Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОстрая микроэлектроника(4951)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Входной ток | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Форма | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Ориентация | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Максимальное напряжение питания (постоянный ток) | Минимальное напряжение питания (постоянный ток) | Достичь кода соответствия | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Рабочая температура (мин) | Количество каналов | Рассеяние мощности | Количество элементов | Количество цепей | Пакет устройств поставщика | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Напряжение изоляции | Максимальный входной ток | Ток утечки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальное напряжение изоляции | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Яркость света | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение пробоя | Обратное напряжение | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | Тип дисплея | Длина волны | Ток — выход/канал | Темный ток | Размер | Зона просмотра | Режим отображения | Область просмотра (ширина) | Область просмотра (высота) | Разрешение (высота) | Разрешение (ширина) | Размер экрана по диагонали | Размер диагонали | Инфракрасный диапазон | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Ток холостого хода, тип. при 25°C | Диапазон связи, низкая мощность | Неисправность | Подсветка | Точечные пиксели | Цвет графики | Шаг точки | Цвет фона | Тип подсветки | Ширина пикселей | Высота пикселя | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Световой ток-ном. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GP2W0004YP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -25°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2w0004yp-datasheets-1311.pdf | Модуль | 5,5 В | Содержит свинец | Вид сбоку | 2,4 В~5,5 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | 870 нм | 9,2 мм х 3,9 мм х 2,7 мм | 1 мкА | 20 см | Да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2W0112YP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -25°С | 2000 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2w0112yp0f-datasheets-2416.pdf | Модуль | 2,5 В | Без свинца | 9 | Вид сбоку | 115,2 кбит/с | 870 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ156T3LW03 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Без свинца | 20 недель | ЛВДС | TFT — цветной | 344,23 мм Ш x 193,54 мм В | Трансмиссивный | 768 пикселей | 1366 пикселей | 15,55 394,97 мм | 15,55 дюйма | Светодиод - Белый | 1366 x 768 (WXGA2) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,25 мм Ш x 0,25 мм В | ВЕЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ150X1LG96 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | Без свинца | 18 недель | ЛВДС | TFT — цветной | 304,10 мм Ш x 228,10 мм В | Трансмиссивный | 768 пикселей | 1024 пикселей | 15 381,00 мм | 15 дюймов | Светодиод - Белый | 1024 x 768 (XGA) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,30 мм Ш x 0,30 мм В | ВЕЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ121S1LG41 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-lq121s1lg41-datasheets-0519.pdf | Содержит свинец | 20 | ЛВДС | TFT — цветной | 246,00 мм Ш x 184,50 мм В | Трансмиссивный | 600 пикселей | 800 пикселей | 12,1 307,34 мм | 12,1 дюйма | CCFL | 800 х 600 (SVGA) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,31 мм Ш x 0,31 мм В | CCFL | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ064V3DG01 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Масса | 1 (без ограничений) | 80°С | -30°С | 25,2 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-lq064v3dg01-datasheets-0612.pdf | 161,3 мм | 3,3 В | Без свинца | 31 | Параллельный, 18 бит (RGB) | 3,6 В | 3В | 580 мА | Нет | 1 мкА | 350 кд | TFT — цветной | 130,56 мм Ш x 97,92 мм В | Трансмиссивный | 130,56 мм | 97,92 мм | 480 пикселей | 640 пикселей | 6,4 162,56 мм | 6,4 дюйма | CCFL | 640 х 480 (ВГА) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,20 мм Ш x 0,20 мм В | Белый | CCFL | 204 мкм | 204 мкм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БС120 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-bs120-datasheets-6123.pdf | Вид сбоку | Содержит свинец | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | неизвестный | 1 | ОДИНОКИЙ | 10 В | 560 нм | 3пА | НЕТ | 10 В | 500 нм ~ 600 нм | 1,55 мм2 | 0,00016 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BS120E0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/sharpmicroelectronics-bs120e0f-datasheets-0612.pdf | Вид сбоку | Без свинца | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | неизвестный | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 60 мкс | 60 мкс | ОДИНОКИЙ | 10 В | 10 В | 560 нм | 3пА | НЕТ | 500 нм ~ 600 нм | 1,55 мм2 | 0,00016 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81108NSZ0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81105nsz0f-datasheets-0678.pdf | ПДИП | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 200мВт | 1 | 1 | 70В | 50 мА | 5В | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 20 мкс | 10 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 350 мВ | 30 мА | 30 мА | 400 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC852XPJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc852xpj000f-datasheets-3536.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 200мВт | 200мВт | 1 | 350В | 50 мА | Дарлингтон | 300 мкс | 100 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,2 В | 350В | 150 мА | 100 мкс 20 мкс | 40 мА | 4000% | 150 мА | 200нА | 1000% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК357M9J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-Миниквартира | 4 | 170 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 130% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК123X2YIP0F | Острая микроэлектроника | $2,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123x2yip0f-datasheets-0217.