Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 4Н283С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | /files/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н28 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н27ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | Без свинца | 855мг | 6 | да | Нет | 150 мВт | 4Н27 | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 2 мкс | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 500мВ | 1,18 В | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н26В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н26 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-846С-ТА1 | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv816s-datasheets-5773.pdf | 16-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 16 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | неизвестный | 4 | 4 | 80В | 80В | Транзистор | 0,05А | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100нА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| OCP-PCT114/Е | Люмекс Опто/Компонентс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/lumexoptocomComponentsinc-ocppct114etr-datasheets-2591.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 мА | Содержит свинец | 26 недель | Неизвестный | 4 | да | 1 | 1 | 60В | 60В | 50 мА | Транзистор | 5 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,2 В | 5 мкс 4 мкс | 50 мА | 50 мА | 60% при 2 мА | 600% при 2 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н26ФР2М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н26 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н28ТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | /files/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н28 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А5С | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | неизвестный | 1 | 1 | 30 В | 30 В | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | 2,8 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,2 В | 2,8 мкс 4,5 мкс | 60 мА | 150 мА | 30% | 30 В | 50нА | 30% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н28ФР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н28 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н273СД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н27 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н28ФМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н28 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N25W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н25 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н35300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4Н35 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н25С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н25 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2561Л-1-В | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2561l2-datasheets-2529.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А2С-ТА1 | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteonnc-h11a1-datasheets-2608.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | неизвестный | 1 | 1 | 30 В | 30 В | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | 2,8 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,2 В | 2,8 мкс 4,5 мкс | 60 мА | 150 мА | 20% | 30 В | 50нА | 20% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н26ВМ | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11a1sr2vm-datasheets-4947.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 855мг | 6 | да | Нет | 150 мВт | 4Н26 | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 2 мкс | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 500мВ | 1,18 В | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н27ФВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н27 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н26СР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 810мг | 6 | да | Нет | 250 мВт | 4Н26 | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 2 мкс | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 500мВ | 1,18 В | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н273С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н27 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2565Л-1 | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2565l1v-datasheets-2535.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | неизвестный | 1 | 1 | Транзистор | 0,08А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 80В | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСТ2М | ОН Полупроводник | 0,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct2m-datasheets-2729.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 | 250 мВт | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 2 мкс | 7500Впик | 3В | 400мВ | 30 В | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 1,5 мкс | 50 мА | 50 мА | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н26ФР2ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н26 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н263С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н26 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК8112 | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8111-datasheets-2697.pdf | 5В | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 6 | 260мВт | 260мВт | 1 | 70В | 90 мА | Транзистор | 6 мкс | 24 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 1,15 В | 3 мкс 14 мкс | 70В | 50% при 10 мА | 4,2 мкс, 23 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н26С | ОН Полупроводник | 1,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 | 250 мВт | 4Н26 | 1 | 250 мВт | 1 | 6-СМД | 30 В | 100 мА | 1,5 В | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 30 В | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| 4N26300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н26 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н26СВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 810мг | 6 | да | Нет | 150 мВт | 4Н26 | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 2 мкс | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 500мВ | 1,18 В | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК215М | ОН Полупроводник | 0,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc215m-datasheets-2716.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 250 мВт | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 4 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 30 В | 150 мА | 1,07 В | 3 мкс 3 мкс | 150 мА | 150 мА | 20% при 1 мА | 4 мкс, 4 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н25300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4Н25 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ |
