | 1 | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В~3,8В | 0,5 мм | 100УРОВЕНЬ16 | 8 | 40 | Линейный водитель или приемники | +-3,3 В | 24 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | 1 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ПРИЕМНИК | -3,3 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,375 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP17DT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 68 мА | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep17dtg-datasheets-2134.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 5,5 В | Без свинца | 20 | 190,990737мг | 20 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | Нет | 4 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 0,65 мм | 10ЭП17 | 20 | 40 | Линейный водитель или приемники | 62 мА | 4 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,3 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,3 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E116JC | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy10e116jy-datasheets-4156.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 4,2 В~5,5 В | 100Е116 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТВН16859BS,118 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nxpusainc-sstvn16859bs157-datasheets-1891.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 56 | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 2,3 В~2,7 В | 0,5 мм | 74SSTVN16859 | 56 | истинный | Не квалифицирован | S-PQCC-N56 | 13, 26 | ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ ПРЕИМУЩЕСТВО | 220 МГц | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | 2,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ABT899CQCX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74АБТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74abt899cqcx-datasheets-1013.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 74АБТ899 | 8 | 1 | 1 | 28-ПЛСС (11,43х11,43) | 9 | 13,5 нс | Трансивер | 4,8 нс | -32 мА | 64 мА | Генератор четности/Проверка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74LVCE161284VR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74LVCE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-sn74lvce161284vr-datasheets-0067.pdf | 48-ТФСОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 9,7 мм | 4,4 мм | 3,6 В | Без свинца | 48 | 123,490523мг | 48 | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | 13 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~3,6В | 0,4 мм | 74LVCE161284 | 48 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 19 | НЕТ | СТАНДАРТ | 84 мА | Трансивер | IEEE-1284 | 30 нс | Трансивер перевода IEEE STD 1284 | 18 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVX161284AMTD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74LVX | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74lvx161284amtd-datasheets-1019.pdf | 48-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 3,6 В | Без свинца | 5,5 В | 3В | 48 | 1 | 70 мА | 3В~3,6В | 74LVX161284 | 48-ЦСОП | 8 | Трансивер | 3В | 1 | Трансивер перевода IEEE STD 1284 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ10ЭЛ16ВЗГ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В 5 В | 10ЭЛ16 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL17DWR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc100el17dwg-datasheets-2846.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12,8 мм | 7,5 мм | 5,7 В | Без свинца | 20 | 7 недель | 20 | да | EAR99 | 4 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4,2 В~5,7 В | 1,27 мм | 100ЭЛ17 | 20 | 40 | Не квалифицирован | 4 | ДА | Получатель | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,55 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10LVEP16D | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 1,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc100lvep16dtg-datasheets-2061.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 3,8 В | 2,375 В | 8 | EAR99 | не_совместимо | 1 | 28мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 2,375 В~3,8 В | 1,27 мм | 10LVEP16 | 8 | 30 | Не квалифицирован | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 1 | И, приемник | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,32 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,32 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74SSTU32864EZKER | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-sn74sstu32864ezker-datasheets-0978.pdf | 96-ЛФБГА | 5,5 мм | Содержит свинец | 96 | 170,01209мг | 1,9 В | 1,7 В | 96 | Нет | 500 МГц | 1 | Неинвертирующий | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,7 В~1,9 В | 0,8 мм | 74ССТУ32864 | 96 | 1 | 25, 14 | Буфер | 2,15 нс | 25 | -8мА | 8мА | Настраиваемый регистровый буфер 1:1, 1:2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СН74ССТУ32864ГКЕР | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | ТТЛ | 500 МГц | Соответствует ROHS3 | 96-ЛФБГА | 5,5 мм | 1,8 В | Содержит свинец | 96 | 1,9 В | 1,7 В | 96 | EAR99 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | НИЖНИЙ | МЯЧ | 220 | 1,7 В~1,9 В | 0,8 мм | 74ССТУ32864 | 96 | 1 | 25, 14 | 3 нс | Буфер | 2,5 нс | -8мА | 8мА | 25 | Настраиваемый регистровый буфер 1:1, 1:2 | Положительное преимущество | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP116FAR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep116mng-datasheets-3511.pdf | 32-LQFP | 7 мм | 7 мм | 5,5 В | Без свинца | 32 | 32 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | 8542.39.00.01 | 6 | 95 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 0,8 мм | 10EP116 | 32 | 40 | Линейный водитель или приемники | -5,2 В | Не квалифицирован | 6 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | -5,2 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,34 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,34 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP116FAR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep116mng-datasheets-3511.pdf | 32-LQFP | 7 мм | 7 мм | 5,5 В | Без свинца | 32 | 5 недель | 32 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | 8542.39.00.01 | 6 | 95 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 0,8 мм | 100EP116 | 32 | 40 | Линейный водитель или приемники | -4,5 В | Не квалифицирован | 6 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | -4,5 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,34 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,34 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP16VAD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep16vadg-datasheets-2211.