Фотоэлектрические оптоизоляторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Тип входа Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/ключи Без свинца ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Базовый номер детали Количество вариантов Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Количество цепей Поставщик пакета оборудования Максимальное выходное напряжение Выходное напряжение Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Максимальный входной ток Тип оптоэлектронного устройства Прямой ток-Макс. Максимальный ток во включенном состоянии Время подъема Осень (тип.) Конфигурация Напряжение – изоляция Рассеиваемая мощность-Макс. Обратное напряжение проба Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Выходной ток на канале Текущий коэффициент передачи Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. Ток — выход/канал Напряжение - Выход (Макс.) Темный ток-Макс. Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.)
CNY17F3 юаней17F3 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж, сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 6 250 мВт 1 250 мВт 1 6-ДИП 70В 100 мА 1,65 В Транзистор 4 мкс 3,5 мкс 5300 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 70В 50 мА 1,35 В 1 мкс 2 мкс 100 мА 50 мА 50 мА 70В 100% при 10 мА 200% при 10 мА 2 мкс, 3 мкс 300мВ
H11A3S Х11А3С Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 1 1 30 В 30 В Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А 2,8 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 1,2 В 2,8 мкс 4,5 мкс 60 мА 150 мА 20% 30 В 50нА 20% при 10 мА
MOC8111 МОК8111 ОН Полупроводник 0,29 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8111-datasheets-2697.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) Без свинца 6 260мВт 1 260мВт 1 1 6-ДИП 70В 90 мА 1,65 В Транзистор 4 мкс 20 мкс 5300 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 70В 1,15 В 2 мкс 11 мкс 90 мА 70В 20% при 10 мА 3 мкс, 18 мкс 400мВ
H11B255 H11B255 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11b1300-datasheets-2364.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 1 6-ДИП Дарлингтон с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 100 мА 55В 100% при 10 мА 25 мкс, 18 мкс
MOC8020-M МОК8020-М ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8021-datasheets-2489.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 1 Дарлингтон 5300 В (среднеквадратичное значение) 60 мА 150 мА 50В 500% при 10 мА
4N35S 4Н35С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 4Н35 1 6-СМД Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 100% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 300мВ
H11A4S-TA1 H11A4S-TA1 Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 1 1 30 В 30 В Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А 2,8 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 1,2 В 2,8 мкс 4,5 мкс 60 мА 150 мА 10% 30 В 50нА 10% при 10 мА
H11A1S H11A1S Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf 6-СМД, Крыло Чайки ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 1 1 30 В 30 В Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А 2,8 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 1,2 В 2,8 мкс 4,5 мкс 60 мА 150 мА 50% 30 В 50нА 50% при 10 мА
PS2561L-1 ПС2561Л-1 КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Не соответствует требованиям RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2561l2-datasheets-2529.pdf 4-СМД, Крыло Чайки неизвестный 1 1 Транзистор 0,08А ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,17 В 3 мкс 5 мкс 80 мА 50 мА 80В 80% при 5 мА 400% при 5 мА 300мВ
H11A3S-TA1 Х11А3С-ТА1 Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 1 1 30 В 30 В Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А 2,8 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 1,2 В 2,8 мкс 4,5 мкс 60 мА 150 мА 20% 30 В 50нА 20% при 10 мА
PS2561L2-1 ПС2561Л2-1 КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Не соответствует требованиям RoHS 4-СМД, Крыло Чайки неизвестный 1 1 Транзистор 0,08А ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,17 В 3 мкс 5 мкс 80 мА 50 мА 80В 80% при 5 мА 400% при 5 мА 300мВ
H11A1S-TA1 Х11А1С-ТА1 Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 1 1 30 В 30 В Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А 2,8 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 1,2 В 2,8 мкс 4,5 мкс 60 мА 150 мА 50% 30 В 50нА 50% при 10 мА
PVI5013RS PVI5013RS Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ПВИ Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 4 (72 часа) округ Колумбия Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-pvi5013rspbf-datasheets-0582.pdf 8-СМД, Крыло Чайки 8541.40.80.00 2 2 Фотоэлектрический ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО 3750 В (среднеквадратичное значение) 1 мкА 5 мс, 250 мкс (макс.)
