Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЛогические оптоизоляторы(2231)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Напряжение питания | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Конфигурация | Задержка распространения | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Направление | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Коэффициент гистерезиса-ном. | Длина волны | Входы — сторона 1/сторона 2 | Ток — выход/канал |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ТЛП2955(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,91 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2955f-datasheets-0012.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 52 недели | Неизвестный | 8 | НЕТ | 3В~20В | 20 В | 1 | 2,5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 5 Мбит/с | Push-Pull, Тотемный столб | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 16 нс 14 нс | 250 нс, 250 нс | 20 кВ/мкс | 1/0 | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2748(TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2748tpe-datasheets-9836.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | 6 | неизвестный | 4,5 В~30 В | 1 | Push-Pull, Тотемный столб | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 120 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 3нс 3нс | 15 мА | 120 нс, 120 нс | 30 кВ/мкс | 50 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Л1ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-h11l1sr2mf132-datasheets-3964.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6,35 мм | 10 мА | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 5 недель | 855мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | Олово | Нет | е3 | 250мВт | 3В~15В | 16В | 250мВт | 1 | Оптопара — выходы IC | 1 МГц | 16В | 16В | 50 мА | 60 мА | Открытый коллектор | 4 мкс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,05 А | 100 нс | 100 нс | ОДИНОКИЙ | 4 мкс | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | Однонаправленный | 1,2 В | 100 нс 100 нс | 30 мА | 4 мкс, 4 мкс | 6В | 50 мА | 0,75 | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-024L-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 17 недель | 8 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНА UL | Нет | е3 | Олово (Вс) | 600мВт | 2,7 В~5,5 В | 5,5 В | 2 | 600мВт | 2,5е-7 нс | 2 | Оптопара — выходы IC | 5 МБд | 10 мА | 8мА | Push-Pull, Тотемный столб | 250 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,01 А | 11 нс | 250 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 11нс 11нс | 250 нс, 250 нс | 25 кВ/мкс | 10 мА | 2/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП2366(Е) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2366tple-datasheets-5976.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов | Без свинца | 12 недель | 5 | Нет | 60мВт | 2,7 В~5,5 В | 1 | 60мВт | 20 МБд | 10 мА | 10 мА | 10 мА | Push-Pull, Тотемный столб | 40 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 15нс | 15 нс | 40 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,61 В | 15 нс 15 нс | 25 мА | 40 нс, 40 нс | 20 кВ/мкс | 10 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Л1ТВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-h11l1sr2mf132-datasheets-3964.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 5 недель | да | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 3В~15В | 16В | 1 | 1 | Оптопара — выходы IC | 1 МГц | Открытый коллектор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,06А | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 нс 100 нс | 30 мА | 4 мкс, 4 мкс | 0,75 | 1/0 | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RV1S9960ACCSP-10YC#SC0 | Ренесас Электроникс Америка | $11,20 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,543, 13,80 мм) | 16 недель | да | 2,7 В~5,5 В | 1 | 15 Мбит/с | КМОП | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 7500 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 5нс 5нс | 6мА | 60нс, 60нс | 50 кВ/мкс | 1/0 | 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OPI1268S | ТТ Электроникс/Оптек Технология | $8,33 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -50°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-opi1268s-datasheets-9848.pdf | 6-DIP (1.100, 27,94 мм), 5 выводов | 30 мА | 9,7536 мм | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 7В | 5 | 100мВт | 7В | 1 | 100мВт | 1 | 2 Мбит/с | 18В | 18В | 25 мА | 20 мА | 1,4 В | Открытый коллектор | 30 мА | 50 нс | 100 нс | 100 нс | 50 нс | 100 нс | 20000В постоянного тока | 3В | 3В | 18В | 1,4 В | 30 мА | 100 нс, 100 нс | 25 мА | 850 нм | 1/0 | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0720 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Логика | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мА | 5,08 мм | Содержит свинец | 22 недели | Нет СВХК | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНА UL | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 150 мВт | 4,5 В~5,5 В | 1 | 150 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 25 МБд | 10 мА | 5В | 10 мА | Push-Pull, Тотемный столб | 40 нс | 9нс | 8 нс | СЛОЖНЫЙ | 40 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 9нс 8нс | 40 нс, 40 нс | 10 кВ/мкс | 10 мА | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-063L | Бродком Лимитед | $7,62 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 15 мА | Содержит свинец | 22 недели | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ПРИЗНАНО