Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Время включения-Макс (тонна) | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИКСТА130N15X4-7 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta130n15x4-datasheets-5545.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 15 недель | 150 В | 400 Вт Тс | N-канал | 4770пФ при 25В | 8 мОм при 65 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 130А Тс | 87 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH11P50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth11p50-datasheets-5654.pdf | -500В | -11А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 17 недель | 750МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Другие транзисторы | 27нс | 35 нс | 35 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 44А | -500В | P-канал | 4700пФ при 25В | 750 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 130 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTX210P10T | ИКСИС | $25,77 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/ixys-ixtx210p10t-datasheets-6326.pdf | ТО-247-3 | 3 | 28 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСИП-Т3 | 210А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 1040 Вт Тс | 800А | 0,0075Ом | 3000 мДж | P-канал | 69500пФ при 25В | 7,5 мОм при 105 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 210А Тс | 740 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA80N25X3TRL | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | 250 В | 390 Вт Тс | N-канал | 5430пФ при 25В | 16 мОм при 40 А, 10 В | 4,5 В @ 1,5 мА | 80А Тс | 83 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИХТК200Н10П | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk200n10p-datasheets-7141.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 28 недель | Нет СВХК | 3 | Одинокий | 800 Вт | ТО-264 (ИКСТК) | 7,6 нФ | 35 нс | 90 нс | 150 нс | 200А | 20 В | 100В | 5В | 800 Вт Тс | 7,5 мОм | 100В | N-канал | 7600пФ при 25 В | 7,5 мОм при 100 А, 10 В | 5 В @ 500 мкА | 200А Тс | 240 нК при 10 В | 7,5 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP4N70X2M | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp4n70x2m-datasheets-0341.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 15 недель | совместимый | 700В | 30 Вт Тс | N-канал | 386пФ при 25 В | 850 мОм при 2 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 11,8 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFB132N50P3 | ИКСИС | 20,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfb132n50p3-datasheets-1416.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 20,29 мм | 26,59 мм | 5,31 мм | Без свинца | 3 | 26 недель | Нет СВХК | 264 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 3 | Одинокий | 1,89 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 44 нс | 9нс | 8 нс | 72 нс | 132А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 1890 Вт Тс | 330А | 0,039 Ом | 3000 мДж | 500В | N-канал | 18600пФ при 25В | 39 мОм при 66 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 132А Тс | 250 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH14N85X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp14n85x-datasheets-4389.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | да | 850В | 460 Вт Тс | N-канал | 1043пФ при 25В | 550 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 1 мА | 14А Тс | 30 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA100N04T2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 40В | 150 Вт Тс | N-канал | 2690пФ при 25 В | 7 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 100А Тс | 25,5 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY44N10T-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 24 недели | 100В | 130 Вт Тс | N-канал | 1262пФ при 25 В | 30 мОм при 22 А, 10 В | 4,5 В @ 25 мкА | 44А Тк | 33 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА460P2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtq460p2-datasheets-2745.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 28 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 24А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 480 Вт Тс | 50А | 0,27 Ом | 750 мДж | N-канал | 2890пФ при 25 В | 270 мОм при 12 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 24А Тк | 48 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH30N50Q3 | ИКСИС | $11,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh30n50q3-datasheets-3628.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 16,26 мм | 5,3 мм | 3 | 20 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 3 | Одинокий | 690 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 14 нс | 250 нс | 26 нс | 30А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 690 Вт Тс | ТО-247АД | 90А | 0,2 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 3200пФ при 25В | 200 мОм при 15 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 30А Тс | 62 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИХТК140Н30П | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 28 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,04 кВт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1,04 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 140А | 20 В | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 0,024 Ом | 5000 мДж | N-канал | 14800пФ при 25В | 24 мОм при 70 А, 10 В | 5 В @ 500 мкА | 140А Тс | 185 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR64N60Q3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr64n60q3-datasheets-3760.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | 3 | 30 недель | 247 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | 3 | Одинокий | 568 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 45 нс | 300 нс | 50 нс | 42А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 568 Вт Тс | 250А | 0,104 Ом | 3000 мДж | 600В | N-канал | 9930пФ при 25 В | 104 мОм при 32 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 42А Тк | 190 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH32N65X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth32n65x-datasheets-3818.pdf | ТО-247-3 | 15 недель | 32А | 650В | 500 Вт Тс | N-канал | 2205пФ при 25В | 135 мОм при 16 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 32А Тк | 54 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT50N60P3-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 26 недель | 600В | 1,04 кВт Тс | N-канал | 6300пФ при 25 В | 145 мОм при 25 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 50А Тс | 94 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT26N50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt26n50p-datasheets-3884.