Гироскопы - Электронные компоненты Поиск - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Гироскоп (168)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП В припании Управый Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Ток - Посткака Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе Проспна СОУДНО ПРИОН Губина Колист Верна - DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Имен PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗНАЯ DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист Н. КОД JESD-609 Особз ТЕРМИНАЛЕН Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 -3db polosы propypuskanya Резер Втипа Илинаност ТИП ДАТГИКА Оси ДИАПАХОН °/С. Чuewytelnopsth (lsb/(°/s)) Чuewytelnopth (mv/°/s)
LPR403AL LPR403AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос Мемс ROHS COMPRINT /files/stmicroelectronics-lpr403al-datasheets-2250.pdf 28 Не
L3G4IS L3G4IS Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос Мемс ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ /files/stmicroelectronics-l3g4is-datasheets-8855.pdf 16 Не
FXAS21002C FXAS21002C Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Лю ROHS COMPRINT /files/nxpsemiconductors-fxas21002CQ-datasheets-7875.pdf 24 Не
ADXRS622WBBGZA-RL Adxrs622wbbgza-rl Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Лю ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ /files/analogdevices-adxrs62222wbbgzarl-datasheets-5595.pdf 32 В дар
L3G3IS L3G3IS Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос Мемс ROHS COMPRINT /files/stmicroelectronics-l3g3is-datasheets-8743.pdf 16 Не
FXAS21002CQ FXAS21002CQ Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Лю ROHS COMPRINT /files/nxpsemiconductors-fxas21002CQ-datasheets-7875.pdf 24 Не
ADXRS300ABG ADXRS300ABG Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос Мемс Rohs /files/analogdevices-adxrs300abg-datasheets-7994.pdf 32 В дар
LPY403ALTR LPY403Altr Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Лю Мемс ROHS COMPRINT /files/stmicroelectronics-lpy403al-datasheets-1837.pdf 28 Не
L2G2IS L2G2IS Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос Мемс ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ /files/stmicroelectronics-l2g2is-datasheets-3355.pdf 16 Не
L3GD20H L3GD20H Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос Мемс ДАС СКОКЛЕВЕРИЯ /files/stmicroelectronics-l3gd20h-datasheets-7872.pdf 16 Не
LPR430AL LPR430AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос Мемс ROHS COMPRINT /files/stmicroelectronics-lpr430al-datasheets-5156.pdf 28 Не
ADXRS610BBG ADXRS610BBG Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос Мемс Rohs /files/analogdevices-adxrs610bbg-datasheets-9425.pdf 32 В дар
ADXRS800WBEYZ ADXRS800WBEYZ Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Трубка Мемс ROHS COMPRINT /files/analogdevices-adxrs800wbeyz-datasheets-3390.pdf 14 Не
BMG160 BMG160 Bosch Sensortec
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 5 май 1 ММ ROHS COMPRINT 2012 /files/boschsensortec-bmg160-datasheets-7318.pdf 12-VFLGA 3 ММ 12 ГГ ~ 230 ГГц СОУДНО ПРИОН 12 14 12 8542.39.00.01 1 Rugulirueemainpa -opropupyskanip, vыbiraemamaMAMAMABABABABA В дар 2,4 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 2,4 В. 0,5 мм 3,6 В. 1,2 В. 40 Drugie -analogowыe ecs 2,5/3,3 В. Н.Квалиирована I2c, spi X (pitch), y (roll), z (Haw) ± 125, 250, 500, 1000, 2000 16.4 ~ 262.4