UL, ОДОБРЕНО VDE, ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, СОВМЕСТИМО CMOS | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 60мВт | 2,7 В~3,6 В 4,5 В~5,5 В | 3,6 В | 2 | 60мВт | 9е-8 нс | 2 | Оптопара — выходы IC | 15 МБд | 50 мА | 7В | 50 мА | 15 мА | Открытый коллектор, резьба Шоттки | 90 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,05 А | 45нс | 20 нс | 75 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 24 нс 10 нс | 75нс, 75нс | 10 кВ/мкс | 50 мА | 2/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0300-000E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 мА | 3607 мм | Без свинца | 22 недели | CSA, UL, VDE | Нет СВХК | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ CMOS, ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, ПРИЗНАН УЛ | Олово | Нет | е3 | 40мВт | 4,75 В~5,25 В | 5,25 В | 1 | 40мВт | 1,1e-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 85°С | 5 МБд | 25 мА | 18В | 5,25 В | 25 мА | 1 мА | Открытый коллектор, резьба Шоттки | 1 мА | 95 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 40 нс | 20 нс | 110 нс | ОДИНОКИЙ | 200 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 3В | Однонаправленный | 3В | 18В | 1,3 В | 40 нс 20 нс | 5 тип мА. | 160 нс, 200 нс | 100 В/мкс | 25 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||
| H11L3EL | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-h11l1sta-datasheets-4896.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 недель | 3В~16В | 1 | 6-ДИП | 1 МГц | Открытый коллектор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 100 нс 100 нс | 60 мА | 4 мкс, 4 мкс | 1/0 | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-K75T-000E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,268, 6,81 мм) | 15 мА | 26 недель | CSA, МЭК, УЛ | Нет СВХК | 8 | е3 | Олово (Вс) | 40мВт | 3В~5,5В | 5,5 В | 2 | 40мВт | 3,5е-8 нс | 2 | Оптопара — выходы IC | 7В | 20 мА | Push-Pull, Тотемный столб | 35 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 10 нс | 100 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 10 нс 10 нс | 100 нс, 100 нс | 25 кВ/мкс | 2/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВКПЛ-260Л-320Э | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/broadcom-hcpl260l320e-datasheets-1533.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 85мВт | 2,7 В~3,6 В 4,5 В~5,5 В | 5,5 В | 1 | 85мВт | 9е-8 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 15 МБд | 50 мА | 50 мА | 20 мА | Открытый коллектор, резьба Шоттки | 90 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,05 А | 45нс | 20 нс | ОДИНОКИЙ | 90 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 24 нс 10 нс | 75нс, 75нс | 10 кВ/мкс | 50 мА | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL062N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl062nr1-datasheets-4019.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,13 мм | 6,3 мА | 3,63 мм | 4,16 мм | Без свинца | 7 недель | 252 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | е3 | 85мВт | 2,7 В~3,3 В | 3,3 В | 2 | 85мВт | 9е-8 нс | 2 | Оптопара — выходы IC | 10 Мбит/с | 7В | 7В | 15 мА | 50 мА | Открытый коллектор | 50 мА | 90 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,015А | 16нс | 75 нс | 90 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,75 В Макс. | 16 нс 4 нс | 90 нс, 75 нс | 25 кВ/мкс | 5В | 15 мА | 2/0 | ||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД8160 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8160r2v-datasheets-9471.pdf | 6-SOIC (0,362, ширина 9,20 мм), 5 выводов | 25 мА | Без свинца | 7 недель | 400мг | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 45мВт | 3В~5,5В | 5,5 В | 1 | 85мВт | 9е-8 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 10 Мбит/с | 3В | 7,5 В | 50 мА | 25 мА | Открытый коллектор, резьба Шоттки | 200 мА | 90 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 22нс | 9 нс | 90 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,45 В | 22нс 9нс | 90 нс, 80 нс | 20 кВ/мкс | 5В | 1/1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП2662(ТП1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2662f-datasheets-9145.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 8 | 85мВт | 2,7 В~5,5 В | 2 | 85мВт | 1 | 10 МБд | 25 мА | 20 мА | Открытый коллектор | 75 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3 нс | 75 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,55 В | 12нс 3нс | 75нс, 75нс | 20 кВ/мкс | 25 мА | 2/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОХ1016АГ-В | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-voh1016ad-datasheets-6139.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 14 недель | 16В | 1 | 6-ДИП | 2 МГц | Открытый коллектор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 50 нс 40 нс | 50 мА | 2 мкс, 1,2 мкс | 10 кВ/мкс | 1/0 | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL0600R1 | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-hcpl0601r1-datasheets-9030.