Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Количество приемников | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Тип телекоммуникационных микросхем | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Количество передатчиков | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Ширина встроенной программы ПЗУ | Семейство процессоров | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ОЗУ (слова) | Совместимость с шиной | Граничное сканирование | Режим снижения энергопотребления | Формат | Интегрированный кэш | Количество внешних прерываний | Количество последовательных входов/выходов | Размер оперативной памяти для чипа данных | Количество вариантов DMA |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EFR32FG1V131F256GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–915 МГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -94 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 16,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | 2FSK, 4FSK, ASK, BPSK, DBPSK, DSSS, GFSK, GMSK, MSK, OOK, O-QPSK | Флекс Геккон | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1P132F128GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2015 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р68Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 44,5 мА~88 мА | 41 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф256Р55Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -116 дБм | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 41 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р68Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ220Ф32Р67Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg220f64r69gc0r-datasheets-2982.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | 3В | 0,5 мм | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 27 | 25 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 27 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф32Р60Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -126 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 25 | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2620F128РГЗТ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | SimpleLink™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc1350f128rgzr-datasheets-7708.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | I2C, SPI, УАРТ | 1 Мб | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 900 мкм | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 1,8 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | СС2620 | НЕ УКАЗАН | -100 дБм | 250 кбит/с | 5,9 мА~6,1 мА | 128 КБ флэш-памяти 28 КБ | 6,1 мА~9,1 мА | 31 | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | Зигби® | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф64Р68Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG12P232F1024GM48-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Синий геккон | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32bg12p432f1024gm48c-datasheets-0020.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | -95 дБм | 1024 КБ флэш-памяти 128 КБ ОЗУ | 10 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v5.0 | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1P131F128GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–915 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | совместимый | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -94 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф64Р67Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ13П632Ф512ГМ32-Д | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 2 (1 год) | 2,4 ГГц~2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32bg13p532f512gm48c-datasheets-9516.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 10 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф256Р55Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART | да | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32 КБ | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NRF24LE1-O17Q48-T | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,95 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24le1o17q32s-datasheets-5816.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 3,6 В | 48 | 20 недель | I2C, SPI, УАРТ | 8542.31.00.01 | ДА | 1,9 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N48 | -94 дБм | 2 Мбит/с | 12,4 мА~13,3 мА | 16 КБ OTP 1 КБ SRAM | 6,8 мА~11,1 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1060-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142–175 МГц 425–525 МГц 850–1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 8 недель | 36 | I2C, SPI, УАРТ | 1,8 В~3,6 В | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 70 мА~85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 20 дБм | Да | 4 | 11 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY8C4128FNI-BL583T | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ПСОК® 4 | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/cypresssemiconductorcorp-cy8c4127lqibl473-datasheets-0797.pdf | 4,04 мм | 3,87 мм | 76 | 22 недели | ДА | 1,8 В~5,5 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б76 | -92 дБм | 8 Мбит/с | 16,4 мА~18,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 8 КБ ПЗУ 32 КБ SRAM | 16,5 мА~20 мА | 36 | 3 дБ | Bluetooth, общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.2 | 36 | 32000 | И2С; СПИ; УАРТ | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р61Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART | да | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32 КБ | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 16 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2560BYFVT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 76-VFQFN Двухрядный, открытая колодка | 2,93 мм | 575 мкм | 3,26 мм | 54 | 6 недель | 54 | И2С, УАРТ | 1 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | 538 мкм | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,2 В~4,8 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,6 В | 0,4 мм | СС2560 | НЕ УКАЗАН | -95 дБм | 4 Мбит/с | 40,5 мА~41,2 мА | 40,5 мА~41,2 мА | 12 дБм | Bluetooth | И2С, УАРТ | ГФСК, ГМСК | Bluetooth v4.1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р67Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART | да | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32 КБ | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф64Р63Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -126 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1V132F256GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1,85 В~3,8 В | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р61Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 33,5 мА~43 мА | 41 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 16 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМР21Г16А-МФТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1608.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 48 | 12 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | Олово | е3 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Г | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ | 7,2 мА~13,8 мА | 28 | ВСПЫШКА | РУКА | 8КБ | 32б | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | Да | 3 | 28 | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 8000 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 15 | 5 | 8 | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG21A020F1024IM32-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | /files/siliconlabs-efr32bg21a010f512im32br-datasheets-9189.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1P132F64GM48-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ86РФ212-ЗУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 769–935 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-at86rf212zu-datasheets-5659.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 1 мм | 5 мм | 3В | 5 мм | Нет СВХК | 3,6 В | 1,8 В | 32 | СПИ | 1 | Нет | 928,5 МГц | 3В | 1,8 В~3,6 В | 32-КФН (5х5) | -110 дБм | -110 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА~9,2 мА | 128Б СОЗУ | 13 мА~25 мА | 10 дБм | 1 | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | СПИ | ДССС, БПСК, О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee® | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф32Р68Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 25 | 32 | ДА | ДА | ДА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ21А010Ф512ИМ32-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | /files/siliconlabs-efr32mg21a020f1024im32b-datasheets-0241.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЦАМР21Г17А-МУТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1608.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 48 | 12 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | Олово | е3 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Г | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ | 7,2 мА~13,8 мА | 28 | ВСПЫШКА | РУКА | 16 КБ | 32б | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | Да | 3 | 28 | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 16000 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 15 | 5 | 8 | 12 |