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 50 мА | Без свинца | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 4-СМД | 70В | 70В | 50 мА | 1,2 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 5 мА | 250% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК3H712NIP1B | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h711nip1b-datasheets-0441.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1 | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 80В | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC12310NFZ0X | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 4 | Нет | 1 | 170 мВт | 4-ДИП | 70В | Транзистор | 4 мкс | 3 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 2,5 мА | 50 мА | 70В | 50% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК355Н | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc355n-datasheets-6627.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 35В | Дарлингтон | 0,05 А | 60 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 1600% | 80 мА | 600% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК357НТ | Острая микроэлектроника | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc357n3-datasheets-6635.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 50 мА | 1,2 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК450Т11 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc450t11-datasheets-6748.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | 1 | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 1,2 В | 50 мкс 30 мкс | 50 мА | 150 мА | 150 мА | 40В | 1500% при 5 мА | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81711NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81711nsz-datasheets-6788.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 1,5 мА | 50 мА | 120% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC815IY | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 1 | 35В | Дарлингтон | 60 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 35В | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N250NSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 6 | 1 | 30В | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 100 мА | 100 мА | 20% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК733H | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc733j00000f-datasheets-0764.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | ПРИЗНАНИЕ UL, СОВМЕСТИМОСТЬ TTL | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 35В | Транзистор с базой | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,4 В | 4 мкс 3 мкс | 150 мА | 80 мА | 80 мА | 20% при 100 мА | 80% при 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81510NSZ | Острая микроэлектроника | 0,21 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81510nsz-datasheets-6850.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-ДИП | 35В | Дарлингтон | 60 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 10 мА | 60 мА | 80 мА | 35В | 600% при 500 мкА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81713NIP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81711nsz-datasheets-6788.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | 1 | 1 | 4-СМД | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 200% при 500 мкА | 500% при 500 мкА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC817X0J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 200мВт | 200мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80% при 5 мА | 600% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК817X4J000F | Острая микроэлектроника | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 20 мА | 6,5 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | UL ПРИЗНАЛ | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 80В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC851XIJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -25°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc851xpj000f-datasheets-3547.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 1 | 4-СМД | 350В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 10 мкс | 12 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300 мВ | 350В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 350В | 300 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC853XIJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc852xpj000f-datasheets-3536.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 320мВт | 1 | 1 | 350В | 1 мА | Дарлингтон | 100 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1,2 В | 150 мА | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 4000% | 200нА | 1000% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123Y | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123p-datasheets-0663.pdf | ОКУНАТЬ | Содержит свинец | ПРИЗНАН UL, ОДОБРЕН VDE | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | -30°С | 1 | 1 | 70В | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,05 А | 5000В | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 200 мВ | 50 мА | 50% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q410NIP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q410nip0f-datasheets-8512.pdf | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 16 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 170 мВт | 4 | 80В | 10 мА | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100нА | 50% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК817X7J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 200мВт | 200мВт | 1 | 80В | 5мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА |
