Гироскопы - Электронные компоненты Поиск - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Гироскоп (168)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП В припании Управый Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Ток - Посткака Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе Проспна СОУДНО ПРИОН Губина Колист DOSTIчH SVHC Колист Имен PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗНАЯ DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист Н. КОД JESD-609 Особз ТЕРМИНАЛЕН Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ДАТАПЕРКЕРКИ СТАТУСА -3db polosы propypuskanya Резер Вес Втипа Илинаност ТИП ДАТГИКА Оси ДИАПАХОН °/С. Чuewytelnopsth (lsb/(°/s)) Чuewytelnopth (mv/°/s)
MAX21002+ Max21002+ МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) Bicmos 5,1 май 1 ММ Rohs3 2013 /files/maximintegrated-max21002-datasheets-7050.pdf 16-VFLGA 3 ММ 0,1 ГГ ~ 400 ГГц 16 Не 8542.39.00.01 1 Rugulirueemainpa -opropupyskanip, vыbiraemamaMAMAMABABABABA 1,71 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 2,5 В. 0,5 мм 3,6 В. 1,71 В. S-PBGA-B16 I2c, spi X (pitch), y (ruloan) ± 31,25, 62,50, 125, 250, 500, 1000 30 ~ 960
MAX21000+T Max21000+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Bicmos 5,4 мая Rohs3 2013 /files/maximintegrated-max21000-datasheets-7145.pdf 16-VFLGA 3 ММ 900 мкм 3 ММ 0,1 ГГ ~ 400 ГГц 16 в дар 8542.39.00.01 1 5,4 мая E4 Rugulirueemainpa -opropupyskanip, vыbiraemamaMAMAMABABABABA ЗOLOTOTO (AU) 1,71 В ~ 3,6 В. Nukahan 2,5 В. 0,5 мм 3,6 В. 1,71 В. Nukahan I2c, spi X (pitch), y (roll), z (Haw) ± 31,25, 62,50, 125, 250, 500, 1000, 2000 15 ~ 960
LPY550AL LPY550AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) 6,8 мая Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpy550al-datasheets-5937.pdf 16-lflga 5 ММ 1,5 мм 5 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 16 16 3,6 В. 2,7 В. НЕИ 1 В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 3В 0,8 мм LPY550 16 Н.Квалиирована 2б Аналогово 2 ossh X (pitch), y (ruloan) ± 500 2
LPY510AL LPY510AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) 6,8 мая 1,6 ММ Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpy510altr-datasheets-6779.pdf 16-lflga 5 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 16 16 Не 8542.39.00.01 1 6,8 мая E4 Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 3В 0,8 мм LPY510 16 3,6 В. 2,7 В. Аналогово X (pitch), y (ruloan) ± 100 10
LPY530AL LPY530AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая 1,6 ММ Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpy530al-datasheets-6784.pdf 16-lflga 5 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 16 16 Не 8542.39.00.01 1 6,8 мая 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 3В 0,8 мм LPY530 16 3,6 В. 2,7 В. 3В Аналогово X (pitch), y (ruloan) ± 300 33,3
LPY503AL LPY503AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) 6,8 мая 1,6 ММ Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpy503al-datasheets-6833.pdf 16-lflga 5 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 16 16 Не 8542.39.00.01 1 6,8 мая 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 3В 0,8 мм LPY503 16 3,6 В. 2,7 В. 3В Аналогово X (pitch), y (ruloan) ± 30 33,3
