Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Пропускная способность | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Способ упаковки | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Потребляемая мощность | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Опорное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LIA130STR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | 8 | 1 | 145 МВт | 1 | 8-СМД | 70В | 20 мА | 1,4 В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 500мВ | 1,4 В Макс. | 20 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 300% при 5 мА | 600% при 5 мА | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6186-5T1 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh618a3x017t-datasheets-5215.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 1 | 55В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 55В | 100 мА | 1,1 В | 3,5 мкс 5 мкс | 50 мА | 55В | 250% при 1 мА | 500% при 1 мА | 6 мкс, 5,5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785(ГБ-LF6,Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 4 | 240мВт | 1 | 240мВт | 16 мА | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 400мВ | 80В | 10 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2381-1Y-F3-L-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -40°К~115°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,06А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 4 мкс 5 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL4502 | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 1,67 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n135s1ta-datasheets-4766.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 мА | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | Неизвестный | 8 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | 1 | НПН | 100мВт | 1 | 3е-8 нс | 1 | 1 Мбит/с | 100мВт | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,45 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 350 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY117F-4X017T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny117f3x016-datasheets-4504.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | EAR99 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH620A-2X017T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,97 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh620a3x001-datasheets-4684.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 63% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ4502С(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n135s1ta-datasheets-4766.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | ТР | 1 | 100мВт | 1 | 3е-8 нс | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,45 В | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 350 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2815-1-F3-A | Ренесас Электроникс Америка | 0,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps28151a-datasheets-6442.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5мА | Без свинца | 16 недель | Нет СВХК | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 120 мВт | 1 | 40В | 50 мА | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 40 мА | 1,15 В | 4 мкс 5 мкс | 40 мА | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2561БЛ2-1-А | Ренесас Электроникс Америка | 0,96 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561bl1f3a-datasheets-4402.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | да | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,04А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 40 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-824-W60E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 17 недель | 8 | EAR99 | 200мВт | 2 | 200мВт | 70В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ELD205(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-eld207tav-datasheets-6122.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 250 мВт | 2 | 2 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 5 мкс, 4 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2561BL1-1-LA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561bl1f3a-datasheets-4402.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 16 недель | да | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 1 | 1 | Транзистор | 0,04А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 40 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-852С-ТА1 | Лайт-Он Инк. | 0,67 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv852m-datasheets-6592.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 4 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 300В | 50 мА | Дарлингтон | 50 мА | 300 мкс | 100 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 0,0003 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,2 В | 300В | 150 мА | 100 мкс 20 мкс | 150 мА | 200нА | 1000% при 1 мА | 15000% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ113 | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | 20 недель | 6 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | НПН | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 200мВт | 55В | 60 мА | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,2 В | 55В | 100нА | 300 % | 300% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD2711A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod2711as-datasheets-3497.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,91 мм | 10 мА | 3,94 мм | 6,86 мм | 10 кГц | 7 недель | 891 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | е3 | Олово (Вс) | 145 МВт | 1 | 1 | 70В | 20 мА | Транзистор | 20 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,24 В | 70В | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,5 В Макс. | 50 мА | 30 В | 50нА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2801-1-LA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps28011pa-datasheets-6565.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 16 недель | да | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,05А | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1014-ВГ | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО VDE | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 4 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н27-Х009Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n25x009-datasheets-5561.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 4Н27 | 1 | 150 мВт | 1 | 6-СМД | 70В | 60 мА | 1,36 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 70В | 100 мА | 1,36 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 30 % | 50 мА | 70В | 10% при 10 мА | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2561BL1-1-DA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561bl1f3a-datasheets-4402.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 16 недель | да | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 1 | 1 | Транзистор | 0,04А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 40 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6106-4X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61064-datasheets-4576.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СМД | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6106-2X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61064-datasheets-4576.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СМД | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2561BL-1-WA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561bl1f3a-datasheets-4402.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,04А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 40 мА | 50 мА | 80В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-824С-ТА | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv814sta-datasheets-0226.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 12 недель | 8 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 200мВт | 200мВт | 2 | 35В | 35В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 35В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100нА | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2561БЛ1-1-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561bl1f3a-datasheets-4402.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 16 недель | да | НЕТ | 1 | 1 | Транзистор | 0,04А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 40 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH1690ABT | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 2,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh1690at-datasheets-8479.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 5мА | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СОП | 70В | 70В | 50 мА | 1,15 В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,15 В | 3 мкс 4 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 5 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH1617A-2X018T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh1617a3-datasheets-5857.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 6 недель | 4 | 400мВт | 1 | 4-СМД | 70В | 70В | 1,35 В | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1010-G | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1017-G | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Г2СР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11g1tvm-datasheets-4751.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 5 недель | 810мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 260мВт | 1 | 260мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | 80В | 60 мА | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 1В | 1,3 В | 1000% | 1000% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс |
