Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Форма | Глубина | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Минимальное входное напряжение | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Направление | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток – пиковый выход | Обратное напряжение (постоянный ток) | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Выходной ток на канале | Напряжение питания1-ном. | Напряжение питания1-мин. | Драйвер верхней стороны | Коэффициент гистерезиса-ном. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ACPL-K33T-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, R²Coupler™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,268, 6,81 мм) | 30 В | 26 недель | ЦГА, УР | 1 | 8-СО Растянутый | 2,5 А | 1,5 В | 120 нс | 2А | 2А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 2А 2А | 15 нс 15 нс | 20 мА | 120 нс, 120 нс | 50 кВ/мкс | 40 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | 40 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-K312-500E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,268, 6,81 мм) | 22 недели | ЦГА, УР | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 30 В | 1 | 5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 2,5 А | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 500 нс | 500 нс | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | 1,4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОД3120АД | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vod3120ad-datasheets-0369.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 14 недель | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | 8-ДИП | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 2,5 А | 35 нс 35 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 35кВ/мкс | 70нс | 15 В~30 В | 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОД3120АГ-В | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vod3120ad-datasheets-0369.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 14 недель | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | 8-ДИП | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 2,5 А | 35 нс 35 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 35кВ/мкс | 70нс | 15 В~30 В | 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО3150А | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | $4,45 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 110°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3150ax007t-datasheets-9130.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 мА | Без свинца | 6 недель | КУР, УР | Нет СВХК | 8 | 295мВт | 1 | 8-ДИП | 500 мА | 500мВ | 500мВ | 500 мА | 25 мА | 1,3 В | 400 нс | 100 нс | 100 нс | 400 нс | 500 мА | 500 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,3 В | 500 мА 500 мА | 100 нс 100 нс | 25 мА | 400 нс, 400 нс | 25кВ/мкс | 200 нс | 15 В~32 В | 500 мА | 5В | 200 нс | 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОД3120АГ | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vod3120ad-datasheets-0369.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 14 недель | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | 8-ДИП | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 2,5 А | 35 нс 35 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 35кВ/мкс | 70нс | 15 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9031-Y-F3-AX | Ренесас Электроникс Америка | $2,37 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Оптическая связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9031yf3ax-datasheets-0404.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 5 выводов | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 16 недель | ЦСА, УЛ | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 1 | ДА | 1 | 1,05е-7 нс | 1 | 0,2 Мбит/с | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 2,5 А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,56 В | 2А 2А | 40 нс 40 нс | 25 мА | 175 нс, 175 нс | 50 кВ/мкс | 75нс | 15 В~30 В | 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8320R2V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8320r2v-datasheets-0341.pdf | 6-SOIC (0,362, ширина 9,20 мм), 5 выводов | 9,2 мм | 25 мА | 2,9 мм | 3,95 мм | 6 недель | 400мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | 30 В | 16В | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 часа назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | 1 | 500мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 35В | 25 мА | 25 мА | 400 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 60нс | 60 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 400 нс, 400 нс | 35кВ/мкс | 16 В~30 В | 5В | 100 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8271BBD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | совместимый | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 5,5 В | 2,5 В | 1 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | Р-ПДСО-G8 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75нс, 75нс | 200 кВ/мкс | 8нс | 4,2 В~30 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-P345-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 20 В | 22 недели | ЦГА, УР | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 1 | 1 | 1А | 120 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 120 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 800 мА 800 мА | 8нс 8нс | 25 мА | 120 нс, 120 нс | 50 кВ/мкс | 10 В~20 В | 50 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8271GBD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | совместимый | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 5,5 В | 2,5 В | 1 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | Р-ПДСО-G8 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75нс, 75нс | 200 кВ/мкс | 8нс | 4,2 В~30 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОЛ3120-X001T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vol3120x001t-datasheets-0160.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 5 выводов | 6 недель | CQC, cUR, UR, VDE | Нет СВХК | 5 | EAR99 | неизвестный | 1 | 2,5 А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 500 нс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,36 В | 2,5 А 2,5 А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 48кВ/мкс | 15 В~32 В | 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8285BC-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8285cdisr-datasheets-0977.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | совместимый | 1 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А 3 А | 5,5 нс 8,5 нс | 50 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 5нс | 9,5 В~30 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИД1102К | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SCALE-iDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует RoHS | 16-PowerSOIC (0,350, ширина 8,89 мм), 15 выводов | 16 недель | ВДЕ | EAR99 | 1 | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 5А 5А | 29 нс 14 нс | 350 нс, 350 нс | 100 кВ/мкс | 22 В~28 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM3224WBRZ | Аналоговые устройства Inc. | $10,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 1 МГц | 4А | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum3224warz-datasheets-9769.