Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЕПК(476)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Время выполнения заказа на заводе | Оценочный комплект | Напряжение питания | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Тип выхода | Непрерывный ток стока (ID) | Тип усилителя | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | Максимальная выходная мощность | Используемая микросхема/деталь | Вторичные атрибуты | Максимальная выходная мощность x каналов при нагрузке | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Первичные атрибуты | Поставляемый контент | Тип платы | Встроенный | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Емкость — вход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЕПК2111 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2111-datasheets-3182.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 30 В | 2 N-канала (полумост) | 230пФ при 15В 590пФ при 15В | 19 мОм при 15 А, 5 В, 8 мОм при 15 А, 5 В | 2,5 В @ 5 мА | 16А Та | 2,2 нК при 5 В, 5,7 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2010С | EPC | $20,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2010c-datasheets-1209.pdf | умереть | 12 недель | Контур матрицы (7 паяных стержней) | 540пФ | 22А | 200В | N-канал | 540пФ при 100В | 25 мОм при 12 А, 5 В | 2,5 В при 3 мА | 22А Та | 5,3 нК при 5 В | 25 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||
| ЕПК8009 | EPC | $869,86 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8009-datasheets-2332.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 52пФ | 2,7А | 65В | N-канал | 52пФ при 32,5 В | 130 мОм при 500 мА, 5 В | 2,5 В @ 250 мкА | 2,7А Та | 0,45 нК при 5 В | 130 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||
| ЕПК2216 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eGaN® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2216-datasheets-3533.pdf | умереть | умереть | 15 В | N-канал | 118пФ при 7,5 В | 26 мОм при 1,5 А, 5 В | 1 В @ 1 мА | 10 мА Та | 0,87 нК при 5 В | Стандартный | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2049ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2049engrt-datasheets-4363.pdf | умереть | умереть | 40В | N-канал | 805пФ при 20 В | 5 мОм при 15 А, 5 В | 2,5 В при 6 мА | 16А Та | 7,6 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9144 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | /files/epc-epc9144-datasheets-3492.pdf | 8 недель | Лазерный драйвер | ЕПК2216 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9050 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2036-datasheets-9662.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2036 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток 100 В, 2,5 А на GaNFET | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9512 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 10 недель | Беспроводное питание/зарядка | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9061 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9062-datasheets-3988.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2031 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Максимальный выходной ток GaNFET 60 В, 24 А | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9053 | EPC | $199,72 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9053-datasheets-5557.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2019 | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9085 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9085-datasheets-6822.pdf | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2049 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7,5–12 В. | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2037ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2037engr-datasheets-9469.pdf | 1А | 100 В | 550 мОм | 12,5 пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC8010ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc8010engr-datasheets-7641.pdf | 2,7А | 100 В | 160 мОм | 55пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2102RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/epc-epc2102eng-datasheets-4067.pdf | 22 недели | 23А | 60В | 4,4 мОм | 830пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2045ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2100 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2100engrt-datasheets-2540.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 30 В | 2 N-канала (полумост) | 475 пФ при 15 В 1960 пФ при 15 В | 8,2 мОм при 25 А, 5 В, 2,1 мОм при 25 А, 5 В | 2,5 В @ 4 мА, 2,5 В @ 16 мА | 10А Та 40А Та | 4,9 нК при 15 В, 19 нК при 15 В | GaNFET (нитрид галлия) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2029 | EPC | $7,84 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/epc-epc2029-datasheets-1300.pdf | умереть | 12 недель | умереть | 1,41 нФ | 48А | 80В | N-канал | 1410пФ при 40В | 3,2 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В @ 12 мА | 48А Та | 13 нК при 5 В | 3,2 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||
| ЕПК2053 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2053-datasheets-2549.pdf | умереть | 10 недель | умереть | 100 В | N-канал | 1895 пФ при 50 В | 3,8 мОм при 25 А, 5 В | 2,5 В @ 9 мА | 48А | 14,8 нК при 5 В | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2031ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2031-datasheets-1314.pdf | умереть | умереть | 1,8 нФ | 31А | 60В | N-канал | 1800пФ при 300В | 2,6 мОм при 30 А, 5 В | 2,5 В @ 15 мА | 31А Та | 17 нК при 5 В | 2,6 мОм | 5В | +6В, -4В | ||||||||||||||||||||||
| ЕПК9106 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/epc-epc9106-datasheets-5237.pdf | 12 недель | Да | ±27 В | 2-канальный (стерео) | Класс Д | 250 Вт | ЕПК2016 | 250 Вт х 2 при 4 Ом | Совет(ы) | Полностью заселен | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9507 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9507-datasheets-3569.pdf | 10 недель | Да | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2007С, ЕПК2038 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Передатчик | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9058 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9058-datasheets-3068.pdf | 10 недель | Беспроводное питание/зарядка | ЕПК2110 | Схема драйвера GaNFET использует напряжение 7–12 В. | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC9005C | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9005c-datasheets-0816.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК2014C | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9018 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9018-datasheets-3072.pdf | 10 недель | Да | ЕПК2015, ЕПК2023 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9087 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9087-datasheets-2272.pdf | 10 недель | ЕПК2037 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК9030 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | ЭГАН® | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc9024-datasheets-5524.pdf | 10 недель | Да | Драйвер полуH-моста (внешний полевой транзистор) | ЕПК8010 | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2025ENGR | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2025engr-datasheets-0205.pdf | 4А | 300В | 150 мОм | 194пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2039ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2039engrt-datasheets-9248.pdf | 6,8А | 80В | 22 мОм | 210пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2103RUS | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/epc-epc2103eng-datasheets-5290.pdf | 23А | 80В | 5,5 мОм | 760пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2105 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/epc-epc2105engrt-datasheets-2522.pdf | умереть | 14 недель | умереть | 80В | 2 N-канала (полумост) | 300пФ при 40В 1100пФ при 40В | 14,5 мОм при 20 А, 5 В, 3,4 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В @ 2,5 мА, 2,5 В @ 10 мА | 9,5А 38А | 2,5 нК при 5 В, 10 нК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) |
