Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЛогические оптоизоляторы(2231)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Способ упаковки | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Напряжение питания | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Направление | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Входы — сторона 1/сторона 2 | Ток — выход/канал |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ТЛП2110(ТП,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2110tpf-datasheets-3452.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | ДА | 2,7 В~5,5 В | 5,5 В | 2 | 2,5е-7 нс | 2 | Оптопара — выходы IC | 5 МБд | Push-Pull, Тотемный столб | 0,008А | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,53 В | 11 нс 13 нс | 8мА | 250 нс, 250 нс | 25 кВ/мкс | 2/0 | 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-021L-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 17 недель | 600мВт | 2,7 В~5,5 В | 1 | 5 МБд | Push-Pull, Тотемный столб | 250 нс | 11 нс | 250 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 11нс 11нс | 8мА | 250 нс, 250 нс | 25 кВ/мкс | 10 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-M61L-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм), 5 выводов | 22 недели | 5 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | Олово | Нет | е3 | 20мВт | 2,7 В~5,5 В | 5,5 В | 1 | 20мВт | 8е-8 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 10 МБд | 10 мА | 2мА | Push-Pull, Тотемный столб | 80 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 12нс | 12 нс | ОДИНОКИЙ | 80 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,3 В | 12нс 12нс | 8мА | 80нс, 80нс | 20 кВ/мкс | 10 мА | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП250Х(Д4-ЛФ1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp250htp1f-datasheets-3098.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 260мВт | 10 В~30 В | 1 | Push-Pull, Тотемный столб | 50 нс | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,57 В | 50 нс 50 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 40 кВ/мкс | 1/0 | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-071L-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 17 недель | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | 5В | 1 | 5е-8 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 15 МБд | 10 мА | 10 мА | 20 мА | Push-Pull, Тотемный столб | 50 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 20 нс | 25 нс | ОДИНОКИЙ | 50 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 20 нс 25 нс | 50 нс, 50 нс | 10 кВ/мкс | 10 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-M456-000E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/broadcom-hcplm456000e-datasheets-2391.pdf | 6-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм), 5 выводов | 20 мА | Без свинца | 22 недели | 5 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | е3 | 145 МВт | 4,5 В~30 В | 1 | 145 МВт | 1 | 1 Мбит/с | 15 мА | 30В | 15 мА | 25 мА | Открытый коллектор, резьба Шоттки | 550 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 550 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 550 нс, 400 нс | 15 кВ/мкс | 15 мА | 90 % | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП250Х(Д4,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Трубка | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp250htp1f-datasheets-3098.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 12 недель | 260мВт | 10 В~30 В | 1 | Push-Pull, Тотемный столб | 50 нс | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,57 В | 50 нс 50 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 40 кВ/мкс | 1/0 | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-2601#060 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 17 недель | 8 | нет | ПРИЗНАН УЛ, ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 85мВт | 4,5 В~5,5 В | 5В | 1 | 1э-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 10 МБд | 50 мА | Открытый коллектор, резьба Шоттки | 75 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | 0,05 А | 24 нс | 10 нс | ОДИНОКИЙ | 75 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 24 нс 10 нс | 20 мА | 100 нс, 100 нс | 10 кВ/мкс | 50 мА | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД260LS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod060l-datasheets-7039.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 15 мА | Без свинца | 7 недель | 720мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 85мВт | 3В~5,5В | 7В | 1 | 85мВт | 9е-8 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 10 Мбит/с | 50 мА | 7В | 3,3 В | 50 мА | 50 мА | Открытый коллектор, резьба Шоттки | 90 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,05 А | 3 нс | ОДИНОКИЙ | 90 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,4 В | 22нс 3нс | 90 нс, 75 нс | 25 кВ/мкс | 50 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||
| TLP2367(ТПЛ,Е | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2367tpre-datasheets-5032.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов | 12 недель | 2,7 В~5,5 В | 1 | 50 МБд | Push-Pull, Тотемный столб | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,6 В | 2нс 1нс | 15 мА | 20 нс, 20 нс | 25 кВ/мкс | 1/0 | 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8163T | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fod8163-datasheets-7752.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 11 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 3В~5,5В | 5,5 В | 1 | 9е-8 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 10 Мбит/с | Открытый коллектор, резьба Шоттки | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 80 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,085 Вт | 1,45 В | 20 нс 10 нс | 25 мА | 90 нс, 80 нс | 20 кВ/мкс | 50 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП250Х(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Трубка | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp250htp1f-datasheets-3098.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 12 недель | 8 | 260мВт | 10 В~30 В | 1 | Push-Pull, Тотемный столб | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,57 В | 50 нс 50 нс | 500 нс, 500 нс | 40 кВ/мкс | 1/0 | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ0630(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8541.40.80.00 | 7В | 2 | 10 Мбит/с | Открытый коллектор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 100 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 40 нс 10 нс | 20 мА | 100 нс, 100 нс | 5кВ/мкс | 50 мА | 2/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2770(D4-TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2770tpe-datasheets-9691.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | 2,7 В~5,5 В | 1 | 20 МБд | Push-Pull, Тотемный столб | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 1,3 нс 1 нс | 8мА | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 1/0 | 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6747T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6747t-datasheets-3371.