Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальное выходное напряжение | Потребляемая мощность | Выходное напряжение | Прямой ток | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PS2705-1-V-F3-A | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 16 недель | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 1 | 1 | 40В | Транзистор | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 80 мА | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4-GRH,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ1113-ВГ | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el1110g-datasheets-4273.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 5 выводов | 20 недель | да | УТВЕРЖДЕНО VDE | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,5 В Макс. | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(YH,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 75% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP293(ГБ,Э | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp293bltple-datasheets-4551.pdf | 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | Транзистор | 50 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 80В | 80нА | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(Y,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4-GB,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-725ВС-ТА | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteon-ltv725vsta-datasheets-9819.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 6 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 350мВт | 1 | 1 | 300В | Дарлингтон с базой | 50 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | 0,05А | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 300В | 150 мА | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 1000% при 1 мА | 15000% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTV-824H | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv814hsta1-datasheets-4691.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 12 недель | 8 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 320мВт | 320мВт | 2 | 35В | 35В | 100 мА | Транзистор | 150 мА | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,7 В | 200 мВ | 35В | 80 мА | 1,4 В | 4 мкс 3 мкс | 150 мА | 80 мА | 100нА | 20% при 100 мА | 80% при 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(ГРЛ,Э | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(BL,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО610А-4Х019Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo610a3-datasheets-5359.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4,58 мм | 60 мА | 3,6 мм | 6,5 мм | 14 недель | 4 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 100мВт | 1 | 265мВт | 1 | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 4,7 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 6В | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 6 мкс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н28СР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 2 недели | 810мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Олово | е3 | 250 мВт | 4Н28 | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 2 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 500мВ | 1,18 В | 10% | 50нА | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(GRH,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 150% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 17-4 юаня | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | Без свинца | 20 недель | Неизвестный | 6 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | НПН | 200мВт | 1 | 1 | 80В | 200мВт | 80В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(ГБ,Э | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОС618А-4Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vos618a3t-datasheets-8401.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 170 мВт | 1 | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 50 мА | 200нА | 160% при 1 мА | 320% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4-BL,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4-YH,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 75% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н26-Х017Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n25x009-datasheets-5561.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 11 недель | 6 | EAR99 | Нет | 150 мВт | 4Н26 | 1 | 150 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 70В | 100 мА | 1,36 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 50 % | 20% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2705-1-F4-LA | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | Нет | 150 мВт | 1 | 40В | Транзистор | 1А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 80 мА | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 80 мА | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н37ВМ | ОН Полупроводник | 1,72 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 2 недели | 855мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 150 мВт | 4Н37 | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 2 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 1,18 В | 100% | 30 В | 50нА | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-725ВМ | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteon-ltv725vm-datasheets-9818.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 12 недель | 6 | УТВЕРЖДЕНО VDE | неизвестный | 350мВт | 1 | 350мВт | 1 | 300В | 50 мА | Дарлингтон с базой | 50 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | 300 мкс | 100 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,2 В | 300В | 150 мА | 100 мкс 20 мкс | 150 мА | 1000% при 1 мА | 15000% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н25ТВМ | ОН Полупроводник | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 2 недели | 864 мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 150 мВт | 4Н25 | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 2 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 500мВ | 1,18 В | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н25М-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlight-4n25mv-datasheets-9796.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 20 недель | 6 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 250 мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 500мВ | 1,2 В | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2701-1Y-F3-A | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 1 | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615AGR-X016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615agrx017-datasheets-5842.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 4 | да | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 50 мА | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 2 мкс, 25 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615AY-X019 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615agrx017-datasheets-5842.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 49 недель | 4 | да | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 50 мА | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 2 мкс, 25 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(GR,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 12 недель | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | НЕТ | 240мВт | 1 | 1 | Транзистор | 25 мА | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 80В | 10 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО615А-8Х018Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo615a4x018t-datasheets-4982.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 14 недель | 4 | EAR99 | неизвестный | 1 | 70мВт | 1 | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 1,43 В | 3 мкс 4,7 мкс | 50 мА | 50 мА | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 6 мкс, 5 мкс |
