Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температур окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных, мин. | Защита от записи | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W9725G6KB25I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9725g6kb25-datasheets-2322.pdf | 84-ТФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,9 В | 84-ШБГА (8x12,5) | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9825G6JB-6 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9825g6jb6tr-datasheets-8893.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 10 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,08 мА | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б54 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 268435456 бит | 0,002А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG6NB12I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg6nb12-datasheets-8478.pdf | 96-ВФБГА | 10 недель | 1,425 В~1,575 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W972GG8KS-18 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg8ks25tr-datasheets-5679.pdf | 60-ТФБГА | 9,5 мм | 8 мм | 60 | 12 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б60 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 350пс | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15 нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X40AVZPIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x80avzpig-datasheets-1100.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | SPI, серийный | EAR99 | неизвестный | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | Р-XDSO-N8 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 100 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 512КХ8 | 8 | 3 мс | 4194304 бит | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X16AVSFIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x16avdaiz-datasheets-6825.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,285 мм | 7,49 мм | 16 | SPI, серийный | EAR99 | неизвестный | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 16 | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 75 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX8 | 8 | 3 мс | 16777216 бит | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32DWSFIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32dwsfig-datasheets-5426.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,31 мм | 1,8 В | 16 | 16 | SPI, серийный | 32 Мб | EAR99 | ВЕРХНИЙ/НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | 8542.32.00.51 | 1 | 40 мА | 1,7 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 16 | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 7,5 нс | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | СПИ | 16 | 3 мс | 0,00002А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FVZPIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fvsfig-datasheets-5409.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 800 мкм | 8 | 14 недель | 8 | СПИ | 32 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 20 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 85°С | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 32MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | СЕРИАЛ | 0,00002А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| W9825G6JH-6I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9825g6jh6i-datasheets-5683.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 80 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FWZPIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fwzpigtr-datasheets-9969.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 14 недель | SPI, серийный | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 4MX8 | 8 | 60 мкс, 5 мс | 33554432 бит | 1 | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVEIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvcif-datasheets-3435.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | SPI, серийный | неизвестный | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДСО-Н8 | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 256MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 268435456 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16DWSNIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/winbondelectronics-w25q16dwssig-datasheets-5478.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | SPI, серийный | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 8 | 1,95 В | 1,65 В | 1,8 В | 0,04 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 16MX1 | 1 | 40 мкс, 3 мс | 16777216 бит | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16CLSVIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16clssig-datasheets-3517.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДСО-Г8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 50 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 16777216 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GU6KB-12 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gu6kb15i-datasheets-3666.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 96 | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,4 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-В96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | 0,014А | ОБЩИЙ | 8192 | 8 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVCIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 24-ТБГА | 14 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256FVCIF ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256fvcif-datasheets-3435.pdf | 24-ТБГА | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W972GG8JB-25 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg8jb25itr-datasheets-3765.pdf | 60-ТФБГА | 1,7 В~1,9 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 400пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W972GG6JB-3 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg6jb3i-datasheets-5367.pdf | 84-ТФБГА | 1,7 В~1,9 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8KB-15 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8kb15-datasheets-3704.pdf | 78-ТФБГА | 1,283 В~1,45 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVEIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W971GG6KB25I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w971gg6kb25tr-datasheets-3907.pdf | 84-ТФБГА | 1,7 В~1,9 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG6KB-15 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg6kb12i-datasheets-3642.pdf | 96-ТФБГА | 1,425 В~1,575 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9725G6IB-25 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9725g6ib25-datasheets-5830.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 84 | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,195 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б84 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15 нс | 268435456 бит | 0,006А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X10BVСНИГ | Винбонд Электроникс | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 1,72 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x20bvsnig-datasheets-6541.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 1 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 16,5 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | СПИ | 1MX1 | 1 | 3 мс | 0,000005А | 1б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X40CLDAIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 5,33 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x40clsnig-datasheets-9270.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,27 мм | 7,62 мм | 8 | SPI, серийный | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 2,3 В ПРИ ЧАСТОТЕ 80 МГЦ. | 8542.32.00.51 | 1 | НЕТ | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 2,54 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДИП-Т8 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 800 мкс | 4194304 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W948D6FBHX6E | Винбонд Электроникс | $21,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w948d2fbjx5e-datasheets-6682.pdf | 60-ТФБГА | 9 мм | 1,8 В | 60 | 14 недель | 60 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 50 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 60 | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 15 нс | 0,00001А | ОБЩИЙ | 8192 | 24816 | 24816 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| W9412G6JH-4 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9412g6jh5i-datasheets-5608.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 66 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 170 мА | 2,4 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 2,5 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,4 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 48нс | 250 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 12нс | 0,005А | ОБЩИЙ | 4096 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16DVZPIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16dvzpiq-datasheets-3576.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FWSFIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fwstigtr-datasheets-2592.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,31 мм | 7,49 мм | 16 | 14 недель | SPI, серийный | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | Р-ПДСО-G16 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 64MX1 | 1 | 5 мс | 67108864 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q40BWZPIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q40bwsnig-datasheets-5420.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 1,65 В~1,95 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс |
