| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Способ упаковки | Код JESD-609 | Особенность | Терминал отделки | Приложения | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Включить время задержки | Особенности монтажа | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Удерживать ток | Направление | Код JEDEC-95 | Напряжение отключения (макс.) | Напряжение отключения (мин.) | Напряжение @ Pmpp | Мощность (Вт) — Макс. | Текущий @ Pmpp | Напряжение – разомкнутая цепь | Ток – короткое замыкание (Isc) | Полупроводниковый материал | Тип триггерного устройства | Напряжение – зажим | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Схема переключателя | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CPC7524B | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | 28-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Защита от неисправностей | Телекоммуникации | 4 | 28-СОИК | 50 Ом, тип. | 3:1 | 3В~3,6В | СПСТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА130Н10Т | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/ixys-ixta130n10t-datasheets-0932.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 8 недель | 9,1 МОм | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 47нс | 28 нс | 44 нс | 130А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 350А | 500 мДж | 100В | N-канал | 5080пФ при 25В | 9,1 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 130А Тс | 104 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN360N10T | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixfn360n10t-datasheets-3102.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 30 недель | 2,6 МОм | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | Нет | НИКЕЛЬ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 830 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 100 нс | 160 нс | 80 нс | 360А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 830 Вт Тс | 900А | 2000 мДж | N-канал | 36000пФ при 25В | 2,6 мОм при 180 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 360А Тк | 505 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP32P05T | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ixys-ixtp32p05t-datasheets-4440.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 32А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 83 Вт Тс | ТО-220АБ | 110А | 0,039 Ом | 200 мДж | P-канал | 1975 пФ при 25 В | 39 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 32А Тк | 46 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTL2X220N075T | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixtl2x220n075t-datasheets-4273.pdf | ISOPLUSi5-Pak™ | 5 | 5 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 2 | Не квалифицирован | 65нс | 47 нс | 55 нс | 120А | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600А | 1000 мДж | 75В | 2 N-канала (двойной) | 7700пФ при 25 В | 5,5 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 165 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM220-004P3-SL | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ixys-gwm220004p3smd-datasheets-5786.pdf | 17-SMD, плоские выводы | 17 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | GWM220 | 6 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф17 | 140 нс | 180А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,6 мОм | 40В | 6 N-каналов (3-фазный мост) | 4 В при 1 мА | 94 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM100-01X1-SLSAM | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/ixys-gwm10001x1sl-datasheets-5730.pdf | 17-SMD, плоские выводы | ГВМ100 | 90А | 100В | 6 N-каналов (3-фазный мост) | 8,5 мОм при 80 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 90 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФММ22-06ПФ | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/ixys-fmm2206pf-datasheets-0377.pdf | i4-Pac™-5 | 5 | 30 недель | 5 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 130 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | ФММ | 5 | НЕ УКАЗАН | 2 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 12А | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 130 Вт | 66А | 1000 мДж | 2 N-канала (двойной) | 3600пФ при 25В | 350 мОм при 11 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 58 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCB30P1200LB-ТРР | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MCB30P1200LB | Поверхностный монтаж | 9-PowerSMD | 28 недель | 1200В | 4 N-канала (полумост) | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH36N50P | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/ixys-ixfh36n50p-datasheets-4795.pdf | 500В | 36А | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 540 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 25 нс | 27нс | 21 нс | 75 нс | 36А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 540 Вт Тс | ТО-247АД | 90А | 500В | N-канал | 5500пФ при 25В | 170 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 36А Тк | 93 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP08N100D2 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixtp08n100d2-datasheets-1351.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 60 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 800мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 60 Вт Тс | ТО-220АБ | 1кВ | N-канал | 325пФ при 25В | 21 Ом при 400 мА, 0 В | 800 мА Тс | 14,6 нК при 5 В | Режим истощения | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА1R6N50D2 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixty1r6n50d2-datasheets-1609.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 19 недель | да | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 1,6А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | УСИЛИТЕЛЬ | 500В | 100 Вт Тс | ТО-263АА | N-канал | 645пФ при 25В | 2,3 Ом при 800 мА, 0 В | 1,6 А Тс | 23,7 нК при 5 В | Режим истощения | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМ111К09Л | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Монокристаллический | ИКСОЛАР™ | -40°К~90°К | Масса | 2,44Дx0,83Ш x 0,08В 62,0x21,0x2,0 мм | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/ixys-sm111k09l-datasheets-5423.pdf | Клетки | 9 недель | 5,02 В | 220мВт | 43,9 мА | 6,22 В | 46,7 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT16N10D2 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/ixys-ixtt16n10d2-datasheets-5658.