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 15 мА | 7 недель | 8 | да | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ UL, СОВМЕСТИМОСТЬ С CMOS | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 85мВт | 4,5 В~5,5 В | 1 | 85мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 10 МБд | 50 мА | 7В | 50 мА | 20 мА | Открытый слив | 100 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,05 А | 23нс | 7 нс | ОДИНОКИЙ | 100 нс | 3000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,4 В | 23нс 7нс | 100 нс, 100 нс | 10 кВ/мкс | 50 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0600-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 85мВт | 4,5 В~5,5 В | 5В | 1 | 85мВт | 1э-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 10 МБд | 50 мА | 50 мА | 20 мА | Открытый коллектор, резьба Шоттки | 75 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,05 А | 24 нс | 10 нс | ОДИНОКИЙ | 75 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 24 нс 10 нс | 100 нс, 100 нс | 5кВ/мкс | 50 мА | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-071L-060E | Бродком Лимитед | 2,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 17 недель | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В 4,5В~5,5В | 5В | 1 | 5е-8 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 15 МБд | 10 мА | 10 мА | 20 мА | Push-Pull, Тотемный столб | 50 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 20 нс | 25 нс | ОДИНОКИЙ | 50 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 20 нс 25 нс | 50 нс, 50 нс | 10 кВ/мкс | 10 мА | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-M62L-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 6-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм), 5 выводов | 5,5 В | 22 недели | е3 | Олово (Вс) | 20мВт | 2,7 В~5,5 В | 1 | 10 МБд | 10 мА | 6мА | Открытый слив | 80 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 12нс | 12 нс | 80 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В | 12нс 12нс | 8мА | 80нс, 80нс | 20 кВ/мкс | 10 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2770(D4,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2770tpe-datasheets-9691.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | 2,7 В~5,5 В | 1 | 20 МБд | Push-Pull, Тотемный столб | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 1,3 нс 1 нс | 8мА | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 1/0 | 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2704(Е | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2704d4tpe-datasheets-2977.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | 4,5 В~30 В | 1 | Открытый коллектор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 20 мА | 400 нс, 550 нс | 20 кВ/мкс | 1/0 | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2631V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-6n137sd-datasheets-3904.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 15 мА | Без свинца | 7 недель | 819мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 60мВт | 4,5 В~5,5 В | 5В | 2 | 60мВт | 7,5e-8 нс | 2 | Оптопара — выходы IC | 10 Мбит/с | 50 мА | 7В | 50 мА | 30 мА | Открытый коллектор | 75 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,05 А | 50 нс | 12 нс | 75 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,4 В | 50 нс 12 нс | 75нс, 75нс | 5кВ/мкс | 50 мА | 2/0 | ||||||||||||||||||||||
| FOD8163R2V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod8163-datasheets-7752.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 11 недель | да | совместимый | е3 | Олово (Вс) | ДА | 3В~5,5В | 5,5 В | 1 | 9е-8 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 10 Мбит/с | Открытый коллектор, резьба Шоттки | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,085 Вт | 1,45 В | 20 нс 10 нс | 25 мА | 90 нс, 80 нс | 20 кВ/мкс | 1/0 | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-060L-060E | Бродком Лимитед | 2,81 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 15 мА | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 85мВт | 2,7 В~3,6 В 4,5 В~5,5 В | 5,5 В | 1 | 85мВт | 9е-8 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 15 МБд | 50 мА | 7В | 50 мА | 20 мА | Открытый коллектор, резьба Шоттки | 90 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,05 А | 45нс | 20 нс | ОДИНОКИЙ | 90 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 24 нс 10 нс | 75нс, 75нс | 10 кВ/мкс | 50 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||||||
| TLP2768A(TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2768atpe-datasheets-3331.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | 2,7 В~5,5 В | 1 | 20 МБд | Открытый коллектор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 30 нс 30 нс | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 1/0 | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9117A-V-F3-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 6-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм), 5 выводов | 16 недель | 5 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е4 | 4,5 В~5,5 В | 1 | 40мВт | 1 | 10 Мбит/с | 25 мА | 30 мА | Открытый коллектор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 75 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,65 В | 20 нс 5 нс | 75нс, 75нс | 15 кВ/мкс | 1/0 | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-061L-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | Олово | е3 | 20мВт | 2,7 В~5,5 В | 5,5 В | 1 | 20мВт | 8е-8 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 10 МБд | 10 мА | 10 мА | 8мА | Три штата | 80 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 12нс | 12 нс | ОДИНОКИЙ | 80 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,3 В | 12нс 12нс | 80нс, 80нс | 20 кВ/мкс | 10 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ2611С1(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n137sta-datasheets-5973.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ОДОБРЕНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | ТР | 1 | 7В | 1 | 4е-8 нс | 1 | 10 Мбит/с | Открытый коллектор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,05 А | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 75 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 40 нс 10 нс | 75нс, 75нс | 10 кВ/мкс | 50 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-4506-360E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Олово | Нет | е3 | 145 МВт | 4,5 В~30 В | 1 | 145 МВт | 1 | 1 Мбит/с | 15 мА | 30В | 15 мА | 25 мА | Открытый коллектор, резьба Шоттки | 650 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 650 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 550 нс, 400 нс | 15 кВ/мкс | 15 мА | 90 % | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП2358(Е) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,99 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2358tpre-datasheets-3081.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов | 12 недель | 3В~20В | 1 | Push-Pull, Тотемный столб | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 15 нс 12 нс | 20 мА | 250 нс, 250 нс | 20 кВ/мкс | 1/0 | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2770(Е | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2770tpe-datasheets-9691.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | неизвестный | 2,7 В~5,5 В | 1 | 20 МБд | Push-Pull, Тотемный столб | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 1,3 нс 1 нс | 8мА | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 1/0 | 10 мА |