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 5,5 В | 3В | 8 | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | не_совместимо | 1 | 40 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В~5,5В | 10ЭП16 | 8 | 30 | -5,2 В | Не квалифицирован | 1 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | Получатель | -5,2 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,34 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,34 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74SSTVF16859SR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВФ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 500 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-sn74sstvf16859sr-datasheets-0930.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 56 | 2,7 В | 2,3 В | 56 | нет | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | КВАД | 235 | 2,3 В~2,7 В | 0,5 мм | 74SSTVF16859 | 56 | 1 | Другие логические ИС | 13, 26 | 5 нс | Буфер | 2,2 нс | -16 мА | 16 мА | 13 | 26 | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | Положительное преимущество | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL17DWR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el17dwg-datasheets-2846.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12,8 мм | 7,5 мм | Содержит свинец | 20 | 5,7 В | 4,2 В | 20 | EAR99 | не_совместимо | 4 | 33 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 4,2 В~5,7 В | 1,27 мм | 100ЭЛ17 | 20 | 30 | Не квалифицирован | 4 | ДА | Получатель | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EP16VBDG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep16vbdtg-datasheets-2139.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 5,5 В | 3В | 8 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | Нет | 1 | 52 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В~5,5В | 100EP16 | 8 | 40 | -4,5 В | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | 1 | Получатель | 1 | -4,5 В | 1 | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,4 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,4 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY58602UMI-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SY58 | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microchiptechnology-sy58602umgtr-datasheets-0909.pdf | 8-VFDFN Открытая колодка, 8-MLF® | 3В~3,6В | 58602 | 8-МЛФ® (2х2) | 1 | Дифференциальный приемник | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSTVF16859BS,118 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ССТВФ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nxpusainc-sstvf16859bs151-datasheets-1879.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 56 | 8542.39.00.01 | 1 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,3 В~2,7 В | 0,5 мм | 74SSTVF16859 | 56 | 30 | истинный | Не квалифицирован | S-PQCC-N56 | 13, 26 | ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ ПРЕИМУЩЕСТВО | 210 МГц | Зарегистрированный буфер с совместимым вводом-выводом SSTL_2 для DDR | 2,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100EL16DTG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc10el16dg-datasheets-2474.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 4 недели | 5,7 В | 4,2 В | 8 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | РЕЖИМ NECL: VCC=0 VEE=-4,2 ДО -5,7 | Нет | 1 | 22 мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4,2 В~5,7 В | 0,65 мм | 100EL16 | 8 | 40 | +-5В | 1 | ДА | Получатель | -5В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Дифференциальный приемник | 0,325 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NB100LVEP17DT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100LVEP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nb100lvep17mng-datasheets-2274.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 3,8 В | Без свинца | 20 | 20 | да | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С -2,375 В ДО -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | Нет | 4 | 55 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,375 В~3,8 В | 0,65 мм | 100LVEP17 | 20 | Линейный водитель или приемники | 4 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | -4,5 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,325 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,325 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP16TDT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep16tdtg-datasheets-2906.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | 5,5 В | 3В | 8 | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С ПИТАНИЕМ от -3 В до -5,5 В В РЕЖИМЕ NECL. | не_совместимо | 1 | 31 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3В~5,5В | 0,65 мм | 10ЭП16 | 8 | 30 | Линейный водитель или приемники | -5,2 В | Не квалифицирован | 1 | ДА | ЛИНЕЙНЫЙ ТРАНСИВЕР | И, приемник | -5,2 В | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | 0,3 нс | Дифференциальный приемник/драйвер | 0,3 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74SSTU32866GKER | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ТТЛ | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-sn74sstu32866gker-datasheets-0957.pdf | 96-ЛФБГА | 5,5 мм | Содержит свинец | 96 | 1,9 В | 96 | Нет | 500 МГц | 1 | Неинвертирующий | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,7 В~1,9 В | 0,8 мм | 74ССТУ32866 | 96 | Другие логические ИС | 1 | 25, 14 | Буфер | 2,5 нс | -8мА | 8мА | 25 | ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ ПРЕИМУЩЕСТВО | Настраиваемый регистровый буфер 1:1, 1:2 с контролем четности | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74SSTU32864DGKER | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 500 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-sn74sstu32864dgker-datasheets-0883.pdf | 96-ЛФБГА | 5,5 мм | 1,8 В | Содержит свинец | 96 | 1,9 В | 1,7 В | 96 | нет | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | НИЖНИЙ | МЯЧ | 220 | 1,7 В~1,9 В | 0,8 мм | 74ССТУ32864 | 96 | 1 | 25, 14 | 3 нс | Буфер | 2,15 нс | -8мА | 8мА | 25 | Настраиваемый регистровый буфер 1:1, 1:2 | Положительное преимущество |
