Фотоэлектрические оптоизоляторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Фотоэлектрические оптоизоляторы(10195)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Тип входа Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Без свинца Срок выполнения заказа на заводе Масса Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Базовый номер детали Количество вариантов Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Количество цепей Поставщик пакета оборудования Максимальное выходное напряжение Выходное напряжение Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Максимальный входной ток Тип оптоэлектронного устройства Прямой ток-Макс. Время подъема Конфигурация Время отклика-Макс. Напряжение – изоляция Рассеиваемая мощность-Макс. Обратное напряжение проба Прямое напряжение-Макс. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Выходной ток на канале Текущий коэффициент передачи Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. Ток — выход/канал Напряжение - Выход (Макс.) Темный ток-Макс. Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.)
4N36SD 4Н36СД ОН Полупроводник 0,09 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 4Н36 1 6-СМД Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 100% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 300мВ
4N36300 4Н36300 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 4Н36 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 100% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 300мВ
4N35FVM 4Н35ФВМ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 4Н35 1 6-СМД Транзистор с базой 7500Впик 1,18 В 60 мА 30 В 100% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 300мВ
4N33300 4Н33300 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 4Н33 1 6-ДИП Дарлингтон с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 80 мА 150 мА 30 В 500% при 10 мА 5 мкс, 100 мкс (макс.) 1В
4N36FR2M 4Н36ФР2М ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 4Н36 1 6-СМД Транзистор с базой 7500Впик 1,18 В 60 мА 30 В 100% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 300мВ
4N29S 4Н29С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf 6-СМД, Крыло Чайки да EAR99 УТВЕРЖДЕНО УЛ совместимый е3 Олово (Вс) ДА 4Н29 1 1 Оптопара — транзисторные выходы Дарлингтон с базой ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН 0,08А ОДИНОКИЙ 0,00004 с 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 80 мА 100% 30 В 150 мА 30 В 100% при 10 мА 5 мкс, 40 мкс (макс.) 1В
4N36FM 4Н36ФМ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 4Н36 1 6-СМД Транзистор с базой 7500Впик 1,18 В 60 мА 30 В 100% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 300мВ
4N35FM 4Н35ФМ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 4Н35 1 6-СМД Транзистор с базой 7500Впик 1,18 В 60 мА 30 В 100% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 300мВ
4N25300W 4N25300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) 4Н25 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 20% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 500мВ
4N32300 4Н32300 ОН Полупроводник 0,26 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия /files/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 4Н32 1 6-ДИП Дарлингтон с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 80 мА 150 мА 30 В 500% при 10 мА 5 мкс, 100 мкс (макс.) 1В
H11A2S H11A2S Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf 6-СМД, Крыло Чайки ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 1 1 30 В 30 В Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А 2,8 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 1,2 В 2,8 мкс 4,5 мкс 60 мА 150 мА 20% 30 В 50нА 20% при 10 мА
LTV-844HS-TA1 LTV-844HS-TA1 Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°К~100°К Лента и коробка (ТБ) 1 (без блокировки) переменный ток, постоянный ток Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv814hsta1-datasheets-4691.pdf 16-СМД, Крыло Чайки Без свинца УТВЕРЖДЕНО УЛ 4 4 35В 35В Транзистор 0,15 А 4 мкс 5000 В (среднеквадратичное значение) 200 мВ 1,4 В 4 мкс 3 мкс 150 мА 80 мА 35В 100нА 20% при 100 мА 80% при 100 мА
4N353S 4Н353С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 4Н35 1 6-СМД Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 100% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 300мВ
4N28300 4Н28300 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 4Н28 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 10% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 500мВ
