Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Подкатегория | Источники питания | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Тип выхода | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Тип датчиков/преобразователей | Тип выходного интерфейса | Рабочий ток-Макс. | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Вертикальный пиксель | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров | Тип массива |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AR0134CSSM00SPCA0-DPBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ar0134cssm00spca0dpbr2-datasheets-4936.pdf | Модуль 48-СМД | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 1,8 В~2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 54 | 1280 х 960 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН2000А-ЛТИ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 128-БЛГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1,7 В~1,9 В 3,2 В~3,4 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 230 | 1920Г х 1200В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИВ1СН2000А-QDC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 0°C~70°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-noiv1se2000aqdc-datasheets-4850.pdf | 52-ЛЦК | 3,6 В | Без свинца | 15 недель | 52 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | Нет | Без галогенов | ДА | 1,8 В 3,3 В | 52 | Другие датчики/преобразователи | 3,3 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,2 мм | 19,05 мм | 19,05 мм | КЕРАМИКА | 4,8 мкмx4,8 мкм | 53 дБ | 92 | 1920 Г х 1080 В | 2/3 дюйма | 62 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135CS2M00SUEA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0135cs2m00suea0dpbr2-datasheets-5017.pdf | 63-ЛБГА | 19 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОГОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ОТ 2,5 В ДО 3,1 В. | 8541.40.60.50 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,39 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,50 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 71,1 дБ | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц | 54 кадра в секунду | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0231AT7C00XUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0231at7c00xuea0drbr-datasheets-5784.pdf | 21 неделя | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП3СН5000А-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 12 недель | да | 1,8 В~3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 100 | 2592Г х 2048В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M00XUEA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 63-ЛБГА | 20 недель | 3,75 мкмx3,75 мкм | 54 | 1280 х 960 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ2000-3Е5М1ЛП | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv20003e12m1pp-datasheets-4642.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 95-ЛГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0220AT3C00XUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0220at3b00xuea0dpbr-datasheets-5818.pdf | 87-ЛБГА | 19 недель | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,8 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 1,26 В | 1,14 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,65 мм | 12 мм | 9 мм | 220 мА | 0,40-1,20 В | 4,2 мкмx4,2 мкм | 120 дБ | 60 | 1828 х 948 В | 1/1,8 дюйма | 27 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ2000-3Е5М1ПП | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv20003e12m1pp-datasheets-4642.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 95-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1SE2000A-LTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 230 | 1920Г х 1200В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9J003I12STCV2-TP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9j003i12stcudr-datasheets-5856.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1SE2000A-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | ООО | 3,6 В | Без свинца | 12 недель | 84 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 230 | 1920Г х 1200В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0231AT7B00XUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0231at7b00xuea0drbr-datasheets-5802.pdf | 121-БГА | 21 неделя | 3 мкмx3 мкм | 40 | 1928Х × 1208В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSM00SUEA0-DPBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | 63-ЛФБГА | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,8 В~2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 54 | 1280 х 960 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0331SRSC00XUEE0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0331srsc00xuee0drbr-datasheets-5542.pdf | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCD1305DG(8Z,АВ) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -25°К~60°К | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-tcd1305dg8zaw-datasheets-6029.pdf | 22-ЦДИП (0,400, 10,16 мм) | 5,5 В | 16 недель | 22 | Нет | 4,5 В~5,5 В | 8 мкмx64 мкм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V126IA3XTC-DR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v126ia3xtctp-datasheets-5515.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,66-2,94 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 1,9 В | 1,7 В | ПЗС-датчики изображения | 1,8 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 50 мА | -0,30-2,80 В | 5,60x5,60 мкм | 74,6 дБ | 680 | 512 | 1/4 дюйма | 27 МГц | 30 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||||||||
| AR0132AT6C00XPEA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0132at6m00xpea0drbr1-datasheets-5852.pdf | 63-ЛБГА | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,50 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 115 дБ | 45 | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0221SR2C00SUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0221sr2c00suea0drbr-datasheets-5972.pdf | 87-ЛБГА | 19 недель | да | 4,2 мкмx4,2 мкм | 60 | 1928Г х 1080В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП3СН1300А-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | Без свинца | 12 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ОН ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,3 В; ТАКЖЕ ЕСТЬ ГЛАВНАЯ ТАКТА 360 МГЦ (10 БИТ) И 288 МГЦ (8 БИТ), ЕСЛИ ФАПЧ НЕ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ. | ДА | 1,8 В~3,3 В | 72 Мбит/с | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 50 | 1280 х 1024 В | 1/2 дюйма | 72 МГц | 210 кадров в секунду | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1ФН2000А-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | ООО | 3,6 В | Без свинца | 15 недель | 84 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 230 | 1920Г х 1200В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCD1209DG(8Z,Вт) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | 60°С | -25°С | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-tcd1209dg8zw-datasheets-6063.pdf | 22-ЦДИП (0,400, 10,16 мм) | 13В | 16 недель | 22 | Нет | 5 В~12 В | 14 мкмx14 мкм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0220AT3R00XUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0220at3b00xuea0dpbr-datasheets-5818.pdf | 87-ЛБГА | 18 недель | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,8 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 1,26 В | 1,14 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,65 мм | 12 мм | 9 мм | 220 мА | 0,40-1,20 В | 4,2 мкмx4,2 мкм | 120 дБ | 60 | 1828 х 948 В | 1/1,8 дюйма | 27 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9J003I12STMV-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-mt9j003i12stcudr-datasheets-5856.pdf | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1,8 В 2,8 В | 1,67 мкмx1,67 мкм | 15 | 3856Г х 2764В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН0500А-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | ООО | 3,4 В | Без свинца | 12 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,9 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 800 | 600 | 1/3,6 дюйма | 72 МГц | 545 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TCD1205DG(8Z,Вт) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -25°К~60°К | Непригодный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-tcd1205dg8zw-datasheets-5932.pdf | 22-ЦДИП (0,400, 10,16 мм) | 5,5 В | 17 недель | Нет | 4,5 В~5,5 В | 14 мкмx200 мкм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП3SE1300A-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | Без свинца | 12 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ОН ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,3 В; ТАКЖЕ ЕСТЬ ГЛАВНАЯ ТАКТА 360 МГЦ (10 БИТ) И 288 МГЦ (8 БИТ), ЕСЛИ ФАПЧ НЕ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ. | ДА | 1,8 В~3,3 В | 72 Мбит/с | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 50 | 1280 х 1024 В | 1/2 дюйма | 72 МГц | 210 кадров в секунду | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН1300А-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | ООО | Без свинца | 12 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,2 ДО 3,4 В, ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР. | 1,9 В | 1,7 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 1280 | 1024 | 1/2 дюйма | 72 МГц | 210 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSM25SUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | 3,1 В | Без свинца | 18 недель | 63 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1В. | Медь, Серебро, Олово | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,95 В | ЦИФРОВОЙ ТОК | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | -22-22мА | 3,75 мкм | 64 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ОДИН РАМКА |
