| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Тип выхода | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Тип датчиков/преобразователей | Тип выходного интерфейса | Рабочий ток-Макс. | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Вертикальный пиксель | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров | Тип массива |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НОИП1ФН1300А-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | ООО | Без свинца | 15 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,2 ДО 3,4 В, ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР. | 1,9 В | 1,7 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 1280 | 1024 | 1/2 дюйма | 72 МГц | 210 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||||||
| AR1820HSSC12SHEA0-DP1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar1820hssc12shea0dp1-datasheets-5984.pdf | 60-ЛБГА | 22 недели | да | 1,25 мкмx1,25 мкм | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9J003I12STMV-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-mt9j003i12stcudr-datasheets-5856.pdf | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1,8 В 2,8 В | 1,67 мкмx1,67 мкм | 15 | 3856Г х 2764В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН0500А-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | ООО | 3,4 В | Без свинца | 12 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,9 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 800 | 600 | 1/3,6 дюйма | 72 МГц | 545 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||||||
| TCD1205DG(8Z,Вт) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -25°К~60°К | Непригодный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-tcd1205dg8zw-datasheets-5932.pdf | 22-ЦДИП (0,400, 10,16 мм) | 5,5 В | 17 недель | Нет | 4,5 В~5,5 В | 14 мкмx200 мкм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП3SE1300A-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | ПИТОН | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | Без свинца | 12 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ОН ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,3 В; ТАКЖЕ ЕСТЬ ГЛАВНАЯ ТАКТА 360 МГЦ (10 БИТ) И 288 МГЦ (8 БИТ), ЕСЛИ ФАПЧ НЕ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ. | ДА | 1,8 В~3,3 В | 72 Мбит/с | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 50 | 1280 х 1024 В | 1/2 дюйма | 72 МГц | 210 кадров в секунду | ||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1СН1300А-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | ООО | Без свинца | 12 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,2 ДО 3,4 В, ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР. | 1,9 В | 1,7 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 1280 | 1024 | 1/2 дюйма | 72 МГц | 210 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSM25SUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | 3,1 В | Без свинца | 18 недель | 63 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1В. | Медь, Серебро, Олово | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,95 В | ЦИФРОВОЙ ТОК | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | -22-22мА | 3,75 мкм | 64 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ОДИН РАМКА | ||||||||||||||||||||
| НОИП1СН0300А-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | ООО | 3,4 В | Без свинца | 12 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,9 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 640 | 480 | 1/4 дюйма | 72 МГц | 815 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||||||
| NOIP1SE0500A-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | ООО | 3,4 В | Без свинца | 12 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,9 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 800 | 600 | 1/3,6 дюйма | 72 МГц | 545 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||||||
| МТ9М034И12СТЦ-ДПБР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mt9m034i12stmdpbr-datasheets-5737.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V127IA3XTC-DP1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v127ia3xtcdr1-datasheets-5804.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,8 В 2,8 В | 5,6 мкмx5,6 мкм | 60 | 680 х 512 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR1820HSSC12SHEA0-DR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Поверхностный монтаж | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-ar1820hssc00shea0dr-datasheets-5903.pdf | 60-ЛБГА | Без свинца | 22 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | 1,8 В 2,8 В | 1,34 мкмx1,34 мкм | 60 | 24 кадра в секунду | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMV300-4E7C1WP | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 5 (48 часов) | Соответствует RoHS | /files/ams-cmv3004e7m1wp-datasheets-4885.pdf | 22 недели | 1,8 В 3,3 В | 58-БГА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 120 | 640Г х 480В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M25XUEA0-DPBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Поднос | Соответствует ROHS3 | 63-ЛБГА | 20 недель | 3,75 мкмx3,75 мкм | 54 | 1280 х 960 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0331SRSC00SHCA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~85°К | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0331srsc00xuee0drbr-datasheets-5542.pdf | 48-LCC | Без свинца | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,8 В 2,8 В | 2,2 мкмx2,2 мкм | 60 | 2048Г х 1536В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9M031I12STC-DPBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9m021ia3xtmdpbr1-datasheets-5682.pdf | Без свинца | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,8 В 2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 60 | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9F002I12STCV-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mt9f002i12stcvdp-datasheets-5867.pdf | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,70-3,10 В. | ДА | 70°С | -30°С | 1,9 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,25 мм | 10 мм | 10 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 0,40-1,40 В | 1,4x1,4 мкм | 65,3 дБ | 4384 | 3288 | 1/2,3 дюйма | 64 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||||||
| МТ9П031И12СТМ-ДП | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mt9p031i12stmdp1-datasheets-4561.pdf | 48-LCC | 14 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1,7 В~3,1 В | 2,2 мкмx2,2 мкм | 53 | 2592Г х 1944В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSC00SUEA0-DPBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | 63-ЛФБГА | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,8 В~2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 54 | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR1820HSSC00SHEA0-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-ar1820hssc00shea0dr-datasheets-5903.pdf | 60-ЛБГА | 22 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | 1,8 В 2,8 В | 1,34 мкмx1,34 мкм | 60 | 24 кадра в секунду | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9F002I12-N4000-DP1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mt9f002i12stcvdp-datasheets-5867.pdf | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТРЕБУЕТСЯ АНАЛОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ 2,7–3,1 В. | ДА | 1,8 В 2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,25 мм | 10 мм | 10 мм | 0,40-1,40 В | 1,4 мкмx1,4 мкм | 65,3 дБ | 60 | 4384Г х 3288В | 1/2,3 дюйма | 64 МГц | 13,7 кадров в секунду | |||||||||||||||||||||||||||||
| NOIP1SE0300A-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | Без свинца | 12 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,2 ДО 3,4 В, ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР. | ДА | 85°С | -40°С | 1,9 В | 1,7 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 80 мА | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 640 | 480 | 1/4 дюйма | 72 МГц | 815 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M25XUEA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | 63-ЛБГА | 20 недель | 3,75 мкмx3,75 мкм | 54 | 1280 х 960 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1SE1300A-QTI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | ООО | Без свинца | 12 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,2 ДО 3,4 В, ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР. | 1,9 В | 1,7 В | 2,28 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 4-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 4,80x4,80 мкм | 60 дБ | 1280 | 1024 | 1/2 дюйма | 72 МГц | 210 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||||||
| AR0132AT6R00XPEA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0132at6m00xpea0drbr1-datasheets-5852.pdf | 63-ЛБГА | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,50 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 115 дБ | 45 | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | |||||||||||||||||||||||||
| AR0135AT2M00XUEA0-DPBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | Поднос | Соответствует ROHS3 | 63-ЛБГА | 20 недель | 3,75 мкмx3,75 мкм | 54 | 1280 х 960 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR1820HSSC12SHEA0-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 60-ЛБГА | 22 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1,8 В 2,8 В | 1,34 мкмx1,34 мкм | 60 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0220AT3C00XUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0220at3b00xuea0dpbr-datasheets-5818.pdf | 87-ЛБГА | 19 недель | 4,2 мкмx4,2 мкм | 60 | 1828 х 948 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9F002I12-N4000-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9f002i12stcvdp-datasheets-5867.pdf | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.