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,5 В~5,5 В | 1 | 8-СОИК | 10 Мбит/с | Открытый коллектор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,75 В Макс. | 50 нс 12 нс | 50 мА | 75нс, 75нс | 5кВ/мкс | 1/0 | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н134 | Бродком Лимитед | $49,35 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-6n134-datasheets-1540.pdf | 50В | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 мА | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 16 | EAR99 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, TTL-СОВМЕСТИМОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Золото | Да | 8541.40.80.00 | е4 | 200мВт | 4,5 В~5,5 В | 5В | 2 | 200мВт | 3,5е-8 нс | 2 | Оптопара — выходы IC | 10 МБд | 25 мА | 5,5 В | 25 мА | 20 мА | Открытый коллектор, резьба Шоттки | 140 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 90 нс | 40 нс | 140 нс | 1500 В постоянного тока | 5В | Однонаправленный | 1,55 В | 35 нс 35 нс | 100 нс, 100 нс | 1кВ/мкс | 25 мА | 100 % | 0,0125 | 2/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2767(TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2767tpe-datasheets-9816.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | да | неизвестный | 2,7 В~5,5 В | 1 | 50 МБд | Push-Pull | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,6 В | 2нс 1нс | 15 мА | 20 нс, 20 нс | 25 кВ/мкс | 1/0 | 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-7723-300 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Логика | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl7723300-datasheets-1544.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 22 недели | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 150 мВт | 4,5 В~5,5 В | 5,5 В | 1 | 150 мВт | 2,2e-8 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 50 МБд | 10 мА | 10 мА | Push-Pull, Тотемный столб | 22 нс | 8нс | 6 нс | СЛОЖНЫЙ | 22 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 8нс 6нс | 22нс, 22нс | 10 кВ/мкс | 10 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ0631(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 0,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2014 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | совместимый | 8541.40.80.00 | 7В | 2 | 10 Мбит/с | Открытый коллектор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 40 нс 10 нс | 20 мА | 100 нс, 100 нс | 10 кВ/мкс | 2/0 | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-5201 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 8-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ КМОП, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Да | е4 | Золото (Ау) | 200мВт | 4,5 В~20 В | 20 В | 1 | 200мВт | 3е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 5 МБд | 15 мА | 15 мА | 8мА | Три штата | 350 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 45нс | 10 нс | СЛОЖНЫЙ | 350 нс | 1500 В постоянного тока | 3В | Однонаправленный | 1,3 В | 45 нс 10 нс | 350 нс, 350 нс | 1кВ/мкс | 15 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Л1-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-h11l1sta-datasheets-4896.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 недель | 6 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 250мВт | 3В~16В | 1 | 1 | 1 МГц | Открытый коллектор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,05 А | 100 нс | ОДИНОКИЙ | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,15 В | 100 нс 100 нс | 60 мА | 4 мкс, 4 мкс | 50 мА | 1/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н137СВ | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-6n137wv-datasheets-8928.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 4,5 В~5,5 В | 1 | 8-СМД | 10 Мбит/с | Открытый коллектор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 50 нс 12 нс | 50 мА | 75нс, 75нс | 10 кВ/мкс (тип.) | 1/0 | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9117A-AX | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | Без свинца | 5 | Нет | 40мВт | 4,5 В~5,5 В | 1 | 40мВт | 1 | 5-СО | 10 Мбит/с | 25 мА | 7В | 25 мА | 12,5 мА | 1,65 В | Открытый коллектор | 75 нс | 5 нс | 75 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,65 В | 20 нс 5 нс | 30 мА | 75нс, 75нс | 15 кВ/мкс | 25 мА | 1/0 | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2630SDM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-hcpl2631sdm-datasheets-8255.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 7 недель | 720мг | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНА UL | 8541.40.80.00 | е3 | Олово (Вс) | 4,5 В~5,5 В | 2 | 2 | 10 Мбит/с | Открытый коллектор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,05 А | 0,05 А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 30 нс 10 нс | 30 мА | 75нс, 75нс | 10 кВ/мкс (тип.) | 2/0 | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-2630-500E | Бродком Лимитед | $3,94 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-СМД, Крыло Чайки | 15 мА | Без свинца | 22 недели | Нет СВХК | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 60мВт | 4,5 В~5,5 В | 5В | 2 | 60мВт | 1э-7 нс | 2 | Оптопара — выходы IC | 10 МБд | 50 мА | 7В | 50 мА | 15 мА | Открытый коллектор, резьба Шоттки | 75 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,05 А | 24 нс | 10 нс | 75 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 24 нс 10 нс | 100 нс, 100 нс | 5кВ/мкс | 50 мА | 2/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL062NR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl062nr1-datasheets-4019.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 5 недель | 252 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | е3 | 85мВт | 2,7 В~3,3 В | 3,3 В | 2 | 85мВт | 9е-8 нс | 2 | Оптопара — выходы IC | 10 Мбит/с | 7В | 15 мА | 50 мА | Открытый коллектор | 90 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,015А | 90 нс | 75 нс | 90 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,75 В Макс. | 16 нс 4 нс | 90 нс, 75 нс | 25 кВ/мкс | 15 мА | 2/0 |
