Ampleon USA Inc. (1840)

Имя	Производитель	Количество	Статус частично	Упаковка	Уровень чувствительности влаги (MSL)	Напряжение - оценка	Частота	Операционный режим	Статус ROHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет / корпус	Количество терминаций	Время выполнения завода	Код ECCN	Достичь кода соответствия	Справочный стандарт	Поверхностное крепление	Терминальная позиция	Терминальная форма	Пиковая температура отвоз (CEL)	Базовый номер детали	Время@Пиковой температуру (я)	Количество элементов	Прирост	Код JESD-30	Пакет устройства поставщика	Материал транзистора	Конфигурация	Случайный соединение	Приложение транзистора	Полярность/Тип канала	DS Breakdown Trastage-Min	Технология FET	Питание - выход	Текущий рейтинг (AMP)	Ток - тест	Дренажный ток-ток (ABS) (ID)	Тип транзистора	Напряжение - тест
BLM7G22S-60PBY	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	65 В	2,14 ГГц		ROHS3 соответствует	2011 год	/files/ampleonusainc blm7g22s60pby-datasheets-8122.pdf	SOT-1211-2		13 недель											31,5db		16-HSOPF								1,6 Вт		75 мА		LDMOS (двойной)	28 В
BLM9D2327S-50PBGY	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				ROHS3 соответствует					13 недель
BLS7G2325L-105,112	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	65 В	2,3 ГГц ~ 2,5 ГГц	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2010 год	/files/ampleonusainc bls7g2325l105112-datasheets-8457.pdf	SOT-502A	2	13 недель	Ear99		IEC-60134	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН		НЕ УКАЗАН	1	18 дБ	R-CDFM-F2		Кремний	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	110 Вт	5 мкА		28а	LDMOS	10 В
BLF9G20LS-160VJ	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	65 В	1,81 ГГц ~ 1,88 ГГц		ROHS3 соответствует	2011 год	/files/ampleonusainc blf9g20ls160vj-datasheets-8326.pdf	SOT-1120b		13 недель											19.8db		Ld								35,5 Вт		800 мА		LDMOS	28 В
BLC9G20LS-120VTY	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)			1,805 ГГц ~ 1,995 ГГц				/files/ampleonusainc blc9g20ls120vty-datasheets-9160.pdf	SOT-1271-2		13 недель											18,5db										172 Вт	2,8 мкА	700 мА		LDMOS	28 В
BLF7G24LS-140,118	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	65 В	2,3 ГГц ~ 2,4 ГГц	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2010 год	/files/ampleonusainc blf7g24ls140118-datasheets-9230.pdf	SOT-502B	2	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	BLF7G24	НЕ УКАЗАН	1	18,5db	R-CDFP-F2		Кремний	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	30 Вт	28а	1.3a	28а	LDMOS	28 В
BLC9G20LS-240PVY	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	65 В	1,81 ГГц ~ 1,88 ГГц		ROHS3 соответствует	2010 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc blc9g20ls240pvz-datasheets-8449.pdf	SOT1275-3		13 недель											18 дБ		DFM6								240 Вт		1.6a		LDMOS (двойной), общий источник	28 В
BLP15M9S30GZ	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)				ROHS3 соответствует					13 недель
BLM9D1822S-60PBGY	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	65 В	1,8 ГГц ~ 2,2 ГГц				/files/ampleonusainc blm9d1822s60pbgy-datasheets-9793.pdf	OMP-780-16G-1		13 недель											28,7db											1,4 мкА	222ma		LDMOS (двойной)	28 В
BLM9D2527-20ABZ	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	3 (168 часов)	28 В	2,5 ГГц ~ 2,7 ГГц				/files/ampleonusainc blm9d252720abz-datasheets-9661.pdf	20-QFN открытая площадка		13 недель																					20 Вт				LDMOS
