Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАналоговые оптические датчики(318)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Материал | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Сенсорный экран | Выходная мощность | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Время подъема | Осень (тип.) | Задержка распространения | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Расстояние внедрения | Диапазон измерения-Макс. | Диапазон измерения-мин. | Тип датчиков/преобразователей | Выходной диапазон | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Линейность | Длина волны | Пиковая длина волны | Темный ток | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Z4D-F04A | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Кронштейны горизонтальные | Крепление на кронштейне горизонтальное | -10°К~55°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2002 г. | Модуль предварительно смонтированный | Без свинца | 2 недели | неизвестный | 24В | 12 В | 5 мс | 36 мм | 15,4 мм | РАЗЪЕМ | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 0,1 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNB23010R0LF | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2004 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-cnb2301-datasheets-6312.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 150 мкс, 150 мкс | Фотодарлингтон | 0,039 (1 мм) | 50 мА | 20 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNB13020R | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Масса | 4 (72 часа) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cnb13020r-datasheets-6246.pdf | 4-SMD, плоские выводы | Светоотражающий | 3,4 мм | 1,5 мм | Без свинца | 20 мкс, 20 мкс | 20 мА | 1,3 В | Фототранзистор | 20 мкс | 0,039 (1 мм) | 30 В | 20 мА | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ707Б | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb707b-datasheets-6361.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 1,7 В | 4 | 20 мА | 1,7 В | Фотодарлингтон | 0,050 (1,27 мм) | 2В | 15 В | 15 В | 125 мА | 50 мА | 935 нм | 15 В | 125 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2Л26 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2l24-datasheets-6084.pdf | 4-СМД | Светоотражающий | 4 | 2 В ВЦЭ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 80 мкс, 70 мкс | 1 | 50 мА | 50 мА | 1,2 В | Фотодарлингтон | 400 мкс | 400 мкс | 0,031 (0,8 мм) | 0,7 мм | 0,7 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 6В | 35В | 35В | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QRE00034 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2001 г. | /files/onsemiconductor-qre00034-datasheets-6366.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 10 мкс, 50 мкс | Фототранзистор | 0,157 (4 мм) | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QRB1134 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | 5В | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | 40 мА | 1,7 В | Без свинца | Нет СВХК | 4 | 100мВт | 8 мкс, 8 мкс | 1 | 30 В | 40 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 8 мкс | 8 мкс | 0,150 (3,81 мм) | 5В | 5В | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ608Р | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb608v-datasheets-5063.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 12 мА | 1,9 В | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 4 | 1 | 100мВт | 30 В | 25А | 50 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 0,050 (1,27 мм) | 30 В | 5В | 30 В | 30 В | 25 мА | 50 мА | 5В | 650 нм | 850 нм | 30 В | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2С27Т2ДЖ00Ф | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 5 (48 часов) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2s27tj000f-datasheets-6147.pdf | 4-СМД | Светоотражающий | Без свинца | 4 | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 100мВт | 20 мкс, 20 мкс | 1 | 20 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 20 мкс | 20 мкс | 3 мм | ПАЙКА | 0,028 (0,7 мм) | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 6В | 35В | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | 950 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2С27Т6ДЖ00Ф | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2s27tj000f-datasheets-6147.pdf | 4-СМД | Светоотражающий | 20 мкс, 20 мкс | Фототранзистор | 0,028 (0,7 мм) | 50 мА | 35В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2С27Т3ДЖ00Ф | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 5 (48 часов) | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2s27t-datasheets-6093.pdf | 4-СМД | Светоотражающий | Без свинца | 4 | неизвестный | 100мВт | 20 мкс, 20 мкс | 1 | 75мВт | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 100 мкс | 100 мкс | 3 мм | ПАЙКА | 0,028 (0,7 мм) | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 6В | 35В | 35В | 35В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNB10010SL | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-cnb10010rl-datasheets-5991.pdf | 4-СМД | Светоотражающий | 3,4 мм | 1,5 мм | 2,7 мм | Без свинца | 4 | 30 мкс, 40 мкс | 20 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 30 мкс | 0,039 (1 мм) | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1405-002 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | 30 В | Модуль печатной платы | Светоотражающий | 23,11 мм | 800 мкА | 5,33 мм | 17,27 мм | Без свинца | 4 недели | Неизвестный | 4 | Полиэстер | Нет | 1 | 70мВт | 15 мкс, 15 мкс | 1 | 30 В | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 15 мкс | 15 мкс | 0,2 (5,08 мм) | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 50 мА | 3В | 100нА | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1397-002 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa1397032-datasheets-6110.pdf | 30 В | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | 60 мА | Без свинца | 14 недель | 4 | Полиэстер | 15 мкс, 15 мкс | 30 В | 20 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 0,050 (1,27 мм) | 60 мА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HLC1395-001 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 30 В | Соответствует RoHS | 1997 год | 30 В | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 4,45 мм | 2,2 мм | 4,45 мм | Без свинца | Полисульфон | 6 недель | Неизвестный | 3 | Нет | 1 | 100мВт | 15 мкс, 15 мкс | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 15нс | 15 нс | 15 мкс | 0,040 (1,02 мм) | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 3В | 100нА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2S24BJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2s24bj000f-datasheets-6203.