L3G4200D L3G4200D Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 6,1 май Rohs3 /files/stmicroelectronics-l3g4200dtr-datasheets-7012.pdf 16-tflga 4 мм 1 ММ 4 мм 3В 100 ГГ ~ 800 гц СОУДНО ПРИОН 4 мм 16 НЕТ SVHC 16 I2c, spi, serial Ear99 Не 3,6 В. 2,4 В. 8542.39.00.01 1 E4 Rugulirueemainpa -opropupyskanip, vыbiraemamaMAMAMABABABABA Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) 2,4 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В 0,65 мм L3G4200 16 30 2б I2c, spi 3 Оси X (pitch), y (roll), z (Haw) ± 250, 500, 2000 8,75 ~ 70
ADIS16266BCCZ ADIS16266BCCZ Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Пефер -40 ° C ~ 105 ° C TA Поднос 5 (48 чASOW) 41MA В /files/analogdevicesinc-adis1626666bccz-datasheets-7289.pdf 20-lflga 11,2 мм 5,5 мм 11,2 мм 360 ГГ СОДЕРИТС 20 НЕТ SVHC 20 Spi, sererial не 7A994 LG-MAX Оло Сообщите 8542.39.00.01 1 41MA Rugulirueemaiper opolosa propueskanya, reryshim sna, datshyktymperaturы 4,75 -5,25. Униджин Приклад Nukahan 5в ADIS16266 20 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Drugie -analogowыe ecs 5в Н.Квалиирована 1,5 б SPI Z (rыВок) ± 3500, 7000, 14000 0,2 ~ 0,9
L3GD20TR L3GD20TR Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 6,1 май Rohs3 16-VFLGA 4 мм 1 ММ 4 мм 3,6 В. 47,5 gц ~ 380 ГГц СОУДНО ПРИОН 16 НЕТ SVHC 16 I2c, spi Ear99 8542.39.00.01 1 6,1 май Rugulirueemainpa -opropupyskanip, vыbiraemamaMAMAMABABABABA В дар 2,4 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В 0,65 мм L3GD20 16 2,4 В. Nukahan Н.Квалиирована I2c, spi 0,2 % X (pitch), y (roll), z (Haw) ± 250, 500, 2000 8,75 ~ 70
ADIS16133BMLZ ADIS16133BMLZ Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Isensor® Винт -40 ° C ~ 105 ° C TA Поднос 1 (neograniчennnый) 88 май Rohs3 /files/analogdevicesinc-adis16133bmlz-datasheets-7307.pdf Модул 36 ММ 14 ММ 44 мм СОДЕРИТС 24 НЕТ SVHC 24 не 7A994 8542.39.00.01 1 88 май Спьезиджир, датгик 4,85 -5,15. НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan 5в 1 ММ ADIS16133 24 5,15 В. 4,85 В. Nukahan 335 ГГ SPI Z (rыВок) ± 1200 20
LY5150ALH LY5150ALH Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 4,8 мая 1,6 ММ Rohs3 /files/stmicroelectronics-ly5150alhtr-datasheets-6707.pdf 16-lflga 5 ММ 3,6 В. 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 16 16 3,6 В. 2,7 В. 1 5,5 мая E4 Ngechelh/зolothot (ni/au) В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В 0,8 мм LY5150 16 Nukahan 3В Н.Квалиирована 2б Аналогово X (шag) ± 1500 2
LPY410ALTR LPY410ALTR Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая 1,1 мм Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpy410al-datasheets-6863.pdf 28-tflga 5 ММ 560 ГГ СОУДНО ПРИОН 28 28 в дар Не 8542.39.00.01 1 6,8 мая E4 Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В 0,5 мм LPY410 28 3,6 В. 2,7 В. 30 3В Аналогово X (pitch), y (ruloan) ± 100 10
MAX21003+T Max21003+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Bicmos 5,1 май 1 ММ Rohs3 2013 /files/maximintegrated-max21003t-datasheets-7135.pdf 16-VFLGA 3 ММ 0,1 ГГ ~ 400 ГГц 16 16 Не 8542.39.00.01 1 Rugulirueemainpa -opropupyskanip, vыbiraemamaMAMAMABABABABA 1,71 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 2,5 В. 0,5 мм 3,6 В. 1,71 В. I2c, spi X (pitch), y (ruloan) ± 31,25, 62,50, 125, 250, 500, 1000 30 ~ 960
MAX21000+ Max21000+ МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) Bicmos 5,4 мая Rohs3 2013 /files/maximintegrated-max21000-datasheets-7145.pdf 16-VFLGA 3 ММ 900 мкм 3 ММ 1,8 В. 0,1 ГГ ~ 400 ГГц 16 16 I2c, spi Не 3,6 В. 1,71 В. 8542.39.00.01 1 Rugulirueemainpa -opropupyskanip, vыbiraemamaMAMAMABABABABA 1,71 В ~ 3,6 В. Квадран 2,5 В. 0,5 мм Drugie -analogowыe ecs 2,5 В. 2б I2c, spi X (pitch), y (roll), z (Haw) ± 31,25, 62,50, 125, 250, 500, 1000, 2000 15 ~ 960