BLS6G2735L-30,112	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	60 В	3,1 ГГц ~ 3,5 ГГц	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2010 год	/files/ampleonusainc bls6g2735l30112-datasheets-0827.pdf	SOT-1135A	2	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН		НЕ УКАЗАН	1	13 дБ	S-CDFM-F2		Кремний	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	30 Вт		50 мА		LDMOS	32V
BLF7G24LS-140,112	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	65 В	2,3 ГГц ~ 2,4 ГГц	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2010 год	/files/ampleonusainc blf7g24ls140118-datasheets-9230.pdf	SOT-502B	2	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	BLF7G24	НЕ УКАЗАН	1	18,5db	R-CDFP-F2		Кремний	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	30 Вт	28а	1.3a	28а	LDMOS	28 В
BLC8G09XS-400AVTZ	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	3 (168 часов)	65 В	791 МГц ~ 960 МГц			2011 год	/files/ampleonusainc blc8g09xs400avtz-datasheets-1099.pdf	SOT-1258-7		13 недель											17 дБ										540 Вт	2,8 мкА	880 мА		LDMOS	32V
BLF6G15L-250PBRN, 1	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Трубка	1 (неограниченный)	65 В	1,47 ГГц ~ 1,51 ГГц	Режим улучшения	Не совместимый с ROHS	2010 год	/files/ampleonusainc blf6g15l250pbrn1-datasheets-1252.pdf	SOT-1110A	8		Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Квадратный	Неуказано	НЕ УКАЗАН	BLF6G15	НЕ УКАЗАН	3	18,5db	R-CQFM-X8		Кремний	Общий источник, 3 элемента	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	60 Вт	64а	1.41a	64а	LDMOS	28 В
BLF7G22L-2550P, 112	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	65 В	2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц		Не совместимый с ROHS	2010 год	/files/ampleonusainc blf7g22l250p118-datasheets-1230.pdf	SOT539A										BLF7G22			18,5db		SOT539A								70 Вт	65а	1.9а		LDMOS (двойной), общий источник	28 В
BLF6G22L-40P, 118	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	65 В	2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц		Не совместимый с ROHS	2010 год	/files/ampleonusainc blf6g22ls40p118-datasheets-8199.pdf	SOT-1121A										BLF6G22			19db		Ld								13,5 Вт	16A	410 мА		LDMOS (двойной), общий источник	28 В
BLF6G10L-40BRN, 118	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	65 В	788,5 МГц ~ 823,5 МГц	Режим улучшения	Не совместимый с ROHS	2010 год	/files/ampleonusainc blf6g10l40brn112-datasheets-1371.pdf	SOT-1112A	6		Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Квадратный	Неуказано	НЕ УКАЗАН	BLF6G10	НЕ УКАЗАН	2	23 дБ	S-CQFM-X6		Кремний	Общий источник, 2 элемента		Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	2,5 Вт	11A	390 мА	11A	LDMOS (двойной), общий источник	28 В
BLF25M612,112	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	65 В	2,45 ГГц	Режим улучшения	Не совместимый с ROHS	2011 год	/files/ampleonusainc blf25m612g112-datasheets-1730.pdf	SOT-975B	2	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	BLF25M612	НЕ УКАЗАН	1	19db	S-CDFP-F2		Кремний	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	12 Вт		10 мА		LDMOS	28 В
BLF988,112	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	110В	860 МГц	Режим улучшения	Не совместимый с ROHS	2011 год	/files/ampleonusainc blf988112-datasheets-1854.pdf	SOT539A	4	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА		ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН		НЕ УКАЗАН	2	20,8db	R-CDFM-F4		Кремний	Общий источник, 2 элемента		Усилитель	N-канал	110В	Металлический полупроводник	250 Вт		1.3a		LDMOS (двойной), общий источник	50 В
