Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Способ упаковки | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Потребляемая мощность | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЭЛ205-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el208ta-datasheets-4366.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | Нет | 240мВт | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,3 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1013-G | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ил221АТ | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il222at-datasheets-9213.pdf | 1В | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 мА | 6 недель | Неизвестный | 8 | Нет | 240мВт | 1 | 240мВт | 1 | 8-СОИК | 30 В | 60 мА | 1,5 В | Дарлингтон с базой | 60 мА | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 30 В | 100 мА | 1В | 60 мА | 30 В | 100% при 1 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1014-G | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139С(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-6n139sta-datasheets-5432.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | 20 недель | ФИМКО | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | ТР | 1 | 100мВт | 1 | 0,000016 нс | 1 | 18В | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД | 60 мкс | 25 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,00009 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 18В | 60 мА | 1,3 В | 60 мА | 2000 % | 500% при 1,6 мА | 200 нс, 1,7 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-1X017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny17f3x001-datasheets-4554.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785(D4-GR,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 12 недель | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F4TVM | ОН Полупроводник | 0,86 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 864 мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 6 мкс | 24 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 50 мА | 70В | 50нА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6106-4X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61064-datasheets-4576.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СМД | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-3X019 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-cny17f3x001-datasheets-4554.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17-1X017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-cny172x007-datasheets-5572.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615AGR-X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615agrx017-datasheets-5842.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 2 мкс, 25 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1012-G | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17-4X016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny172x007-datasheets-5572.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 11 недель | 6 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL827S(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | Нет | 200мВт | 2 | 8-СМД | 80В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 3 мкс 4 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2701-1-V-F3-LA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 40В | 80 мА | 40В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-824С-ТА1 | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv814sta-datasheets-0226.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 12 недель | 8 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 200мВт | 200мВт | 2 | 35В | 35В | 20 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 35В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100нА | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL212 | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el208ta-datasheets-4366.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мА | 20 недель | 8 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | НПН | 240мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 240мВт | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,3 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 50% | 50нА | 50% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н38-Х009Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,59 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n37x000-datasheets-5347.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 4Н38 | 1 | 150 мВт | 1 | 6-СМД | 80В | 80В | 60 мА | 1,2 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 80В | 100 мА | 1,2 В | 60 мА | 50 мА | 30 % | 50 мА | 80В | 20% при 20 мА | 10 мкс, 10 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК217Р2ВМ | ОН Полупроводник | 0,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc206r2m-datasheets-7668.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 5 недель | 252 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 150 мА | 1,07 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 150 мА | 100% | 150 мА | 50нА | 100% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ205(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el208ta-datasheets-4366.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 240мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,3 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17-2X017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny172x007-datasheets-5572.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2801A-1-F3-LA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 недель | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,03 А | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 5 мкс 7 мкс | 30 мА | 70В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP388(D4GB-TR,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp388d4gbtle-datasheets-8129.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 12 недель | 1 | 6-СО | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 350В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2561L-1-V-F3-WA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561l1va-datasheets-6151.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785(GR-LF6,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 4 | Нет | 240мВт | 1 | 240мВт | 60 мА | Транзистор | 25 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 400мВ | 80В | 10 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM1009R2V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm1009r2v-datasheets-6964.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | да | е3 | Олово (Вс) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 5,7 мкс 8,5 мкс | 50 мА | 70В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ208-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el208ta-datasheets-4366.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | Нет | 240мВт | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,3 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-852С-ТА | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv852m-datasheets-6592.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 4 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 300В | Дарлингтон | 50 мА | 0,05А | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 0,0003 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 300В | 150 мА | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 200нА | 1000% при 1 мА | 15000% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-206 | Лайт-Он Инк. | 0,92 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv208-datasheets-5554.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 10 недель | 8 | 125 МВт | 2 | 80В | 30 мА | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,2 В | 80В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 5 мкс, 4 мкс |