MAX21002+T Max21002+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Bicmos 5,1 май 1 ММ Rohs3 2013 /files/maximintegrated-max21002-datasheets-7050.pdf 16-VFLGA 3 ММ 0,1 ГГ ~ 400 ГГц 16 16 Не 8542.39.00.01 1 Rugulirueemainpa -opropupyskanip, vыbiraemamaMAMAMABABABABA 1,71 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 2,5 В. 0,5 мм 3,6 В. 1,71 В. I2c, spi X (pitch), y (ruloan) ± 31,25, 62,50, 125, 250, 500, 1000 30 ~ 960
ADIS16305AMLZ ADIS16305AMLZ Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй В. -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 1 (neograniчennnый) 42 май В /files/analogdevicesinc-adis16305AMLZ-datasheets-7184.pdf Модул 31,25 мм 8 ММ 23,25 мм 330 ГГ СОДЕРИТС НЕТ SVHC 24 не 42 май Rugulirueemaiper opolosa propueskanya, reryshim sna, datshyktymperaturы 4,75 -5,25. ADIS16305 24 2013-05-01 14: 56: 39.022 SPI X (pitch), y (roll), z (Haw) ± 75, 150, 300 20 ~ 80
LY530AL LY530AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 4,8 мая 1,6 ММ Rohs3 /files/stmicroelectronics-ly530al-datasheets-7002.pdf 16-lflga 5 ММ 88 ГГ 16 16 Не 8542.39.00.01 1 4,8 мая E4 Ngechelh/зolothot (ni/au) 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3,3 В. 0,8 мм LY530 16 3,6 В. 2,7 В. Аналогово X (шag) ± 300 33,3
LPR510ALTR LPR510ALTR Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpr510altr-datasheets-6807.pdf 16-lflga 5 ММ 1,5 мм 5 ММ 3,6 В. 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 16 16 Не 3,6 В. 2,7 В. 8542.39.00.01 1 6,8 мая 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 3В 0,8 мм LPR510 16 3В 2б Аналогово 2 ossh X (pitch), y (ruloan) ± 100 10
L3G4200DTR L3G4200DTR Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 6,1 май Rohs3 /files/stmicroelectronics-l3g4200dtr-datasheets-7012.pdf 16-tflga 4 мм 1 ММ 4 мм 3В 100 ГГ ~ 800 гц СОУДНО ПРИОН 4 мм 16 16 Ear99 ЗOLOTO Не 8542.39.00.01 1 6,1 май E4 Rugulirueemainpa -opropupyskanip, vыbiraemamaMAMAMABABABABA 2,4 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 3В 0,65 мм L3G4200 16 3,6 В. 2,4 В. 6,1 май I2c, spi X (pitch), y (roll), z (Haw) ± 250, 500, 2000 8,75 ~ 70
LPR4150AL LPR4150AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpr4150al-datasheets-6855.pdf 28-tflga 4 мм 1 ММ 5 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 28 НЕТ SVHC 28 в дар Не 3,6 В. 2,7 В. 8542.39.00.01 1 6,8 мая E4 RughuliruemAyamaiper polosa propueskanya, spanehiй rerheym Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В LPR4150 28 3В 3,5 б Аналогово 2 ossh X (pitch), y (ruloan) ± 1500, 6000 0,67 ~ 0,167
LPY430ALTR LPY430ALTR Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая 1,1 мм Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpy430al-datasheets-6985.pdf 28-tflga 5 ММ 140 ГГ 28 28 в дар Не 8542.39.00.01 1 6,8 мая E4 Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В 0,5 мм LPY430 28 3,6 В. 2,7 В. 3В Аналогово X (pitch), y (ruloan) ± 300 33,3
LPY410AL LPY410AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpy410al-datasheets-6863.pdf 28-tflga 4 мм 1 ММ 5 ММ 3,6 В. 560 ГГ СОУДНО ПРИОН 28 НЕТ SVHC 28 в дар Не 3,6 В. 2,7 В. 8542.39.00.01 1 6,8 мая E4 Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В LPY410 28 30 3В 3,5 б Аналогово 2 ossh X (pitch), y (ruloan) ± 100 10