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 19 недель | да | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 16А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 830 Вт Тс | 0,064Ом | N-канал | 5700пФ при 25В | 64 мОм при 8 А, 0 В | 16А Тс | 225 нК при 5 В | Режим истощения | 0 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМ101К12Л | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Монокристаллический | ИКСОЛАР™ | -40°К~90°К | Поднос | 1,772Д x 1,260 Ш x 0,083 В | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/ixys-sm101k12l-datasheets-5552.pdf | Клетки | 9 недель | 6,7 В | 263 МВт | 39,3 мА | 8,29 В | 41,9 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH400N075T2 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixfh400n075t2-datasheets-9152.pdf | ТО-247-3 | 3 | 20 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 400А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | 1000 Вт Тс | 1000А | 0,0023Ом | 1500 мДж | N-канал | 24000пФ при 25В | 2,3 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 400А Тс | 420 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМ451К10Л | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Монокристаллический | ИКСОЛАР™ | -40°К~90°К | Масса | 3,50 x 2,64 x 0,08 в 89,0 x 67,0 x 2,0 мм | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/ixys-sm451k10l-datasheets-5708.pdf | Клетки | 9 недель | 5,58 В | 980 МВт | 176 мА | 6,91 В | 187 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH16N80P | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-ixfh16n80p-datasheets-7014.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | Нет СВХК | 600МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 460 Вт | 1 | 32нс | 29 нс | 75 нс | 16А | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 460 Вт Тс | ТО-247АД | 800В | N-канал | 4600пФ при 25В | 600 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 16А Тс | 71 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPC1831N | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Фотоэлектрический | -40°К~85°К | Трубка | 0,193Дx0,154Ш x 0,061В 4,90x3,90x1,55 мм | 3 (168 часов) | 2012 год | /files/ixysintegratedcircuitsdivision-cpc1831n-datasheets-5957.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | неизвестный | 7,8 В | 25 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH6N120 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/ixys-ixtt6n120-datasheets-5569.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 28 недель | 2,6 Ом | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | 33нс | 18 нс | 42 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 6А | 24А | 500 мДж | 1,2 кВ | N-канал | 1950пФ при 25В | 2,6 Ом при 3 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 6А Тс | 56 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КХОБ22-04С3 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Монокристаллический | ИКСОЛАР™ | Трубка | 0,866Дx0,276Ш x 0,074В 22,00x7,00x1,80 мм | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/ixys-kxob2204x3-datasheets-6095.pdf | 44 мА | Клетки | 1,8 мм | Без свинца | ТУ | ДА | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,5 В | 13,38 мА | 1,89 В | 15 мА | КРЕМНИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ130N10T | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/ixys-ixth130n10t-datasheets-1341.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 8 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 47нс | 28 нс | 44 нс | 130А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 0,0091Ом | 500 мДж | 100В | N-канал | 5080пФ при 25В | 9,1 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 130А Тс | 104 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМ470К12Л | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Монокристаллический | ИКСОЛАР™ | -40°К~90°К | Масса | 0,87Дx1,38Ш x 0,08В 22,0x35,0x2,0 мм | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/ixys-sm470k12l-datasheets-6246.pdf | Клетки | 6,7 В | 123 МВт | 18,3 мА | 8,29 В | 19,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH74N20P | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Коробка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-ixfh74n20p-datasheets-3542.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | 34МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 23 нс | 21нс | 21 нс | 60 нс | 74А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 480 Вт Тс | 200А | 1000 мДж | 200В | N-канал | 3300пФ при 25В | 34 мОм при 37 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 74А Тк | 107 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBOD2-11 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixys-ixbod208-datasheets-8430.pdf | Радиальный | 1 | 20 мА | БЛОКИРОВКА РВС | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ26N60P | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-ixth26n60p-datasheets-3794.pdf | 600В | 26А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 460 Вт | 1 | Не квалифицирован | 27нс | 21 нс | 75 нс | 26А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 460 Вт Тс | 65А | 0,27 Ом | 1200 мДж | 600В | N-канал | 4150пФ при 25В | 270 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 26А Тк | 72 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBOD1-08 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | 125°С | -40°С | Смешанная технология | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-ixbod110-datasheets-4181.pdf | 900 мА | Радиальный | Без свинца | 2 | 6 недель | 2 | да | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | Высокое напряжение | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Переключающие диоды | 1 | Не квалифицирован | ОДИНОКИЙ | 30 мА | Однонаправленный | 800В | 750В | БЛОКИРОВКА РВС | 800В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH15N100P | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/ixys-ixfh15n100p-datasheets-4049.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 760МОм | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 543 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 44нс | 58 нс | 44 нс | 15А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 543 Вт Тс | 40А | 500 мДж | 1кВ | N-канал | 5140пФ при 25В | 760 мОм при 500 мА, 10 В | 6,5 В @ 1 мА | 15А Тс | 97 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBOD1-32RD | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Печатная плата, сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | 125°С | -40°С | Смешанная технология | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-ixbod110-datasheets-4181.pdf | 900 мА | Радиальный | 2 | Высокое напряжение | 3 | БПК | 30 мА | 3200В 3,2кВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT50N20 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/ixys-ixft50n20-datasheets-4262.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 26 недель | 45МОм | да | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 16 нс | 72 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 200А | 200В | N-канал | 4400пФ при 25В | 45 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 50А Тс | 220 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.