Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВишай Силиконикс(12746)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Особенность | Терминал отделки | Приложения | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Входная емкость | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Тип поставки | Минимальное двойное напряжение питания | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Количество входов | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Схема мультиплексора/демультиплексора | Переключатель цепи | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4860DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4860dyt1ge3-datasheets-6401.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1,6 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 18 нс | 12нс | 19 нс | 46 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,6 Вт Та | 1,1А | 30В | N-канал | 8 мОм при 16 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 11А Та | 18 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГ540ДН | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | 0°С | 3,5 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-dg541dyt1e3-datasheets-2568.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 9,04 мм | 3,69 мм | 9,04 мм | 15 В | 500 МГц | 6мА | 722,005655мг | 18В | 10 В | 60Ом | 20 | Нет | RGB, конфигурация T-переключателя | Видео | 800мВт | 4 | 800мВт | 20-ПЛСС (9х9) | 500 МГц | СПСТ | 70 нс | 50 нс | 15 В | Двойной, Одинарный | 10 В | 4 | 4 | 60Ом | 3В~15В ±3В~15В | 1:1 | СПСТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6469DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6469dqt1ge3-datasheets-0848.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Не квалифицирован | 30 нс | 30 нс | 85 нс | 6А | 8В | КРЕМНИЙ | 1,5 Вт Та | 6А | 30А | 0,031 Ом | 8В | P-канал | 28 мОм при 6 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 40 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJB90EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqjb90ept1ge3-datasheets-0849.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 14 недель | PowerPAK® SO-8 двойной | 80В | 48 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1200пФ при 25В | 21,5 мОм при 10 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 30А Тс | 25 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7358ADP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7358adpt1e3-datasheets-6483.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | 5 | 506,605978мг | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С5 | 21 нс | 10 нс | 10 нс | 83 нс | 14А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,9 Вт Та | 60А | 0,0042Ом | 30В | N-канал | 4650пФ при 15В | 4,2 мОм при 23 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 14А Та | 40 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4936BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si4936bdyt1ge3-datasheets-1205.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | Чистая матовая банка (Sn) | 2,8 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4936 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5 нс | 25нс | 10 нс | 12 нс | 6,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 0,035 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 530пФ при 15В | 35 мОм при 5,9 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 15 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5858DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si5858dut1e3-datasheets-5983.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 6 | 8 | EAR99 | неизвестный | е3 | Чистая матовая банка | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 30 | 1 | Не квалифицирован | Р-XDSO-C6 | 20 нс | 65нс | 10 нс | 40 нс | 6А | 8В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 2,3 Вт Ta 8,3 Вт Tc | 7.2А | 20А | 0,039 Ом | N-канал | 520пФ при 10В | 39 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6А Тк | 16 нК при 8 В | Диод Шоттки (изолированный) | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7212DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 1,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7212dnt1e3-datasheets-2260.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7212 | 8 | Двойной | 30 | 1,3 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | S-XDSO-C6 | 10 нс | 12нс | 12 нс | 30 нс | 6,8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,9А | 0,036Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 36 мОм при 6,8 А, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 4,9А | 11 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7302DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7302dnt1e3-datasheets-9289.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 40 | 3,8 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | S-XDSO-C5 | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 20 нс | 2,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 220В | 3,8 Вт Та 52 Вт Тс | 0,32 Ом | N-канал | 645пФ при 15В | 320 мОм при 2,3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8,4 А Тс | 21 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA527DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sia527djt1ge3-datasheets-4179.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 14 недель | 710 мкОм | EAR99 | неизвестный | 7,8 Вт | НЕ УКАЗАН | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 22 нс | 4,5 А | 8В | 12 В | 12 В | N и P-канал | 500пФ при 6В | 29 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 15 нК при 8 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7392DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7392dpt1e3-datasheets-6589.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C5 | 15 нс | 7нс | 9 нс | 46 нс | 9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,8 Вт Та | 9А | 50А | 0,00975Ом | 45 мДж | 30В | N-канал | 9,75 мОм при 15 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 9А Та | 15 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4925DDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si4925ddyt1ge3-datasheets-5125.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Нет СВХК | 29мОм | 8 | EAR99 | Нет | 5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ4925 | 8 | 2 | Двойной | 5 Вт | 2 | 150°С | 10 нс | 35 нс | 16 нс | 45 нс | -7,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | -30В | 2 P-канала (двойной) | 1350пФ при 15В | -3 В | 29 мОм при 7,3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 8А | 50 нК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7664DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7664dpt1ge3-datasheets-6652.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 3,1 мОм | Одинокий | 5,4 Вт | ПауэрПАК® СО-8 | 7,77 нФ | 41 нс | 40А | 12 В | 30В | 5,4 Вт Та 83 Вт Тс | 3,1 мОм | 30В | N-канал | 7770пФ при 15 В | 3,1 мОм при 20 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 40А Тс | 125 нК при 10 В | 3,1 мОм | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ3985EV-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-sq3985evt1ge3-datasheets-6138.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 12 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт | МО-193АА | 3,9А | 0,145 Ом | 57 пФ | 2 P-канала (двойной) | 350пФ при 10В | 145 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,9 А Тс | 4,6 нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7664DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7664dpt1ge3-datasheets-6652.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 3,1 мОм | Одинокий | 5,4 Вт | ПауэрПАК® СО-8 | 7,77 нФ | 103нс | 9 нс | 41 нс | 40А | 12 В | 30В | 5,4 Вт Та 83 Вт Тс | 3,1 мОм | 30В | N-канал | 7770пФ при 15 В | 3,1 мОм при 20 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 40А Тс | 125 нК при 10 В | 3,1 мОм | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7228DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7228dnt1ge3-datasheets-7581.