| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОТФ22Н50Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,68 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 22А | Одинокий | 500В | 39 Вт Тс | N-канал | 3710пФ при 25 В | 260 мОм при 11 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 22А Тк | 83 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ404 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | ТО-220 | 2,445 нФ | 40А | 105В | 100 Вт Тс | N-канал | 2445пФ при 25В | 28 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 40А Тс | 46 нК при 10 В | 28 мОм | 6В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6408 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | СК-74, СОТ-457 | 6 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 8,8А | 12 В | Одинокий | 20 В | 2 Вт Та | N-канал | 2200пФ при 10 В | 18 мОм при 8,8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 8,8А Та | 22 нК при 4,5 В | 1,8 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АО6704 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao6704-datasheets-1809.pdf | СК-74, СОТ-457 | неизвестный | 3,6А | 30 В | 1,39 Вт Та | N-канал | 270пФ при 15В | 65 мОм при 3,6 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 3,6А Та | 3,6 нК @ 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ3Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot3n50-datasheets-6055.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 16 недель | Нет | 74 Вт | 1 | 3А | 30 В | 500В | 74 Вт Тс | N-канал | 331пФ при 25 В | 3 Ом при 1,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 8 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6400 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8 | 85А | 30 В | 2,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 8300пФ при 15 В | 1,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 31А Та 85А Тс | 170 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4304 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4304-datasheets-0320.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 3,6 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 18А | 20 В | Одинокий | 30 В | 3,6 Вт Та | N-канал | 1920пФ при 15В | 6 м Ом при 15 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 18А Та | 29 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6200Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 5,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 24А | 30 В | 1,95 Вт Та 35 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 15В | 7,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 13А Та 24А Тс | 20 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4728 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4728-datasheets-0641.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | неизвестный | 3,1 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 20А | 20 В | Одинокий | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 4463пФ при 15 В | 4,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А Тс | 72 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| АО4442 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $9,51 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8 | 3,1 Вт | 1 | 3.1А | 25 В | 75В | 3,1 Вт Та | N-канал | 350пФ при 37,5 В | 130 мОм при 3,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3.1А Та | 6,5 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4488 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4488-datasheets-1183.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 15А | 30 В | 1,7 Вт Та | N-канал | 6800пФ при 15В | 4,6 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та | 112 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ11Н60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot430-datasheets-0079.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | 11А | 600В | 272 Вт Тс | N-канал | 1990 пФ при 25 В | 650 мОм при 5,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 37 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД474 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $20,74 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 10А | 75В | 2,1 Вт Ta 28,5 Вт Tc | N-канал | 280пФ при 37,5 В | 130 мОм при 5 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 2,5 А Та 10 А Тс | 9 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД242 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 54А | 40В | 2,5 Вт Ta 53,5 Вт Tc | N-канал | 1350пФ при 20В | 5,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 14,5 А Та 54 А Тс | 28 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ530 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | TO-251-3 Заглушки, IPak | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 70А | Одинокий | 30 В | 2,5 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 3130пФ при 15В | 2,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 23А Та 70А Тс | 62 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОС2422 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoc2422-datasheets-0820.pdf | 4-SMD, без свинца | 3,5 А | 8В | 600мВт Та | N-канал | 870пФ при 4В | 33 мОм при 1,5 А, 2,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 3,5 А Та | 15 нК при 4,5 В | 1,2 В 2,5 В | ±5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ4C60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aoi4c60-datasheets-0984.pdf | TO-251-3 Заглушки, IPak | совместимый | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Одинокий | 600В | 125 Вт Тс | 4А | N-канал | 910пФ при 100 В | 950 мОм при 1,3 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 18 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ4Т60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 14,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | TO-251-3 Заглушки, IPak | Питание общего назначения на полевых транзисторах | 4А | Одинокий | 600В | 83 Вт Тс | 4А | N-канал | 460пФ при 100В | 2,1 Ом при 1 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 15 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6266 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 16 недель | 8-ДФН (5х6) | 1,34 нФ | 30А | 60В | 5 Вт Та 38 Вт Тс | N-канал | 1340пФ при 30В | 15 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 13А Та 30А Тс | 30 нК при 10 В | 15 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ20К60ПЛ | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | ТО-220-3Ф | 3,607 нФ | 20А | 600В | 45 Вт Тс | N-канал | 3607пФ при 100 В | 250 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 20А Тс | 80 нК при 10 В | 250 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД492 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2,5 Вт | 1 | 85А | 20 В | 30 В | 2,5 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 4512пФ при 15 В | 4,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 85А Тс | 74 нК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ403 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aoi403-datasheets-4042.pdf | TO-251-3 Заглушки, IPak | 3 | 16 недель | 3 | EAR99 | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицирован | 70А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 30 В | 2,5 Вт Та 90 Вт Тс | 200А | 0,0085Ом | 125 мДж | P-канал | 3500пФ при 15В | 6,7 мОм при 20 А, 20 В | 3,5 В @ 250 мкА | 15А Та 70А Тс | 61 нК при 10 В | 10 В 20 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||
| АОН2701 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 6-WDFN Открытая площадка | 3А | 20 В | 1,5 Вт Та | P-канал | 700пФ при 10В | 120 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3А Та | 6,5 нК при 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ480 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СДМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aow298-datasheets-0480.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 333 Вт | 1 | ТО-262 | 7,82 нФ | 15А | 25 В | 80В | 1,9 Вт Та 333 Вт Тс | N-канал | 7820пФ при 40 В | 4,5 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 15А Та 180А Тс | 140 нК при 10 В | 4,5 мОм | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АО4466_102 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 448пФ | 10А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 448пФ при 15В | 23 мОм при 10 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 10А Та | 8,6 нК при 10 В | 23 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4476AL_102 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 1,38 нФ | 15А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1380пФ при 15В | 7,7 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та | 24 нК при 10 В | 7,7 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD421_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 620пФ | 12,5 А | 20 В | 2 Вт Та 18,8 Вт Тс | P-канал | 620пФ при 10 В | 75 мОм при 12,5 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 12,5 А Та | 4,6 нК при 4,5 В | 75 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4419_003 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 1,9 нФ | 9,7А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1900пФ при 15В | 20 мОм при 9,7 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 9,7А Та | 32 нК при 10 В | 20 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6522_002 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8-ДФН (5х6) | 7,036нФ | 200А | 25 В | 7,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 7036пФ при 15 В | 0,95 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 71А Та 200А Тс | 145 нК при 10 В | 950 мкОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ8Н65_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-220-3 | ТО-220-3 | 1,4 нФ | 8А | 650В | 208 Вт Тк | N-канал | 1400пФ при 25В | 1,15 Ом при 4 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 28 нК при 10 В | 1,15 Ом | 10 В | ±30 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.