LPR410ALTR LPR410Altr Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая 1,1 мм Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpr410al-datasheets-6918.pdf 28-tflga 5 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 28 28 Ear99 Не 8542.39.00.01 1 6,8 мая E4 Rugulirueemaiper opolosapapupuskanya, vыbiraemamaMAMAMAMAMABABA, REжIM SNA Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В 0,5 мм LPR410 28 3,6 В. 2,7 В. 3В Аналогово X (pitch), y (ruloan) ± 100, 400 10 ~ 2,5
LPR450AL LPR450AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая 1,1 мм Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpr450al-datasheets-6875.pdf 28-tflga 5 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 28 НЕТ SVHC 28 Не 1 6,8 мая E4 Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В 0,5 мм LPR450 28 3,6 В. 3В Аналогово X (pitch), y (ruloan) ± 500 2
L3GD20 L3GD20 Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 6,1 май Rohs3 16-VFLGA 4 мм 1 ММ 4 мм 3,6 В. 47,5 gц ~ 380 ГГц СОУДНО ПРИОН 16 НЕТ SVHC 16 I2c, spi Ear99 3,6 В. 2,4 В. 8542.39.00.01 1 6,1 май Rugulirueemainpa -opropupyskanip, vыbiraemamaMAMAMABABABABA В дар 2,4 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 3В 0,65 мм L3GD20 16 Н.Квалиирована 2б I2c, spi 3 Оси X (pitch), y (roll), z (Haw) ± 250, 500, 2000 8,75 ~ 70
LPR530AL LPR530AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая 1,6 ММ Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpr530al-datasheets-6572.pdf 16-lflga 5 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 16 16 8542.39.00.01 1 6,8 мая В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 3В 0,8 мм LPR530 16 3,6 В. 2,7 В. Н.Квалиирована Аналогово X (pitch), y (ruloan) ± 300 33,3
LPR410AL LPR410AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpr410al-datasheets-6918.pdf 28-tflga 4 мм 1 ММ 5 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 28 НЕТ SVHC 28 Ear99 Не 3,6 В. 2,7 В. 8542.39.00.01 1 6,8 мая E4 Rugulirueemaiper opolosapapupuskanya, vыbiraemamaMAMAMAMAMABABA, REжIM SNA Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В LPR410 28 30 3В Аналогово 2 ossh X (pitch), y (ruloan) ± 100, 400 10 ~ 2,5
LYPR540AH Lypr540ah Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) 10,8 мая 1,1 мм Rohs3 /files/stmicroelectronics-lypr540ah-datasheets-6925.pdf 28-tflga 7,5 мм 140 ГГ 28 28 Не 3,6 В. 2,7 В. 8542.39.00.01 1 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 3В 0,6 ММ Lypr54 28 3,5 б Аналогово X (pitch), y (roll), z (Haw) ± 400 3.2
LPR5150AL LPR5150AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) 6,8 мая Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpr5150altr-datasheets-5950.pdf 16-lflga 5 ММ 1,5 мм 5 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 16 16 3,6 В. 2,7 В. НЕИ 8542.39.00.01 1 В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад Nukahan 3В 0,6 ММ LPR5150 16 Nukahan Н.Квалиирована 2б Аналогово 2 ossh X (pitch), y (ruloan) ± 1500 0,67
LPR430ALTR LPR430Altr Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая 1,1 мм Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpr430Altr-datasheets-6935.pdf 28-tflga 5 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 28 28 Не 8542.39.00.01 1 6,8 мая E4 Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В 0,5 мм LPR430 28 3,6 В. 2,7 В. 3В Аналогово X (pitch), y (ruloan) ± 300 3.33
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)