4N323S 4Н323С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 4Н32 1 6-СМД Дарлингтон с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 80 мА 150 мА 30 В 500% при 10 мА 5 мкс, 100 мкс (макс.) 1В
OCP-PCT124/A-TR OCP-PCT124/A-TR Люмекс Опто/Компонентс Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 2001 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/lumexoptocomComponentsinc-ocppct124a-datasheets-2598.pdf 4-СМД, Крыло Чайки Содержит свинец 26 недель да 1 1 60В 60В Транзистор 0,05А 5 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 1,2 В 5 мкс 4 мкс 50 мА 60В 60% при 1 мА 600% при 1 мА
4N31300 4Н31300 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 4Н31 1 6-ДИП Дарлингтон с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 80 мА 150 мА 30 В 50% при 10 мА 5 мкс, 40 мкс (макс.) 1,2 В
4N35300W 4N35300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) 4Н35 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 100% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 300мВ
4N33300W 4N33300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) Без свинца 6 250 мВт 4Н33 1 250 мВт 1 1 6-ДИП 30 В 80 мА 1,5 В Дарлингтон с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 3В 1В 30 В 150 мА 1,2 В 80 мА 150 мА 150 мА 30 В 500% при 10 мА 5 мкс, 100 мкс (макс.) 1В
PS2565L-2 ПС2565Л-2 КЛЭ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать НЕПОК Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) переменный ток, постоянный ток Не соответствует требованиям RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2565l1v-datasheets-2535.pdf 8-СМД, Крыло Чайки Содержит свинец неизвестный 8541.40.80.00 120 мВт 2 2 80В Транзистор 0,08А 3 мкс 5000 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,17 В 3 мкс 5 мкс 80 мА 50 мА 100нА 80% при 5 мА 400% при 5 мА
4N27SR2VM 4Н27СР2ВМ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца 810мг 6 да Нет 250 мВт 4Н27 250 мВт 1 30 В 60 мА Транзистор с базой 60 мА 2 мкс 4170 В (среднеквадратичное значение) 6В 500мВ 500мВ 1,18 В 30 В 10% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс
H11A2M Х11А2М Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) Без свинца ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ неизвестный 1 1 30 В 30 В Транзистор с базой Транзисторный выход оптопара 0,06А 2,8 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 1,2 В 2,8 мкс 4,5 мкс 60 мА 150 мА 20% 30 В 50нА 20% при 10 мА
4N333S 4Н333С ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 4Н33 1 6-СМД Дарлингтон с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 80 мА 150 мА 30 В 500% при 10 мА 5 мкс, 100 мкс (макс.) 1В
LTV-824HM ЛТВ-824ХМ Лайт-Он Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -30°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) переменный ток, постоянный ток Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv814hsta1-datasheets-4691.pdf 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) Без свинца ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE неизвестный 8541.40.80.00 2 2 35В 35В Транзистор 0,15 А 4 мкс 0,000018 с 5000 В (среднеквадратичное значение) 0,16 Вт 1,7 В 200 мВ 1,4 В 4 мкс 3 мкс 150 мА 80 мА 35В 100нА 20% при 100 мА 80% при 100 мА
4N29300W 4N29300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) 4Н29 1 6-ДИП Дарлингтон с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 80 мА 150 мА 30 В 100% при 10 мА 5 мкс, 40 мкс (макс.) 1В
4N30300W 4N30300W ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) 4Н30 1 6-ДИП Дарлингтон с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 80 мА 150 мА 30 В 100% при 10 мА 5 мкс, 40 мкс (макс.) 1В
4N333SD 4Н333СД ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 4Н33 1 6-СМД Дарлингтон с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 80 мА 150 мА 30 В 500% при 10 мА 5 мкс, 100 мкс (макс.) 1В
4N30300 4Н30300 ОН Полупроводник 18,24 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 4Н30 1 6-ДИП Дарлингтон с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 80 мА 150 мА 30 В 100% при 10 мА 5 мкс, 40 мкс (макс.) 1В
4N353SD 4Н353СД ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 4Н35 1 6-СМД Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,18 В 100 мА 30 В 100% при 10 мА 2 мкс, 2 мкс 300мВ
4N303SD 4Н303СД ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf 6-СМД, Крыло Чайки 4Н30 1 6-СМД Дарлингтон с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 80 мА 150 мА 30 В 100% при 10 мА 5 мкс, 40 мкс (макс.) 1В
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)