BLF8G20LS-140VJ	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	65 В	1,81 ГГц ~ 1,88 ГГц		Не совместимый с ROHS	2011 год	/files/ampleonusainc blf8g20ls140vu-datasheets-1972.pdf	SOT-1244B													18,5db		CDFM6								35 Вт		900 мА		LDMOS	28 В
BLF7G15LS-300P, 118	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	65 В	1,47 ГГц ~ 1,51 ГГц	Режим улучшения	Не совместимый с ROHS	2010 год	/files/ampleonusainc blf7g15ls300p112-datasheets-1304.pdf	SOT539B	4		Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА		ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	BLF7G15	НЕ УКАЗАН	2	18 дБ	R-CDFP-F4		Кремний	Общий источник, 2 элемента		Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	85 Вт	45а	2.6a	45а	LDMOS (двойной), общий источник	28 В
BLF879PSIN	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать		1 (неограниченный)						/files/ampleonusainc blf8g20ls200v-datasheets-2479.pdf
BLF6G10LS-200r, 118	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	65 В			Не совместимый с ROHS	2008	/files/ampleonusainc blf6g10ls200r112-datasheets-3115.pdf	SOT-502B										BLF6G10					SOT502B								40 Вт	49а	1.4a		LDMOS	28 В
BLF6G27LS-75,118	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Лента и катушка (TR)	1 (неограниченный)	65 В			Не совместимый с ROHS	2009	/files/ampleonusainc blf6g27ls75118-datasheets-3304.pdf	SOT-502B										BLF6G27					SOT502B								9 Вт	18а	600 мА		LDMOS	28 В
BLL1214-250R, 112	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	75 В.	1,2 ГГц ~ 1,4 ГГц			2009	/files/ampleonusainc bll1214250R112-datasheets-3741.pdf	SOT-502A													13 дБ										250 Вт		150 мА		LDMOS	36 В
BLF6G22LS-180PN, 11	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Трубка	1 (неограниченный)	65 В	2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц			2010 год	/files/ampleonusainc blf6g22180pn112-datasheets-3176.pdf	SOT-502B										BLF6G22			17,5db		SOT502B								50 Вт		1.6a		LDMOS (двойной), общий источник	32V
BLF7G20LS-250p, 112	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	65 В	1,81 ГГц ~ 1,88 ГГц	Режим улучшения	Не совместимый с ROHS	2011 год	/files/ampleonusainc blf7g20l250p118-datasheets-3905.pdf	SOT539B	4	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА		ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН	BLF7G20	НЕ УКАЗАН	2	18 дБ	R-CDFP-F4		Кремний	Общий источник, 2 элемента		Усилитель	N-канал	65 В	Металлический полупроводник	70 Вт	65а	1.9а	65а	LDMOS (двойной), общий источник	28 В
BLF573S, 112	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос	1 (неограниченный)	110В	225 МГц	Режим улучшения	ROHS3 соответствует	2010 год	/files/ampleonusainc blf573s112-datasheets-8048.pdf	SOT-502B	2	13 недель	Ear99	неизвестный	IEC-60134	ДА	Двойной	ПЛОСКИЙ	НЕ УКАЗАН		НЕ УКАЗАН	1	27,2DB	R-CDFP-F2		Кремний	ОДИНОКИЙ	ИСТОЧНИК	Усилитель	N-канал	110В	Металлический полупроводник	300 Вт	42а	900 мА	42а	LDMOS	50 В
BLS9G2731L-400U	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Поднос		65 В	2,7 ГГц ~ 3,1 ГГц			2011 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-bls9g2731l400u-datasheets-8174.pdf	SOT-502A		13 недель											13 дБ										400 Вт	4 мкА	400 мА		LDMOS	32V
BLP8G27-5Z	Ampleon USA Inc.	RFQ Мин: 1 Mult: 1	скачать	Вырезать ленту (CT)	3 (168 часов)	65 В	2,14 ГГц		ROHS3 соответствует	2011 год	/files/ampleonusainc blp8g275z-datasheets-8681.pdf	16-VDFN открытая площадка		13 недель											18 дБ		16-hvson (6x4)								750 МВт		55 мА		LDMOS	28 В

Ampleon USA Inc. (1840)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии