Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Тип выхода | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр корпуса | Ширина тела | Тип завершения | Тип датчиков/преобразователей | Тип выходного интерфейса | Рабочий ток-Макс. | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Вертикальный пиксель | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров | Тип массива |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TCD1304DG(8Z,АВ) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | 60°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-tcd1304dg8zaw-datasheets-5660.pdf | 22-ЦДИП (0,400, 10,16 мм) | 16 недель | 22 | Нет | 3В | 8 мкмx200 мкм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSM00SPCA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | Без свинца | 18 недель | 48 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1В. | Золото | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЙ ТОК | 1,25 мм | 10 мм | 10 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | -22-22мА | 3,75 мкм | 64 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ОДИН РАМКА | |||||||||||||||||||||
| MT9V022IA7ATC-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v022ia7atcdr-datasheets-5596.pdf | Без свинца | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ АНАЛОГОВОГО ПИТАНИЯ 3–3,60 В, ТАКЖЕ ИМЕЕТ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН 80–100 ДБ В РЕЖИМЕ ХИДЫ. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 85°С | -40°С | 3,6 В | 3В | ЦИФРОВОЙ ТОК | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,3 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | -9-9мА | 6x6 мкм | 54,4 дБ | 752 | 480 | 1/3 дюйма | 26,6 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||
| МТ9М001С12СТМ-ТП | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9m001c12stmdp-datasheets-5076.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135CS2M00SUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0135cs2m00suea0dpbr2-datasheets-5017.pdf | 63-ЛБГА | 19 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОГОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ОТ 2,5 В ДО 3,1 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,39 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,50 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 71,1 дБ | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц | 54 кадра в секунду | ||||||||||||||||||||||||||
| AR0135CS2M00SUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ar0135cs2m00suea0dpbr2-datasheets-5017.pdf | 63-ЛБГА | 19 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОГОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ОТ 2,5 В ДО 3,1 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,39 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,50 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 71,1 дБ | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц | 54 кадра в секунду | ||||||||||||||||||||||||||
| AR0135CS2C00SUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0135cs2m25suea0drbr-datasheets-5644.pdf | 63-ЛБГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОГОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ОТ 2,5 В ДО 3,1 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,39 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,50 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 71,1 дБ | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц | 54 кадра в секунду | ||||||||||||||||||||||||||
| MT9V032C12STM-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v032c12stmdr-datasheets-5543.pdf | CLCC | 3,3 В | Без свинца | 13 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Золото | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9T001C12STC-DP1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -0°К~60°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 14 недель | 3В~6В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 2048Г х 1536В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V023IA7XTC-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v023ia7xtcdr-datasheets-5615.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ASX344ATSC00XUEA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-asx344atsc00xuea0drbr1-datasheets-5648.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 1,8 В 2,8 В | 5,6 мкмx5,6 мкм | 60 | 720 х 560 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0135CS2M25SUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0135cs2m25suea0drbr-datasheets-5644.pdf | 63-ЛБГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОГОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ОТ 2,5 В ДО 3,1 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,39 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,50 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 71,1 дБ | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц | 54 кадра в секунду | ||||||||||||||||||||||||||
| AR0132AT6M00XPEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0132at6c00xpea0dpbr-datasheets-4825.pdf | Без свинца | 17 недель | 63 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 0,40-1,50 В | 3,75 мкм | 115 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ЛИНЕЙНЫЙ | ||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSM00SUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 70°С | -30°С | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЙ ТОК | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | -22-22мА | 3,75 мкм | 64 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ОДИН РАМКА | |||||||||||||||||||
| MT9D131C12STC-TP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9d131c12stctp-datasheets-5653.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0143ATSC00XUEA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/onsemiconductor-ar0143atsc00xuea0drbr1-datasheets-5674.pdf | 80-ЛФБГА | 39 недель | 3 мкмx3 мкм | 30 | 1344Г х 968В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9P401I12STC-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mt9p401i12stcdr-datasheets-5654.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,60–3,10 В. | ДА | 70°С | -30°С | 1,9 В | 1,7 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,25 мм | 10 мм | 10 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 80 мА | 2,2х2,2 мкм | 70,1 дБ | 2592 | 1944 год | 1/2,5 дюйма | 96 МГц | 15 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||||||
| MT9V022IA7ATM-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v022ia7atcdr-datasheets-5596.pdf | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ АНАЛОГОВОГО ПИТАНИЯ 3–3,60 В, ТАКЖЕ ИМЕЕТ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН 80–100 ДБ В РЕЖИМЕ ХИДЫ. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 85°С | -40°С | 3,6 В | 3В | ЦИФРОВОЙ ТОК | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,3 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | -9-9мА | 6x6 мкм | 54,4 дБ | 752 | 480 | 1/3 дюйма | 26,6 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||
| AR0144ATSM20XUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | /files/onsemiconductor-ar0144atsm20xuea0dpbr-datasheets-5540.pdf | 20 недель | да | совместимый | 3 мкмx3 мкм | 60 | 1280 х 800 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9T001C12STC-DR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -0°К~60°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 14 недель | 3В~6В | 3,2 мкмx3,2 мкм | 90 | 2048Г х 1536В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0132AT6C00XPEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0132at6c00xpea0dpbr-datasheets-4825.pdf | Без свинца | 19 недель | 63 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 0,40-1,50 В | 3,75 мкм | 115 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ЛИНЕЙНЫЙ | ||||||||||||||||||||
| AR0132AT6R00XPEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0132at6c00xpea0dpbr-datasheets-4825.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 недели назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 130 мА | 0,40-1,50 В | 3,75 мкм | 115 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ЛИНЕЙНЫЙ | |||||||||||||||||||
| AR0230CSSC00SUEA0-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Соответствует ROHS3 | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | 3 мкмx3 мкм | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V024IA7XTR-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v024ia7xtmtp-datasheets-5548.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 3,6 В | 3В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,3 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | 0,30-3В | 6x6 мкм | 100 дБ | 752 | 480 | 1/3 дюйма | 27 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||
| MT9V023IA7XTC-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v023ia7xtcdr-datasheets-5615.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 3,6 В | 3В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,3 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | 0,30-3В | 6x6 мкм | 110 дБ | 752 | 480 | 1/3 дюйма | 27 МГц | 60 кадров в секунду | ЛИНЕЙНЫЙ | |||||||||||||||||||
| MT9M001C12STC-TP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9m001c12stcdr-datasheets-5617.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9M024IA3XTC-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9m024ia3xtmdpbr-datasheets-5606.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,50–3,10 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 70°С | -30°С | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,35 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 130 мА | 0,40-1,50 В | 3,75 мкм | 120 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 45 кадров в секунду | ОДИН РАМКА | |||||||||||||||||||
| MT9V034C12STC-DP1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v034c12stmdp1-datasheets-4534.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 3В~3,6В | 6 мкмx6 мкм | 60 | 752Г х 480В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9M001C12STC-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9m001c12stcdr-datasheets-5617.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9P006I12STCU-DP1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mt9p006i12stcudp-datasheets-5485.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | 1,8 В 2,8 В | 2,2 мкмx2,2 мкм | 60 | 2592Г х 1944В |
