ТТ Электроникс/Оптек Технология

ТТ Электроникс/Оптек Технология(4930)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/кейс Метод измерения Длина Входной ток Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Дополнительная функция Материал корпуса Радиационная закалка Количество функций Полярность Максимальная рассеиваемая мощность Количество каналов Рассеяние мощности Время ответа Количество элементов Сенсорный экран Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Прямой ток-Макс. Максимальный ток во включенном состоянии Расстояние срабатывания Размер зазора Время отклика-Макс. Конфигурация выхода Обратное напряжение пробоя Максимальное напряжение пробоя Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) Макс. ток коллектора Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. Максимальное напряжение во включенном состоянии Длина волны Пиковая длина волны Темный ток-Макс. Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ширина слота-ном. Номинальный ток коллектора в состоянии включения
OPS697 ОПС697 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без ограничений) 100°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-ops697-datasheets-6839.pdf Радиальный Пересечение луча 2 Фототранзистор 30 В 50 мА 30 В
OPB881N55Z ОПБ881Н55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Свободное подвешивание Свободное подвешивание -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB920BZ ОПБ920БЗ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Выключатель Фотологик® Шасси, Панель Шасси, Панель, Прямоугольный -40°К~70°К Масса 1 (без ограничений) 70°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb920bz-datasheets-8107.pdf Модуль, выводы проводов 20 мА 4 Инфракрасный (ИК) 35В Открытый коллектор 20 мА
OPB810L51 ОПБ810Л51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 20 мА 11,1 мм Без свинца 10 недель Неизвестный 4 Пластик Нет 1 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 30 В 50 мА 1,7 В 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB350L187 ОПБ350L187 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ОПБ350 Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2009 год /files/ttelectronicsoptektechnology-ocb350l187z-datasheets-5332.pdf 30 В Монтаж на печатной плате Жидкость Без свинца 10 недель 4 100мВт 1 50 мА 0,188 (4,78 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 50 мА 50 мА 890 нм 890 нм 30 В 50 мА
OPB840W55Z ОПБ840W55Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без ограничений) 80°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 20 мА Без свинца 10 недель Нет СВХК 4 100мВт 1 30 В 50 мА 1,7 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 880 нм 30 В 30 мА
OPB680-20 ОПБ680-20 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без ограничений) Припой 100°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb68020-datasheets-8284.pdf Монтаж на печатной плате Оптический флаг 1,6 В Без свинца 8 недель Нет СВХК 4 Нет 200мВт 1 Инфракрасный (ИК) 30 мА 50 мА 1,6 В 2,03 мм Транзистор, резистор база-эмиттер 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB891T55Z ОПБ891Т55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт, сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 12 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB365N51 ОПБ365Н51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 20 мА 12 недель 4 1 100мВт 1 30 В 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB800W55Z ОПБ800W55Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без ограничений) 80°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 20 мА Без свинца 8 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 30 В 50 мА 1,7 В 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB360N51 ОПБ360Н51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 12 недель 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB880L51Z ОПБ880L51Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча Без свинца 12 недель 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB872T55 ОПБ872Т55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 12 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB315L ОПБ315Л ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без ограничений) 80°С -40°С Соответствует RoHS 2014 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb315wz-datasheets-8271.pdf Модуль со слотами, 4-выводный, двухрядный Пересечение луча 12 недель 100мВт 50 мА 0,900 (22,86 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 1 мА 50 мА 850 нм 30 В 1 мА
OPB380P51Z ОПБ380П51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2009 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 18,47 мм 10,8 мм 6,35 мм 12 недель 4 100мВт 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB870T51 ОПБ870Т51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2002 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 24,61 мм 20 мА 10,8 мм 6,35 мм 12 недель Нет СВХК 4 100мВт 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 30 В 50 мА 1,3 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB365L55 ОПБ365L55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB375T51 ОПБ375Т51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB380N55Z ОПБ380Н55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 10 недель 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB815W ОПБ815W ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без ограничений) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb815w-datasheets-1917.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 9,53 мм 1,7 В 4 1 100мВт 1 50 мА 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 50 мА 30 В
OPB828A ОПБ828А ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 12 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB832W55 ОПБ832W55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси, винт Крепление на шасси -40°К~80°К Масса 1 (без ограничений) 80°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB847L51 ОПБ847Л51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) Припой 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 Инфракрасный (ИК) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 В 30 мА
OPB860L11 ОПБ860Л11 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 НПН 100мВт 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB860P51 ОПБ860П51 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB854B3 ОПБ854Б3 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb854a3-datasheets-0340.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,100 (2,54 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
OPB870P55TX ОПБ870П55ТХ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb870t51tx-datasheets-0773.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 1 Инфракрасный (ИК) 0,05А 0,0005А 0,125 (3,18 мм) 3,17 мм 0,000015 с Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 50В 50В 100нА 30 мА 3,11 мм 0,5 мА
OPB848TXV ОПБ848TXV ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb847tx-datasheets-0720.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение луча 10 недель 4 12 мкс, 12 мкс Инфракрасный (ИК) 0,100 (2,54 мм) Фототранзистор 30 В 50 мА 30 В
OPB870P55TXV ОПБ870П55ТХВ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb870t51tx-datasheets-0773.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 12 недель 4 Инфракрасный (ИК) 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 мА 50 мА 30 мА
OPB875P55 ОПБ875П55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Модуль, предварительно смонтированный Пересечение луча 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.