ADXRS800WBRGZ-RL ADXRS800WBRGZ-RL Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Автомобиль -40 ° C ~ 105 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) 105 ° С -40 ° С Rohs3 /files/analogdevicesinc-adxrs800wbrgzrl-datasheets-7328.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) СОДЕРИТС 16 Не DATSHIKTEMPERATURы 3,3 В ~ 5 В. ADXRS800 SPI Z (rыВок) ± 300
LPR503AL LPR503AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpr503al-datasheets-6802.pdf 16-lflga 5 ММ 1,5 мм 5 ММ 3,6 В. 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 16 16 3,6 В. 2,7 В. 8542.39.00.01 1 6,8 мая E4 Ngechelh/зolothot (ni/au) В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В 0,8 мм LPR503 16 Nukahan 3В Н.Квалиирована 2б Аналогово 2 ossh X (pitch), y (ruloan) ± 30 33,3
LPY450AL LPY450AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpy450al-datasheets-5746.pdf 28-tflga 4 мм 1 ММ 5 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 28 НЕТ SVHC 28 в дар Не 3,6 В. 2,7 В. 1 6,8 мая E4 Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В LPY450 28 3В 3,5 б Аналогово 2 ossh X (pitch), y (ruloan) ± 500 2
LPY4150ALTR LPY4150ALTR Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая 1,1 мм Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpy4150al-datasheets-6946.pdf 28-tflga 5 ММ 140 ГГ 28 28 в дар Не 8542.39.00.01 1 6,8 мая E4 Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В 0,5 мм LPY4150 28 3,6 В. 2,7 В. 3В Аналогово X (pitch), y (ruloan) ± 1500 0,67
LY3100ALH LY3100ALH Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 4,2 мая Rohs3 /files/stmicroelectronics-ly3100alh-datasheets-7392.pdf 10-TLGA 5 ММ 1 ММ 3 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 10 НЕТ SVHC 10 в дар Не 3,6 В. 2,7 В. 8542.39.00.01 1 4,2 мая E4 Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В LY3100 10 3В Аналогово X (шag) ± 1000 1.1
ADXRS800WBRGZ ADXRS800WBRGZ Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Автомобиль -40 ° C ~ 105 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) 105 ° С -40 ° С В /files/analogdevicesinc-adxrs800wbrgzrl-datasheets-7328.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) СОДЕРИТС НЕТ SVHC 5в 3В 16 DATSHIKTEMPERATURы 3,3 В ~ 5 В. ADXRS800 SPI Z (rыВок) ± 300
LY503ALH LY503ALH Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) 6,8 мая 1,6 ММ Rohs3 /files/stmicroelectronics-ly503alhtr-datasheets-6601.pdf 16-lflga 5 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 16 16 Не 8542.39.00.01 1 5 май В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 3В 0,8 мм LY503 16 3,6 В. 2,7 В. Аналогово X (шag) ± 30 33,3
CMR3000-D01 CMR3000-D01 Мурата
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) 5 май /files/murataelectronics-cmr3000d01-datasheets-7349.pdf 10-VFBGA 20 ГГ ~ 80 ГГц RughuliruemAyamaiper polosa propueskanya, spanehiй rerheym 2,5 В ~ 3,6 В. I2c, spi X (pitch), y (roll), z (Haw) ± 2000 1.33
LPY403AL LPY403AL Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 6,8 мая Rohs3 /files/stmicroelectronics-lpy403al-datasheets-7543.pdf 28-tflga 4 мм 1 ММ 5 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 28 НЕТ SVHC 28 в дар Не 3,6 В. 2,7 В. 8542.39.00.01 1 6,8 мая E4 Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В LPY403 28 3В 3,5 б Аналогово 2 ossh X (pitch), z (Haw) ± 30 33,3
