Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Материал корпуса | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Максимальный выходной ток | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Расстояние внедрения | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Темный ток | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H22B3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-h22b1-datasheets-0823.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 7 мкс, 45 мкс | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 50 мА | 30В | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1108 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Припой | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1108-datasheets-0881.pdf | 4-СМД | Пересечение объекта | 5 мм | 5мА | 4 мм | 4 мм | Без свинца | 4 недели | Неизвестный | 4 | да | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1 | 75мВт | 10 мкс, 10 мкс | 20 мА | 20 В | 25 мА | 1,1 В | 10 мкс | 10 мкс | 10 мкс | 10 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 5В | 20 В | 20 В | 400мВ | 20 В | 20 мА | 5В | 900 нм | 2 мм | 0,15 мА | ||||||||||||||||||||
| H22A4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-h22a5-datasheets-0994.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 8 мкс, 50 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 60 мА | 55В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB11134 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | QVB | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 1,7 В | Без свинца | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 5В | 30В | 30В | 40 мА | 50 мА | 30В | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX2088 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx2088-datasheets-1030.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 8 недель | 70 мкс, 70 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фотодарлингтон | 50 мА | 35В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QCK4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-qck4-datasheets-0835.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Пересечение объекта | 0,157 (4 мм) | Фотодарлингтон | 50 мА | 30В | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УФН3-70П415 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | УФ | Крепление на шасси | 5°С~55°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 250 мкс | 0,118 (3 мм) | ПНП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF50-95B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 1969 (50 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WFM120-120P311 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФМ | Крепление на шасси | -10°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 4724 (120 мм) | ПНП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA11334 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | КВА | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | совместимый | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB11434 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | QVB | Сквозное отверстие, фланец | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30В | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF5T-B4210 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 50 мкс | 0,197 (5 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA11234 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | КВА | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | совместимый | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF50-60B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 1969 (50 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H21B3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-h21b1-datasheets-0829.pdf | 30В | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 60 мА | 1,7 В | Без свинца | 4 | 150 мВт | 7 мкс, 45 мкс | 1 | 30В | 50 мА | 1,7 В | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 6В | 30В | 30В | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WFM120-120N321 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФМ | Крепление на шасси | -10°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 4724 (120 мм) | НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF80-95B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 3150 (80 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF120-95B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 4724 (120 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H22A1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-h22a1-datasheets-0851.pdf | 30В | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 1 мА | 1,7 В | Без свинца | Нет СВХК | 4 | 1 | 150 мВт | 8 мкс, 50 мкс | 1 | 30В | 60 мА | 1,7 В | 8 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 6В | 30В | 30В | 3мА | 60 мА | 6В | 30В | 3мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1875-001 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | Модуль, прорезной | Пересечение объекта | 8 недель | 4 | Полисульфон | 75мВт | 15 мкс | 1 | 50 мА | 1,6 В | 15 мкс | 15 мкс | 0,200 (5,08 мм) | Фототранзистор | 3В | 30В | 400мВ | 30В | 30 мА | 50 мА | 100нА | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1088-W1 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Проволока | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1088-datasheets-8456.pdf | 30В | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 30 мА | 3,4 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 30В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 4В | 30В | 30В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3,4 мм | 0,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| WF120-60B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 4724 (120 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB11234 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | QVB | Сквозное отверстие, фланец | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30В | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF2-95B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,079 (2 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1023-W1 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2013 год | 15 недель | 4 | неизвестный | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H22B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-h22b1-datasheets-0823.pdf | 30В | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 7,5 мА | 1,7 В | Без свинца | Нет СВХК | 4 | 150 мВт | 7 мкс, 45 мкс | 1 | 30В | 50 мА | 1,7 В | 45 мкс | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 6В | 30В | 30В | 40 мА | 6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WFM120-120P321 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФМ | Крепление на шасси | -10°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 4724 (120 мм) | ПНП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H21B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-h21b1-datasheets-0829.pdf | 30В | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 7,5 мА | 1,7 В | Без свинца | Нет СВХК | 4 | 1 | 150 мВт | 7 мкс, 45 мкс | 1 | 30В | 50 мА | 1,7 В | 45 мкс | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 6В | 30В | 30В | 40 мА | 50 мА | 30В | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| WF30-40B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 1181 (30 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H21A2 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-h21a5-datasheets-9408.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 8 мкс, 150 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30В | 20 мА |