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 16 | 8 недель | 143,703733мг | ЦГА, УР | 5,5 В | 3В | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | 1 | 5,5 В | е3 | Матовый олово (Sn) | Однонаправленный | 1,6 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | АДУМ3224 | 16 | 2 | 30 | 1 Мбит/с | 3,2 мА | 3В | ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 54 нс | 3000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ТЕРМАЛЬНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,059 мкс | 0,059 мкс | 12нс 12нс | 54нс, 54нс | 50 кВ/мкс | 7,5 В~18 В | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО3150А-Х017Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | 4,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vo3150ax007t-datasheets-9130.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 9,77 мм | 25 мА | 8 | 6 недель | cUR, UR, VDE | Неизвестный | 8 | EAR99 | 1 | 295мВт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,54 мм | 8 | 1 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 500 мА | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 32В | 25 мА | 400 нс | 100 нс | 100 нс | 400 нс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 0,5 А | 0,4 мкс | 0,4 мкс | 1,3 В | 500 мА 500 мА | 100 нс 100 нс | 400 нс, 400 нс | 25кВ/мкс | 15 В~32 В | 200 нс | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-312U-000E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, R²Coupler™ | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 мА | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Олово | е3 | 400мВт | 30 В | 1 | 5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 2,5 А | 27В | 30 В | 500 мА | 16 мА | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 100 нс | 100 нс | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 25кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-330J-000E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 мА | Без свинца | 16 | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | Нет СВХК | 16 | EAR99 | Олово | 1 | е3 | 600мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 В | 1 | 40 | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 250 нс | 50 нс | 50 нс | 180 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | 1А 1А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 250 нс, 250 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 100 нс | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5751H(TP4,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5752hd4tp4e-datasheets-9944.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 1А 1А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 50 нс | 15 В~30 В | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM3223ВАРЗ | Аналоговые устройства Inc. | $7,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum3223brzrl7-datasheets-8837.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 16 | 8 недель | CSA, UR, VDE | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | ДРУГОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ = 4,5–18 В. | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | АДУМ3223 | 16 | 5,5 В | 3В | 2 | 30 | 4А | ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 59 нс | 3000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ТЕРМАЛЬНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 12нс 12нс | 59нс, 59нс | 50 кВ/мкс | 4,5 В~18 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8232BB-D-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 16 | EAR99 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM6132ARWZ | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | IsoPower®, iCoupler® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | 1 МГц | 350 мА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adum6132arwz-datasheets-0014.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,5 мм | 7,6 мм | Содержит свинец | 2,35 мм | 350 мА | 16 | 8 недель | 665,986997мг | ЦГА, УР | Нет СВХК | 5,5 В | 4,5 В | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | EAR99 | Нет | 8543.70.99.60 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | Однонаправленный | 275 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | АДУМ6132 | 16 | 40 | 275 Вт | 22 мА | 3мА | 100 нс | 15 нс | 15 нс | 60 нс | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,2 А | 0,1 мкс | 0,1 мкс | 200 мА 200 мА | 15 нс 15 нс Макс. | 100 нс, 100 нс | 50 кВ/мкс | 12,5 В~17 В | 200 мА | 10 нс | 15 В | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5754H(TP4,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,44 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5752hd4tp4e-datasheets-9944.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 4А 4А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 50 нс | 15 В~30 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82398CB4-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | совместимый | 2 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 5,5 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,135 мкс | 0,95 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 135 нс, 95 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 12,8 В~24 В | 4А | 12 В | 6,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-W302-500E | Бродком Лимитед | $2,28 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-acplw302500e-datasheets-8626.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | Без свинца | 22 недели | ЦГА, УР | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | е3 | 250мВт | 1 | 1 | 400 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 0,025А | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5754H(D4TP4,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,54 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5752hd4tp4e-datasheets-9944.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 4А 4А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 50 нс | 15 В~30 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3120ТСР2В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3120ts-datasheets-0293.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 7 недель | 819мг | МЭК, УЛ | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 35В | 2,5 А | 16 мА | 25 мА | 400 нс | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 60нс | 60 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 400 нс, 400 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 3А | 5В | 100 нс | 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-339J-000E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10 мА | 16 | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | Нет СВХК | 16 | EAR99 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 600мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 5,5 В | 3,3 В | 1 | НЕ УКАЗАН | 5,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 30 В | 10 мА | 10 мА | 300 нс | 40 нс | 40 нс | 300 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,3 мкс | 0,3 мкс | 1,55 В | 1А 1А | 25 мА | 300 нс, 300 нс | 25кВ/мкс | 15 В~30 В | 150 нс | 5,5 А | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS341W | ООО «Изоком Компонентс 2004» | 1,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 2 недели | 1 | 6-СО Растянутый | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 2,5 А 2,5 А | 35 нс 35 нс | 25 мА | 200 нс, 200 нс | 20 кВ/мкс | 70нс | 15 В~30 В | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5752H(TP4,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5752htp4e-datasheets-0009.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 2,5 А 2,5 А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 50 нс | 15 В~30 В | 2,5 А |