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | Без свинца | 4 | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 100мВт | 20 мкс, 20 мкс | 1 | 20 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 20 мкс | 20 мкс | 3 мм | ПАЙКА | ПЛАСТИК | 0,028 (0,7 мм) | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 6В | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | 950 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСЖ1180-002 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Свинцовый провод | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa1180002-datasheets-6208.pdf | 30 В | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | 15,88 мм | 160 мкА | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | Полиэстер | 4 недели | Нет СВХК | 4 | Полиэстер | Нет | 75мВт | 1 | 75мВт | 75 мкс, 75 мкс | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | Фотодарлингтон | 15 мкс | 15 мкс | 0,250 (6,35 мм) | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 3В | 100нА | 15 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| GP2S40J0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2s40j0000f-datasheets-6213.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | Без свинца | 4 | 5 В, напряжение питания | Медь, Олово | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 100мВт | 50 мкс, 50 мкс | 1 | 20 мА | 20 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 50 мкс | 50 мкс | 3 мм | ПАЙКА | 0,138 (3,5 мм) | 3 мм | 3 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 0,50–3 мА | 6В | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | 950 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HBCS-1100 | Lite-On | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~70°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | Вариант ТО-5, 8 выводов, металлическая банка с верхней крышкой линзы | Светоотражающий | Без свинца | 8 | 5ПА ТЕМНЫЙ ТОК | неизвестный | 120 мВт | 1 | 35 мА | 1,6 В | Фототранзистор | ПАЙКА | 0,168 (4,27 мм) | 4,52 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 5В | 5В | 5В | 8мА | 50 мА | 700 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2S24J0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2s24bj000f-datasheets-6203.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | Без свинца | 4 | 2 В ВЦЭ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 100мВт | 20 мкс, 20 мкс | 1 | 20 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 20 мкс | 20 мкс | 3 мм | ПАЙКА | ПЛАСТИК | 0,028 (0,7 мм) | 0,7 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 6В | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 50 мА | 950 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QRB1133 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | 8 мкс, 8 мкс | Фототранзистор | 0,150 (3,81 мм) | 50 мА | 30 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТРС6660 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~80°К | Масса | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtrs6660-datasheets-6227.pdf | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | 12 недель | неизвестный | 30 мкс | Фототранзистор | 3 мм | 4 мм | ПАЙКА | 1,5 мм | 1,5 мм | 0,5 мм | 20 В | 50 мА | 40 мА | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2С24 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2s24-datasheets-6138.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | Содержит свинец | 4 | 2 В ВЦЭ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 20 мкс, 20 мкс | 20 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 20 мкс | 0,031 (0,8 мм) | 0,7 мм | 0,7 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 0,10 мА | 35В | 20 мА | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2С28 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2s28-datasheets-6142.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | Без свинца | 4 | 20 мкс, 20 мкс | 20 мА | 20 мА | 1,3 В | Фототранзистор | 20 мкс | 30 мкс | 0,551 (14 мм) | 6В | 35В | 35В | 20 мА | 60 мА | 950 нм | 35В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2С27ТДЖ000Ф | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2s27tj000f-datasheets-6147.pdf | 4-СМД | Светоотражающий | Без свинца | 4 | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 100мВт | 20 мкс, 20 мкс | 1 | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 100 мкс | 100 мкс | 3 мм | ПАЙКА | 0,028 (0,7 мм) | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 6В | 35В | 35В | 35В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА0149-001 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa0149001-datasheets-6152.pdf | 30 В | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 8,89 мм | 50 мА | 4,83 мм | 17,78 мм | Без свинца | АБС | 4 недели | Нет СВХК | 4 | Нет | 70мВт | 1 | 70мВт | 15 мкс, 15 мкс | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 15нс | 15 нс | 0,200 (5,08 мм) | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 100нА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2С40 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2s40-datasheets-6162.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | Содержит свинец | 50 мкс, 50 мкс | Фототранзистор | 0,256 (6,5 мм) | 35В | 20 мА | 50 мА | 35В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2L24J0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-gp2l24j0000f-datasheets-6166.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | Без свинца | 4 | 2 В ВЦЭ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 100мВт | 80 мкс, 70 мкс | 1 | 50 мА | 20 мА | 1,2 В | Фотодарлингтон | 80 мкс | 70 мкс | 3 мм | ПАЙКА | 0,028 (0,7 мм) | 0,7 мм | 0,7 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 6В | 6В | 35В | 35В | 50 мА | 950 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1404-002 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa1404002-datasheets-6171.pdf | 30 В | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | 12,16 мм | 30 мА | 16,38 мм | 4,32 мм | 1,6 В | Содержит свинец | Ацеталь | 4 недели | Нет СВХК | 4 | Ацеталь | Нет | 1 | 75мВт | 15 мкс, 15 мкс | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 30 мА | 50 мА | 1,6 В | Фототранзистор | 15 мкс | 15 мкс | 0,2 (5,08 мм) | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 3В | 100нА | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ГП2Л24 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2l24-datasheets-6084.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | Содержит свинец | 4 | 80 мкс, 70 мкс | 50 мА | 1,2 В | Фотодарлингтон | 80 мкс | 0,031 (0,8 мм) | 35В | 50 мА | 50 мА | 35В | 50 мА |