H11A4S H11A4S Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 1 1 30 В 30 В Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А 2,8 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 1,2 В 2,8 мкс 4,5 мкс 60 мА 150 мА 10% 30 В 50нА 10% при 10 мА
LTV-847S-TA ЛТВ-847С-ТА Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2004 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv827-datasheets-5997.pdf 16-СМД, Крыло Чайки Без свинца 16 EAR99 УТВЕРЖДЕНО УЛ Нет 200мВт 4 4 35В 35В Транзистор 50 мА 0,05А 4 мкс 5000 В (среднеквадратичное значение) 200 мВ 200 мВ 50 мА 1,2 В 4 мкс 3 мкс 50 мА 100нА 50% при 5 мА 600% при 5 мА
LTV-844HS-TA LTV-844HS-TA Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) переменный ток, постоянный ток Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv814hsta1-datasheets-4691.pdf 16-СМД, Крыло Чайки Без свинца УТВЕРЖДЕНО УЛ 4 4 35В 35В Транзистор 0,15 А 4 мкс 5000 В (среднеквадратичное значение) 200 мВ 1,4 В 4 мкс 3 мкс 150 мА 80 мА 35В 100нА 20% при 100 мА 80% при 100 мА
CNY171 171 юань ОН Полупроводник 0,30 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) Без свинца 6 250 мВт 1 6-ДИП 70В Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,35 В 1 мкс 2 мкс 100 мА 50 мА 50 мА 70В 40% при 10 мА 80% при 10 мА 2 мкс, 3 мкс 300мВ
H11A5S-TA1 Х11А5С-ТА1 Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 1 1 30 В 30 В Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А 2,8 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 1,2 В 2,8 мкс 4,5 мкс 60 мА 150 мА 30% 30 В 50нА 30% при 10 мА
PVI5033RS PVI5033RS Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ПВИ Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 4 (72 часа) округ Колумбия Не соответствует требованиям RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-pvi5033rpbf-datasheets-1637.pdf 8-СМД, Крыло Чайки 8541.40.80.00 2 2 Фотоэлектрический ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО 3750 В (среднеквадратичное значение) 40 мА 5 мкА 10 В 2,5 мс, 500 мкс (макс.)
4N25FR2M 4Н25ФР2М ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 4Н25 1 6-СМД Транзистор с базой 7500Впик 1,18 В 60 мА 30 В 20% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 500мВ
PVI5013RS-T PVI5013RS-T Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ПВИ Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) округ Колумбия Не соответствует требованиям RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-pvi5013rspbf-datasheets-0582.pdf 8-СМД, Крыло Чайки 8541.40.80.00 1 е3 Матовый олово (Sn) 2 Фотоэлектрический ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО 3750 В (среднеквадратичное значение) 1 мкА 5 мс, 250 мкс (макс.)
H11A3 H11A3 Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) Без свинца Неизвестный 6 ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ Нет 1 150 мВт 1 30 В 30 В 60 мА Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 2,8 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 30 В 100 мА 1,2 В 2,8 мкс 4,5 мкс 150 мА 20% 50нА 20% при 10 мА
LTV-845S-TA1 ЛТВ-845С-ТА1 Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv815s-datasheets-6010.pdf 16-СМД, Крыло Чайки Без свинца УТВЕРЖДЕНО УЛ 4 4 35В 35В Дарлингтон 0,05А 6 мкс 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 60 мкс 53 мкс 50 мА 80 мА 35В 1000нА 600% при 1 мА 7500% при 1 мА
PVI5033R PVI5033R Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ПВИ Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-pvi5033rpbf-datasheets-1637.pdf 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 8541.40.80.00 2 2 Фотоэлектрический ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО 3750 В (среднеквадратичное значение) 40 мА 5 мкА 10 В 2,5 мс, 500 мкс (макс.)
PVI5033RS-T PVI5033RS-T Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ПВИ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) округ Колумбия Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-pvi5033rpbf-datasheets-1637.pdf 8-СМД, Крыло Чайки Содержит свинец 8 2 е3 Матовый олово (Sn) 2 10 В 10 В Фотоэлектрический ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО 3750 В (среднеквадратичное значение) 40 мА 5 мкА 5 мкА 2,5 мс, 500 мкс (макс.)
4N253S 4Н253С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 4Н25 1 6-СМД Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 20% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 500мВ
PS2501L-1 ПС2501Л-1 КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Не соответствует требованиям RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2501l1-datasheets-8991.pdf 4-СМД, Крыло Чайки Содержит свинец 4 УЛ ПРИЗНАЛ 150 мВт 1 1 80В Транзистор 0,08А 3 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,17 В 3 мкс 5 мкс 80 мА 50 мА 80% при 5 мА 600% при 5 мА
H11A2 H11A2 Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 1 1 30 В 30 В Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А 2,8 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 1,2 В 2,8 мкс 4,5 мкс 60 мА 150 мА 20% 30 В 50нА 20% при 10 мА
H11AG1 H11AG1 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11ag1-datasheets-2617.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) да EAR99 ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ совместимый е3 Олово (Вс) НЕТ 1 1 Оптопара — транзисторные выходы Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,05А 0,05А ОДИНОКИЙ 5300 В (среднеквадратичное значение) 0,26 Вт 1,5 В Макс. 300% 30 В 50 мА 30 В 100% при 1 мА 5 мкс, 5 мкс 400мВ
PS2561L2-1-V ПС2561Л2-1-В КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Не соответствует требованиям RoHS 4-СМД, Крыло Чайки 4 1 150 мВт 1 4-СМД 80 мА 1,4 В Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 80В 1,17 В 3 мкс 5 мкс 80 мА 50 мА 80В 80% при 5 мА 400% при 5 мА 300мВ

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.