LY330ALHTR LY330ALHTR Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 4,2 мая Rohs3 /files/stmicroelectronics-ly330alh-datasheets-6940.pdf 10-TLGA 5 ММ 1 ММ 3 ММ 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 10 10 в дар Не 3,6 В. 2,7 В. 8542.39.00.01 1 E4 Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В 1382 мм LY330 10 3В Аналогово X (шag) ± 300 3.752
MAX21003+ Max21003+ МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) Bicmos 5,1 май 1 ММ Rohs3 2013 /files/maximintegrated-max21003t-datasheets-7135.pdf 16-VFLGA 3 ММ 0,1 ГГ ~ 400 ГГц 16 Не 8542.39.00.01 1 Rugulirueemainpa -opropupyskanip, vыbiraemamaMAMAMABABABABA 1,71 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 2,5 В. 0,5 мм 3,6 В. 1,71 В. S-PBGA-B16 I2c, spi X (pitch), y (ruloan) ± 31,25, 62,50, 125, 250, 500, 1000 30 ~ 960
L3G4200D L3G4200D Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 6,1 май Rohs3 /files/stmicroelectronics-l3g4200dtr-datasheets-7012.pdf 16-tflga 4 мм 1 ММ 4 мм 3В 100 ГГ ~ 800 гц СОУДНО ПРИОН 4 мм 16 НЕТ SVHC 16 I2c, spi, serial Ear99 Не 3,6 В. 2,4 В. 8542.39.00.01 1 E4 Rugulirueemainpa -opropupyskanip, vыbiraemamaMAMAMABABABABA Ngykelh/зoloTOTOTOTO (ni/au) 2,4 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В 0,65 мм L3G4200 16 30 2б I2c, spi 3 Оси X (pitch), y (roll), z (Haw) ± 250, 500, 2000 8,75 ~ 70
ADIS16266BCCZ ADIS16266BCCZ Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Пефер -40 ° C ~ 105 ° C TA Поднос 5 (48 чASOW) 41MA В /files/analogdevicesinc-adis1626666bccz-datasheets-7289.pdf 20-lflga 11,2 мм 5,5 мм 11,2 мм 360 ГГ СОДЕРИТС 20 НЕТ SVHC 20 Spi, sererial не 7A994 LG-MAX Оло Сообщите 8542.39.00.01 1 41MA Rugulirueemaiper opolosa propueskanya, reryshim sna, datshyktymperaturы 4,75 -5,25. Униджин Приклад Nukahan 5в ADIS16266 20 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Drugie -analogowыe ecs 5в Н.Квалиирована 1,5 б SPI Z (rыВок) ± 3500, 7000, 14000 0,2 ~ 0,9
L3GD20TR L3GD20TR Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 6,1 май Rohs3 16-VFLGA 4 мм 1 ММ 4 мм 3,6 В. 47,5 gц ~ 380 ГГц СОУДНО ПРИОН 16 НЕТ SVHC 16 I2c, spi Ear99 8542.39.00.01 1 6,1 май Rugulirueemainpa -opropupyskanip, vыbiraemamaMAMAMABABABABA В дар 2,4 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В 0,65 мм L3GD20 16 2,4 В. Nukahan Н.Квалиирована I2c, spi 0,2 % X (pitch), y (roll), z (Haw) ± 250, 500, 2000 8,75 ~ 70
ADIS16133BMLZ ADIS16133BMLZ Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Цyfrovoй Isensor® Винт -40 ° C ~ 105 ° C TA Поднос 1 (neograniчennnый) 88 май Rohs3 /files/analogdevicesinc-adis16133bmlz-datasheets-7307.pdf Модул 36 ММ 14 ММ 44 мм СОДЕРИТС 24 НЕТ SVHC 24 не 7A994 8542.39.00.01 1 88 май Спьезиджир, датгик 4,85 -5,15. НЕВЕКАНА НЕВЕКАНА Nukahan 5в 1 ММ ADIS16133 24 5,15 В. 4,85 В. Nukahan 335 ГГ SPI Z (rыВок) ± 1200 20
LY5150ALH LY5150ALH Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Аналоговов -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 4,8 мая 1,6 ММ Rohs3 /files/stmicroelectronics-ly5150alhtr-datasheets-6707.pdf 16-lflga 5 ММ 3,6 В. 140 ГГ СОУДНО ПРИОН 16 16 3,6 В. 2,7 В. 1 5,5 мая E4 Ngechelh/зolothot (ni/au) В дар 2,7 В ~ 3,6 В. Униджин Приклад 260 3В 0,8 мм LY5150 16 Nukahan 3В Н.Квалиирована 2б Аналогово X (шag) ± 1500 2
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)