Транзисторные оптические датчики — Поиск электронных компонентов — Лучший агент по производству электронных компонентов — ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Напряжение - номинальное Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/ключи Метод измерения Длина Входной ток Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Срок выполнения заказа на заводе Рейтинги ДОСТИГНУТЬ СВХК Максимальное напряжение питания Количество контактов Ведущая презентация Код Pbfree Дополнительная функция Материал корпуса Радиационная закалка Достичь соответствия кода Количество функций Номинальный ток питания Максимальная рассеиваемая мощность Количество вариантов Рассеяние активности Время ответа Количество элементов Максимальный выходной ток Сенсорный экран Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Максимальный входной ток Время подъема Осень (тип.) Задержка распространения Расстояние между строками Расстояние внедрения Конфигурация вывода Обратное напряжение проба Максимальное напряжение проба Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Длина волны Темный ток Темный ток-Макс. Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ширина слота-ном. Номинальный ток коллектора в состоянии включения
WFM80-60N311 WFM80-60N311 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 3150 (80 мм) НПН
WFM80-60N321 WFM80-60N321 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 3150 (80 мм) НПН
EE-SX913P-R 3M EE-SX913P-R 3М Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Усиленный Крепление на шасси -25°К~55°К Масса Непригодный 2012 год /files/omronautomationandsafety-eesx911r1m-datasheets-6975.pdf Модуль, выводы проводов, тип слота Пересечение объекта 0,197 (5 мм) ПНП — открытый коллектор
WFM80-60P311 WFM80-60P311 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 3150 (80 мм) ПНП
OPB827A ОПБ827А ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 12 недель 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
E4TT-MM4A-CS3M010 E4TT-MM4A-CS3M010 Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 20 недель
EE-SX975P-C1 EE-SX975P-C1 Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на раму, винт М3. -25°К~85°К Масса Непригодный 85°С -25°С Соответствует RoHS 2012 год Модуль, прорезной Пересечение объекта 2 недели 4 мкс 0,020 (0,5 мм) 30 В 20 мА 50 мА 30 В 20 мА
WFM80-60P321 WFM80-60P321 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 3150 (80 мм) ПНП
EE-SH3-DS ЭЭ-Ш3-ДС Omron Electronics Inc-подразделение EMC
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Припой, сквозное отверстие Припой -25°К~85°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2003 г. /files/omronelectronicsincemcdiv-eesh3-datasheets-8392.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта Без свинца 10 недель Неизвестный 4 да ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 1 100мВт 4 мкс, 4 мкс 1 20 мА 50 мА 1,2 В 4 мкс 4 мкс 0,134 (3,4 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 20 мА 940 нм 200нА 3,4 мм 0,1 мА
WFM180-120N321 WFM180-120N321 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 7087 (180 мм) НПН
EE-SH3-D ЭЭ-Ш3-Д Omron Electronics Inc-подразделение EMC
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2003 г. /files/omronelectronicsincemcdiv-eesh3-datasheets-8392.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта Без свинца 10 недель Неизвестный 4 да ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 1 100мВт 4 мкс, 4 мкс 20 мА 50 мА 1,2 В 4 мкс 4 мкс 0,134 (3,4 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 20 мА 940 нм 200нА 3,4 мм 0,1 мА
WFM50-60N311 WFM50-60N311 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 1969 (50 мм) НПН
OPB880P55Z ОПБ880П55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 12 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
EE-SX770R 5M EE-SX770R 5М Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт М3. -25°К~55°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2012 год Модуль, выводы проводов, тип слота Пересечение объекта 6 недель 0,197 (5 мм) PNP — открытый коллектор/Dark-ON
EE-SX872-ECON 0.3M EE-SX872-ЭКОН 0,3М Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт М3. -25°К~55°К Масса Непригодный Соответствует RoHS Модуль, выводы проводов, тип слота Пересечение объекта 0,197 (5 мм) NPN — открытый коллектор/включение света
OPB812L55 ОПБ812Л55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 1,7 В 12 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,375 (9,53 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
WFM30-40P321 WFM30-40P321 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 1181 (30 мм) ПНП
WFM30-40N321 WFM30-40N321 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 1181 (30 мм) НПН
OPB390P51Z ОПБ390П51З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 20 мА 10 недель Нет СВХК 4 100мВт 30 В 50 мА 1,3 В 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
E4TT-MM4A-CS3M020 E4TT-MM4A-CS3M020 Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 20 недель
OPB892L51Z ОПБ892L51Z ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 12 недель 4 Нет 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
WFM30-40N311 WFM30-40N311 СИК, Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ВФМ Крепление на шасси -10°С~60°С ТА Модуль, Разъем Оптический флаг 3 недели 125 мкс 1181 (30 мм) НПН
HOA1881-013 НОА1881-013 Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на корпусе, сквозное отверстие Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/honeywell-hoa1881013-datasheets-6900.pdf 15 В Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 25,78 мм 15,62 мм 14 недель 4 Нейлон Нет 100мВт 1 100мВт 75 мкс 1 50 мА 1,6 В 75 мкс 75 мкс 0,125 (3,18 мм) Фотодарлингтон 15 В 1,1 В 15 В 30 мА 50 мА 250 нА 15 В 30 мА
OPB865T55 ОПБ865Т55 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта Без свинца 12 недель 4 100мВт 1 Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
HOA1877-003 НОА1877-003 Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Винт, сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Масса 1 (без блокировки) 15 В Соответствует RoHS 1997 год /files/honeywell-hoa1877003-datasheets-6903.pdf 15 В Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 31,75 мм 30 мА 15,88 мм 31,75 мм 4 недели Нет СВХК 1,6 В 4 5,08 мм да Поликарбонат Нет 1 50 мА 75мВт 1 75мВт 75 мкс, 75 мкс 30 мА Инфракрасный (ИК) 15 В 50 мА 1,6 В 75 мкс 75 мкс 75 нс 17,78 мм 0,375 (9,52 мм) Фотодарлингтон 15 В 1,1 В 15 В 30 мА 250 нА 9,52 мм 1,5 мА
OPB848 ОПБ848 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb847-datasheets-8235.pdf 30 В Монтаж на печатной плате Пересечение объекта 20 мА 1,7 В Без свинца 10 недель Нет СВХК 4 1 100мВт 12 мкс, 12 мкс 1 Инфракрасный (ИК) 30 В 50 мА 1,7 В 20 мА 15 мкс 15 мкс 0,100 (2,54 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 50 мА 890 нм 30 В
OPB390T11Z ОПБ390Т11З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Припой 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Монтаж на печатной плате Пересечение объекта Без свинца 12 недель 4 100мВт Инфракрасный (ИК) 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
PM-K24P ПМ-К24П Продажи промышленной автоматизации Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный ПМ-24 Крепление на шасси Крепление на шасси -25°К~55°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2016 год /files/panasonicindustrialautomationsales-msm2-datasheets-9764.pdf Модуль, выводы проводов, тип слота Пересечение объекта 22 мм 6 мм 12 мм Без свинца IP40 неизвестный 20 мкс 0,197 (5 мм) PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору 50 мА 30 В 15 мА
OPB390P55Z ОПБ390П55З ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Неусиленный Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf Модуль предварительно смонтированный Пересечение объекта 12 недель 4 100мВт 1 50 мА 0,125 (3,18 мм) Фототранзистор 30 В 30 В 30 мА 50 мА 890 нм 30 В 30 мА
EE-SM8 ЭЭ-СМ8 Omron Автоматизация и безопасность
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 1999 год 3 недели

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.