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 6 | 13 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 23 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7228 | 8 | Двойной | 30 | 2,6 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | S-XDSO-C6 | 5 нс | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 8,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 35А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 480пФ при 15В | 20 мОм при 8,8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 26А | 13 нК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1413EDH-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1413edht1e3-datasheets-7952.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 115МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | ЧИСТЫЙ МАТОВЫЙ ТИН (SN) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | 750 нс | 1,6 мкс | 3,9 мкс | 3,9 мкс | 2,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1 Вт Та | P-канал | 115 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 450 мВ при 100 мкА (мин) | 2,3А Та | 8 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | 8-SMD, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 84,99187мг | 140мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,1 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | СИ5504 | 8 | 2 | 40 | 1,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | 4 нс | 10 нс | 5 нс | 10 нс | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | N-КАНАЛ И P-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,12 Вт 3,1 Вт | 4А | 10А | 30В | N и P-канал | 220пФ при 15В | 65 мОм при 3,1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4А 3,7А | 7 нК @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4418DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4418dyt1e3-datasheets-8315.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1,5 Вт | 1 | 15 нс | 15 нс | 20 нс | 40 нс | 2,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 Вт Та | 0,0023А | 200В | N-канал | 130 мОм при 3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2,3А Та | 30 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7972DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si7972dpt1ge3-datasheets-0329.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 14 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 22 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1050пФ при 30В | 18 мОм при 11 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 8А Тк | 11 нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7403BDN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7403bdnt1e3-datasheets-6135.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 5 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 3,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | S-XDSO-C5 | 5 нс | 51 нс | 60 нс | 33 нс | 5.1А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,1 Вт Ta 9,6 Вт Tc | 8А | 20А | 0,074Ом | 20 В | P-канал | 430пФ при 10 В | 74 мОм при 5,1 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 8А Тк | 15 нК при 8 В | 2,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1926DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si1926dlt1ge3-datasheets-1035.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 14 недель | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 510мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Г6 | 6,5 нс | 12нс | 14 нс | 13 нс | 370 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 18,5 пФ при 30 В | 1,4 Ом при 340 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 1,4 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4484EY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 1,73 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4484eyt1e3-datasheets-8352.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 506,605978мг | Нет СВХК | 8 | 1 | Одинокий | 1,8 Вт | 1 | 8-СО | 4,8А | 20 В | 100В | 2В | 1,8 Вт Та | 34мОм | 100В | N-канал | 34 мОм при 6,9 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА (мин) | 4,8А Та | 30 нК при 10 В | 34 мОм | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si1024xt1ge3-datasheets-3402.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 8,193012мг | Неизвестный | 700мОм | 6 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Олово | Нет | е3 | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | СИ1024 | 6 | 1 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 600 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 450 мВ | 0,485А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 700 мОм при 600 мА, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 485 мА | 0,75 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР408DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sir408dpt1ge3-datasheets-2568.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 8 | 506,605978мг | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C8 | 20 нс | 28нс | 11 нс | 30 нс | 21,5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | 25 В | 4,8 Вт Ta 44,6 Вт Tc | 50А | 70А | 0,0063Ом | N-канал | 1230пФ при 15В | 6,3 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 50А Тс | 33 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQ4940AEY-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sq4940aeyt1ge3-datasheets-4275.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 12 недель | 506,605978мг | EAR99 | неизвестный | 4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г8 | 8 нс | 13нс | 9 нс | 20 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 55 пФ | 2 N-канала (двойной) | 741пФ при 20 В | 24 мОм при 5,3 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 43 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIE726DF-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | SkyFET®, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sie726dft1e3-datasheets-3160.pdf | 10-ПоларПАК® (Л) | 4 | 10 | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | 260 | 10 | Одинокий | 30 | 5,2 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-N4 | 60 нс | 35 нс | 30 нс | 55 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5,2 Вт Ta 125 Вт Tc | 80А | 0,0033Ом | 125 мДж | 30В | N-канал | 7400пФ при 15В | 2,4 мОм при 25 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 60А Тс | 160 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4900DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,98 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si4900dyt1e3-datasheets-5430.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | 58мОм | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4900 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | 10 нс | 15 нс | 10 нс | 20 нс | 5.3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт | 60В | 2 N-канала (двойной) | 665пФ при 15В | 58 мОм при 4,3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 20 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7840BDP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7840bdpt1e3-datasheets-3139.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 15 недель | 506,605978мг | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 1 | Одинокий | 30 | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПДСО-С5 | 17 нс | 14нс | 14 нс | 39 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 1,8 Вт Та | 50А | 0,0085Ом | 20 мДж | N-канал | 8,5 мОм при 16,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 11А Та | 21 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7998DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7998dpt1ge3-datasheets-6807.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 506,605978мг | 9,3 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 40 Вт | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 2 | 30 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C6 | 26 нс | 17нс | 10 нс | 35 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 22 Вт 40 Вт | 15А | 60А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1100пФ при 15В | 9,3 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 25А 30А | 26 нК при 10 В | Ворота логического уровня |