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 24 недели | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 25нс | 20 нс | 58 нс | 26А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 78А | 0,23 Ом | 1000 мДж | 500В | N-канал | 3600пФ при 25В | 230 мОм при 13 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 26А Тк | 65 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP3N110 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp3n110-datasheets-3916.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 15 нс | 18 нс | 32 нс | 3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1100В | 150 Вт Тс | ТО-220АБ | 3А | 12А | 4Ом | 700 мДж | 1,1 кВ | N-канал | 1350пФ при 25В | 4 Ом при 1,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 42 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH36P15P | ИКСИС | $30,85 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp36p15p-datasheets-7043.pdf | ТО-247-3 | 3 | 28 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 36А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 300 Вт Тс | 90А | 0,11 Ом | 1500 мДж | P-канал | 3100пФ при 25 В | 110 мОм при 18 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 36А Тк | 55 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH8N80 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh9n80-datasheets-3591.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 180 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 15 нс | 35 нс | 70 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 180 Вт Тс | 8А | 800В | N-канал | 2600пФ при 25В | 210 нс | 1,1 Ом при 4 А, 10 В | 4,5 В @ 2,5 мА | 8А Тк | 130 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH130N15X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa130n15x3-datasheets-3968.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | совместимый | 150 В | 390 Вт Тс | N-канал | 5230пФ при 25 В | 9 мОм при 65 А, 10 В | 4,5 В @ 1,5 мА | 130А Тс | 80 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА30N25L2 | ИКСИС | $9,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | совместимый | 250 В | 355 Вт Тс | N-канал | 3200пФ при 25В | 140 мОм при 15 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 30А Тс | 130 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT60N50P3 | ИКСИС | $50,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh60n50p3-datasheets-1724.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 16,05 мм | 5,1 мм | 14 мм | Без свинца | 2 | 26 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1,04 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 18 нс | 16 нс | 8 нс | 37 нс | 60А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1040 Вт Тс | 150А | 0,1 Ом | 1000 мДж | 500В | N-канал | 6250пФ при 25 В | 100 мОм при 30 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 60А Тс | 96 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH6N90A | ИКСИС | 1,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth6n90-datasheets-4158.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 180 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 40 нс | 60 нс | 100 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 180 Вт Тс | ТО-247АД | 6А | 24А | 900В | N-канал | 2600пФ при 25В | 1,4 Ом при 3 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 6А Тс | 130 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR16N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ISOPLUS247™ | 18 недель | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX140N25T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГигаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk140n25t-datasheets-4863.pdf | ТО-247-3 | 3 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 140А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | 250 В | 960 Вт Тс | 380А | 0,017Ом | 3000 мДж | N-канал | 19000пФ при 25В | 17 мОм при 60 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 140А Тс | 255 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX200N10P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk200n10p-datasheets-7092.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 830 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 35 нс | 90 нс | 150 нс | 200А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 830 Вт Тс | 400А | 0,0075Ом | 4000 мДж | 100В | N-канал | 7600пФ при 25 В | 7,5 мОм при 100 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 200А Тс | 235 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT13N80Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft13n80q-datasheets-4344.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 36нс | 19 нс | 55 нс | 13А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 Вт Тс | 52А | 0,8 Ом | 750 мДж | 800В | N-канал | 3250пФ при 25В | 700 мОм при 6,5 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 13А Тк | 90 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR20N100P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr20n100p-datasheets-4372.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 26 недель | 3 | да | ПРИЗНАН UL, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 230 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 37нс | 45 нс | 56 нс | 11А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 230 Вт Тс | 50А | 0,64 Ом | 500 мДж | 1кВ | N-канал | 7300пФ при 25В | 640 мОм при 10 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 11А Тк | 126 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX80N60P3 | ИКСИС | 17,55 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk80n60p3-datasheets-9089.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | 247 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 3 | Одинокий | 1,3 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 48 нс | 25нс | 8 нс | 87 нс | 80А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1300 Вт Тс | 200А | 0,07 Ом | 2000 мДж | 600В | N-канал | 13100пФ при 25В | 70 м Ом при 500 мА, 10 В | 5 В @ 8 мА | 80А Тс | 190 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
