Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактSemiq (762)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Тип | Ряд | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Технология | Тип ввода | Статус ROHS | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Время выполнения завода | Текущий | Напряжение | Пакет устройства поставщика | Конфигурация | Слейте до источника напряжения (VDS) | Скорость | Напряжение - изоляция | Сила - Макс | Power Dissipation-Max | Время восстановления обратного восстановления | Диод тип | Емкость @ vr, f | Напряжение - пик обратного (макс) | Вход | Напряжение - DC Reverse (VR) (MAX) | Напряжение - разбивка излучателя коллекционера (макс) | Current - Collector (IC) (макс) | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Ток - обратная утечка @ vr | Напряжение - вперед (vf) (max) @ if | Условие испытания | Ток - средний исправление (IO) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода | Ток - срез коллекционера (макс) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Тип IGBT | NTC Thermistor | Входная емкость (CIES) @ VCE | Заряд ворот | Ток - коллекционер импульс (ICM) | TD (ON/OFF) @ 25 ° C | Переключение энергии | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | Заряд затвора (qg) (max) @ vgs | Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) | VGS (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GSXD050A006S1-D3 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-gsxd050a006s1d3-datasheets-4266.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Шоткий | 60 В | 1ma @ 60 В. | 750 мВ @ 50a | 50а | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2 Независимый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSXD080A006S1-D3 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-gsxd080a006s1d3-datasheets-7817.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Шоткий | 60 В | 1ma @ 60 В. | 750 мВ @ 80а | 80A | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2 Независимый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSXD120A012S1-D3 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-gsxd120a012s1d3-datasheets-7935.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Шоткий | 120 В | 3MA @ 120V | 880MV @ 120A | 120a | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2 Независимый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP3D040A065U | Полук | $ 6,79 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amp+™ | Через дыру | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | До 247-3 | До 247-3 | Нет времени восстановления> 500 мА (io) | 0ns | Силиконовый карбид Шоттки | 835pf @ 1v 1MHz | 650 В. | 50 мкА @ 650V | 1,7 В @ 20a | 44A DC | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP3D030A120B | Полук | $ 12,67 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-gp3d030a120b-datasheets-3601.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2D008A120A | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amp+™ | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2d008a120a-datasheets-6344.pdf | До-220-2 | До-220-2 | Нет времени восстановления> 500 мА (io) | 0ns | Силиконовый карбид Шоттки | 508pf @ 1 В 1 МГц | 1200 В. | 20 мкА @ 1200 В. | 1,8 В @ 8a | 24а DC | -50 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GDP60P120B | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amp+™ | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gdp60p120b-datasheets-8615.pdf | До-247-2 | До-247-2 | Нет времени восстановления> 500 мА (io) | 0ns | Силиконовый карбид Шоттки | 3581PF @ 1V 1MHZ | 1200 В. | 100 мкА @ 1200 В. | 1,7 В @ 60а | 60A DC | -55 ° C ~ 135 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2D010A170B | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amp+™ | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | До-247-2 | До-247-2 | Нет времени восстановления> 500 мА (io) | 0ns | Силиконовый карбид Шоттки | 812pf @ 1v 1MHz | 1700В | 20 мкА @ 1700 В. | 1,75 В @ 10a | 10а | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP3D050A060B | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSID150A120S6A4 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amp+™ | Шасси | -40 ° C ~ 150 ° C. | ROHS3 соответствует | /files/semiq-gsid150a120s6a4-datasheets-5286.pdf | Модуль | 8 недель | Модуль | Одинокий | 1035 Вт | Стандартный | 1200 В. | 275а | 1MA | 1,9 В @ 15V, 150A | Да | 20.2nf @ 25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GHIS040A120S-A2 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-ghis040a120SA2-datasheets-0815.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Одинокий | 480 Вт | Стандартный | 1200 В. | 80A | 1MA | 2.6V @ 15V, 40a | Траншевая полная остановка | Нет | 5.15nf @ 30v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1M009A060FH | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m009a060fh-datasheets-7649.pdf | До 220-3 полная упаковка | До-220f | 600 В. | 51,4W TC | N-канал | 1440pf @ 25V | 1om @ 4,5a, 10v | 4 В @ 250 мкА | 9A TC | 27NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2M002A065HG | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m002a065fg-datasheets-7695.pdf | До 220-3 | До-220 | 650 В. | 52W TC | N-канал | 353pf @ 25V | 4,6 Ом @ 900MA, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 1.8a tc | 8,5NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1M005A040CG | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m005a040pg-datasheets-7650.pdf | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | D-PAK | 400 В. | 50 Вт TC | N-канал | 522PF @ 25V | 1,6 Ом @ 1,7A, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3.4a tc | 7.1NC @ 10 В. | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1M009A070F | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m009a070f-datasheets-7791.pdf | До 220-3 полная упаковка | До-220f | 700 В. | 52W TC | N-канал | 1944PF @ 25V | 1,05om @ 4,5a, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 9A TC | 30NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1M007A090H | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m007a090fh-datasheets-7774.pdf | До 220-3 | До-220 | 900 В. | 250 Вт TC | N-канал | 1969pf @ 25V | 1,9 Ом @ 3,5а, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 7A TC | 49NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2M012A080NG | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2m012a080ng-datasheets-7861.pdf | TO-3P-3, SC-65-3 | До 3pn | 800 В. | 416W TC | N-канал | 3370pf @ 25V | 650MOHM @ 6A, 10V | 5 В @ 250 мкА | 12A TC | 79NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP1M005A050HS | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp1m005a050fsh-datasheets-7769.pdf | До 220-3 | До-220 | 500 В. | 92,5 Вт TC | N-канал | 602pf @ 25V | 1,85om @ 2a, 10v | 3,5 В при 250 мкА | 4A TC | 11NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GCMS010A120S7B1 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | МОСФЕТ | Шасси | ROHS3 соответствует | /files/semiq-gcms010a120s7b1-datasheets-2569.pdf | Модуль мощности | 8 недель | 240a | 1,2 кВ | Половина моста | 2500vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GHXS030A120S-D1 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | Силиконовый карбид Шоттки | ROHS3 соответствует | /files/semiq-ghxs030a120sd1-datasheets-4852.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Одиночная фаза | 1,2 кВ | 200 мкА @ 1200V | 1,7 В @ 30a | 30A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSXD160A008S1-D3 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gsxd160a008s1d3-datasheets-8437.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Шоткий | 80 В | 1ma @ 80 В. | 840MV @ 160a | 160a | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2 Независимый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GPA040A120L-FD | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | Стандартный | ROHS3 соответствует | /files/semiq-gpa040a120lfd-datasheets-0441.pdf | До 264-3, до 264AA | До 264 | 480 Вт | 200ns | 1200 В. | 80A | 600 В, 40А, 5om, 15 В | 2.6V @ 15V, 40a | Траншевая полная остановка | 480nc | 120a | 55NS/200NS | 5,3mj (ON), 1,1mj (OFF) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSXD060A004S1-D3 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-gsxd060a004s1d3-datasheets-3860.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Шоткий | 45 В. | 1ma @ 45V | 700 мВ @ 60а | 60A | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2 Независимый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GSXD100A018S1-D3 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-gsxd100a018s1d3-datasheets-3893.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Шоткий | 180В | 3MA @ 180V | 920 мВ @ 100a | 100А | -40 ° C ~ 150 ° C. | 2 Независимый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GHXS045A120S-D3 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-ghx045a120sd3-datasheets-4460.pdf | SOT-227-4, Minibloc | 8 недель | SOT-227 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Силиконовый карбид Шоттки | 1200 В. | 300 мкА @ 1200 В. | 1,7 В @ 45а | 45а | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2 Независимый | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GHXS030A120S-D4 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-ghxs030a120sd4-datasheets-7818.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Нет времени восстановления> 500 мА (io) | Силиконовый карбид Шоттки | 1200 В. | 200 мкА @ 1200V | 1,7 В @ 30a | 30A | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2 Независимый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GHXS010A060S-D4 | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Шасси | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | /files/semiq-ghxs010a060sd4-datasheets-7937.pdf | SOT-227-4, Minibloc | SOT-227 | Быстрое восстановление =<500NS,>200 мА (IO) | Силиконовый карбид Шоттки | 600 В. | 200 мкА @ 600V | 1,7 В @ 10a | 10а | -55 ° C ~ 175 ° C. | 2 Независимый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP3D012A065A | Полук | $ 3,52 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amp+™ | Через дыру | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | До-220-2 | До-220-2 | Нет времени восстановления> 500 мА (io) | 0ns | Силиконовый карбид Шоттки | 572pf @ 1v 1MHz | 650 В. | 30 мкА @ 650V | 1,5 В @ 12a | 33A DC | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP3D020A120B | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp3d020a120b-datasheets-3612.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2D005A060A | Полук | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Amp+™ | Через дыру | Трубка | 1 (неограниченный) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/semiq-gp2d005a060a-datasheets-6351.pdf | До-220-2 | До-220-2 | Нет времени восстановления> 500 мА (io) | 0ns | Силиконовый карбид Шоттки | 264pf @ 1v 1MHZ | 600 В. | 20 мкА @ 600V | 1.65V @ 5a | 15а DC | -50 ° C ~ 175 ° C. |
