Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Количество приемников | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Тип телекоммуникационных микросхем | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Количество передатчиков | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Ширина встроенной программы ПЗУ | Семейство процессоров | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ПЗУ (слова) | ОЗУ (слова) | Совместимость с шиной | Граничное сканирование | Режим снижения энергопотребления | Формат | Интегрированный кэш | Количество внешних прерываний | Количество последовательных входов/выходов | Количество таймеров | ОЗУ (байты) | Размер оперативной памяти для чипа данных | Количество вариантов DMA | Время-мин |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АТ86РФ212-ЗУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 769–935 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-at86rf212zu-datasheets-5659.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 1 мм | 5 мм | 3В | 5 мм | Нет СВХК | 3,6 В | 1,8 В | 32 | СПИ | 1 | Нет | 928,5 МГц | 3В | 1,8 В~3,6 В | 32-КФН (5х5) | -110 дБм | -110 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА~9,2 мА | 128Б СОЗУ | 13 мА~25 мА | 10 дБм | 1 | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | СПИ | ДССС, БПСК, О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee® | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф32Р68Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 25 | 32 | ДА | ДА | ДА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ21А010Ф512ИМ32-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | /files/siliconlabs-efr32mg21a020f1024im32b-datasheets-0241.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЦАМР21Г17А-МУТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1608.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 48 | 12 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | Олово | е3 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Г | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ | 7,2 мА~13,8 мА | 28 | ВСПЫШКА | РУКА | 16 КБ | 32б | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | Да | 3 | 28 | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 16000 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 15 | 5 | 8 | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф128Р55Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -116 дБм | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 41 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф256Р55Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 41 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 41 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф64Р61Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32 КБ | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 16 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф64Р60Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | 1,98 В~3,8 В | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМР30Г18А-МУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 700 МГц 800 МГц 900 МГц | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-atsamr30e18amut-datasheets-5332.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 12 недель | 8542.31.00.01 | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | АЦАМР30 | 46 мА | S-XQCC-N48 | -110 дБм | 1 Мбит/с | 9,2 мА | 256 КБ флэш-памяти 40 КБ SRAM | 26,5 мА | 28 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | НЕТ | НЕТ | 11 дБм | 32 | КОРТЕКС-М0 | 802.15.4 | I2C, СПИ | БПСК, О-QPSK | 28 | 65536 | 8192 | ДА | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 15 | 3 | 32 | 12 | СЕКУНДЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2545РГЗТ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | Без свинца | 48 | 6 недель | 48 | I2C, SPI, УАРТ | 256 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | е4 | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | СС2545 | 48 | Другие ИБП/UC/периферийные микросхемы | 3В | -90 дБм | -98 дБм | 2 Мбит/с | 20,8 мА | 32 КБ флэш-памяти 1 КБ SRAM | 26,3 мА~30,2 мА | 1 КБ | 5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, СПИ, УСАРТ | ГФСК, МСК | 31 | И2С; СПИ; УАРТ; УСАРТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STM32WB55CEU7 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | 3 (168 часов) | 2,402–2,48 ГГц | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stm32wb55ccu6-datasheets-8299.pdf | 48-UFQFN Открытая площадка | 7 мм | 7 мм | 48 | 10 недель | совместимый | ДА | 1,71 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -100 дБм | 2 Мбит/с | 4,5 мА~7,9 мА | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ SRAM | 5,2 мА~12,7 мА | 30 | 64 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 6 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, UART, USART, USB | ГФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STM32WB55REV6 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | 3 (168 часов) | 2,402–2,48 ГГц | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stm32wb55ccu6-datasheets-8299.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 68 | 10 недель | совместимый | ДА | 1,71 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | -100 дБм | 2 Мбит/с | 4,5 мА~7,9 мА | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ SRAM | 5,2 мА~12,7 мА | 49 | 64 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 6 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, UART, USART, USB | ГФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 49 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ220Ф64Р60Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg220f64r69gc0r-datasheets-2982.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | 3В | 0,5 мм | -126 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 27 | 25 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 27 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY8C4127LQI-BL493T | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ПСОК® 4 | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 год | 56-UFQFN Открытая площадка | 18 недель | 1,8 В~5,5 В | 56-КФН (7х7) | -91 дБм | 8 Мбит/с | 16,4 мА~18,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 8 КБ ПЗУ 16 КБ SRAM | 14,2 мА~20 мА | 3 дБ | Bluetooth, общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.2 | 36 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2510F16RHHT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 36-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 1 мм | 6 мм | Без свинца | 36 | 6 недель | 36 | СПИ, УАРТ | 128 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е4 | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | СС2510 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,5/3,3 В | -103 дБм | 500 кбод | 14,7 мА~22,9 мА | 16 КБ флэш-памяти 2 КБ | 15,5 мА~26 мА | 8051 | 2 КБ | 8б | 1 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | И2С, СПИ, УСАРТ | 2ФСК, ГФСК, МСК | 21 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф64Р55Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 142 МГц~1,05 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | совместимый | 8542.31.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N48 | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~108 мА | 25 | 32 | ДА | ДА | ДА | ДА | 10 дБм | 8 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | 65536 | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф64Р55Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф128Р55Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | 1,98 В~3,8 В | 260 | НЕ УКАЗАН | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32 КБ | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф128Р55Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -116 дБм | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 38 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RF430F5144CIRKVRQ1 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-rf430f5144cirkvrq1-datasheets-5494.pdf | 48-КФН | 6 недель | 430F5144 | 16 КБ флэш-памяти 1 КБ EEPROM 1 КБ ОЗУ | 23 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМР21Е17А-МУТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1608.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 32 | 12 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | Олово | е3 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Е | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ | 7,2 мА~13,8 мА | 16 | ВСПЫШКА | РУКА | 16 КБ | 32б | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | Да | 3 | 16 | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 14 | 4 | 8 | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЦАМР21Г17А-МУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1608.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | Без свинца | 48 | 12 недель | Нет СВХК | 48 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | Олово | е3 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Г | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ | 7,2 мА~13,8 мА | 28 | ВСПЫШКА | РУКА | 16 КБ | 32б | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | Да | 3 | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 16000 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 15 | 5 | 8 | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р61Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -129 дБм | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 16 дБм | 41 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW4343WKWBGT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | WICED | Поверхностный монтаж | -30°К~70°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | 0,33 мм | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw4343wkwbg-datasheets-3846.pdf | 153-XFBGA, WLCSP | 4,87 мм | 2,87 мм | 153 | 13 недель | 1 | ДА | 1,2 В~3,3 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | -97 дБм | 96 Мбит/с | 37 мА~41 мА | 640 КБ ПЗУ 512 КБ SRAM | 260 мА~320 мА | 21 дБм | Bluetooth, Wi-Fi | И2С, СПИ, УАРТ | 8ДПСК, ДКФСК, ГФСК | 802.11b/g/n, Bluetooth v4.1, класс 1 и 2 | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р67Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~22 мА | 41 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р67Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -133 дБм | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 41 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG1P333F256IM48-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | 2 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 20 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.0 | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф64Р60Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32 КБ | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1V131F128GM48-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–915 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | совместимый | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -94 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 16,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | 2FSK, 4FSK, ASK, BPSK, DBPSK, DSSS, GFSK, GMSK, MSK, OOK, O-QPSK | Флекс Геккон | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЦАМР21Г16А-МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1608.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 48 | 12 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | Олово | е3 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Г | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ | 7,2 мА~13,8 мА | 28 | ВСПЫШКА | РУКА | 8КБ | 32б | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | Да | 3 | 28 | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 8000 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 15 | 5 | 8 | 12 |
