Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОстрая микроэлектроника(4951)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Форма | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Приложения | Максимальная рассеиваемая мощность | Рабочая температура (мин) | Количество каналов | Рассеяние мощности | Количество элементов | Количество цепей | Пакет устройств поставщика | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальное напряжение изоляции | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение пробоя | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Минимальное напряжение напряжения | Тип дисплея | Длина волны | Ток — выход/канал | Темный ток | Зона просмотра | Режим отображения | Разрешение (высота) | Разрешение (ширина) | Размер экрана по диагонали | Размер диагонали | Инфракрасный диапазон | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Подсветка | Точечные пиксели | Цвет графики | Шаг точки | Тип подсветки | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Световой ток-ном. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LQ190E1LX75 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | Без свинца | 18 недель | ЛВДС | TFT — цветной | 376,32 мм Ш x 301,06 мм В | Трансмиссивный | 1024 пикселей | 1280 пикселей | 19 482,60 мм | 19 дюймов | Светодиод - Белый | 1280 x 1024 (SXGA) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,29 мм Ш x 0,29 мм В | ВЕЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ104V1DG51 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/sharpmicroelectronics-lq104v1dg51-datasheets-0558.pdf | 246 мм | 15,5 мм | 179 мм | Без свинца | 31 | Параллельный, 18 бит (RGB) | TFT — цветной | 211,20 мм Ш x 158,40 мм В | Трансмиссивный | 480 пикселей | 640 пикселей | 10,4 264,16 мм | 10,4 дюйма | CCFL | 640 х 480 (ВГА) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,33 мм Ш x 0,33 мм В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ084S3DG01 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Коробка | Непригодный | 40 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-lq084s3dg01-datasheets-2017.pdf | Модуль | 200 мм | 11,6 мм | 149 мм | Без свинца | 30 | 18 бит, параллельный, RGB | Нет | 430 мА | 600 пикселей | 800 пикселей | 8,4 дюйма | CCFL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD481PI | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pd481pi-datasheets-6277.pdf | Вид сбоку | Содержит свинец | КВАДРАТ | 2 | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ, ВСТРОЕННЫЙ ФИЛЬТР, ОТКРЫВАЮЩИЙ ВИДИМЫЙ СВЕТ | неизвестный | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | PIN-ФОТОДИОД | ОДИНОКИЙ | 32В | 960 нм | 1нА | ДА | 32В | 680 нм ~ 1200 нм | 0,005 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR3E3076 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Справочник по гамма-коррекции | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/sharpmicroelectronics-lq038q7db03-datasheets-0563.pdf | 12-LSOP (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 | TFT-ЖК-мониторы | 12-ССОП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81108NSZ | Острая микроэлектроника | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81102nsz-datasheets-0683.pdf | ОКУНАТЬ | Содержит свинец | 1 | 1 | 70В | 3 мкс | 350 мВ | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC367N2TJ00F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 170 мВт | 1 | 80В | 80В | 500 мкА | Транзистор | 10 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 6В | 50 мА | 200% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC853XNNIP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PC853X | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | 320мВт | 1 | Дарлингтон | 50 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 350В | 150 мА | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 350В | 1000% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81710NSZ1H | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 80В | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК3H510NIP1B | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h510nip1b-datasheets-0467.pdf | 1 | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 10 мА | 80 мА | 35В | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81711NSZ0X | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | 4-ДИП | 80В | 1,2 В | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 120% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК354Н | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc354n-datasheets-6595.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 20% при 1 мА | 400% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК357Н1 | Острая микроэлектроника | 0,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc357n3-datasheets-6635.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q710NIP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q710nip-datasheets-6770.pdf | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 16 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4 | 4 | 80В | Транзистор | 0,01 А | 4 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 70В | 50 мА | 100нА | 100% при 500 мкА | 600% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК849 | Острая микроэлектроника | 0,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc849-datasheets-6795.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4 | 170 мВт | 4 | 35В | 50 мА | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100нА | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК123Y2 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123p-datasheets-0663.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100% при 5 мА | 250% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC818Y | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc818i-datasheets-0696.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | 1 | 35В | Транзистор | 7 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,2 В | 7 мкс 6 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 35В | 10% при 1 мА | 100% при 1 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC853XI | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc852xi-datasheets-6816.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 350В | Дарлингтон | 0,05А | 100 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 4000% | 150 мА | 200нА | 1000% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N360NSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 1 | 30 В | Дарлингтон с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 100 мА | 100 мА | 100% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N330YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 1 | 30 В | Дарлингтон с базой | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 100 мА | 100 мА | 100% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC815XJ0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815xj0000f-datasheets-6933.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | неизвестный | 200мВт | 200мВт | 1 | 35В | 500 мкА | Дарлингтон | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 300 мкс | 250 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 75 мА | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC12311NSZ0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc12310nsz0f-datasheets-6930.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 1 | 1 | 70В | 70В | 5мА | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 1,25 мА | 100% при 500 мкА | 250% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC353TJ0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc353tj0000f-datasheets-6994.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | Без свинца | 20 недель | 5 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК123П2 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123p-datasheets-0663.pdf | СМД/СМТ | Содержит свинец | 4 | 1 | 200мВт | 1 | 1 | 70В | 50 мА | 1,4 В | 18 мкс | 18 мкс | 6В | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 400 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК365Н | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | Непригодный | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc365n-datasheets-7431.pdf | СМД/СМТ | Содержит свинец | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | -30°С | 1 | 1 | 35В | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | 3750В | 60 мкс | ОДИНОКИЙ | 1В | 80 мА | 600% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК4H520NIP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc4h520nip0f-datasheets-8558.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 4 | 210мВт | 1 | 4-мини-квартира | 350В | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 1,4 В | 120 мА | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 120 мА | 120 мА | 350В | 1000% при 1 мА | 1,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123FY1J00F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123yj0000f-datasheets-6932.pdf | 4-DIP (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 4 | ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | неизвестный | е6/е2 | ОЛОВО ВИСМУТ/ОЛОВО МЕДЬ | 200мВт | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81710NSZJF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81716nip0f-datasheets-3501.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 3мА | 50 мА | 80В | 100% при 500 мкА | 600% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC815XPYJ00F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815xj0000f-datasheets-6934.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 200мВт | 1 | 1 | 4-СМД | 35В | Дарлингтон | 60 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 75 мА | 80 мА | 35В | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC957L0NIP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ОПИК™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc957l0nsz0f-datasheets-6927.pdf | 8-СМД | Без свинца | 100мВт | 1 | 8-СМД | 1 Мбит/с | 25 мА | Транзистор | 200 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,7 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 400 нс |
